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公开(公告)号:CN108109994A
公开(公告)日:2018-06-01
申请号:CN201711180414.7
申请日:2017-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/088 , H01L27/108 , H01L21/033
CPC classification number: H01L27/0886 , B82Y10/00 , H01L21/3086 , H01L21/762 , H01L21/76229 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L29/045 , H01L29/0649 , H01L29/0673 , H01L29/1033 , H01L29/42392 , H01L29/775 , H01L27/0207 , H01L21/0332 , H01L27/108
Abstract: 本公开涉及有源图案结构及包括其的半导体器件。一种有源图案结构可以包括含有源图案阵列的衬底,有源图案阵列由包括第一沟槽至第三沟槽的多个沟槽、以及分别在第一沟槽至第三沟槽中的第一隔离图案至第三隔离图案限定。有源图案阵列可以包括在第一方向上延伸的多个第一有源图案和多个第二有源图案,第一沟槽至第三沟槽可以在第一有源图案与第二有源图案之间并且可以包括彼此不同的宽度。有源图案阵列可以包括有源图案组,其包括顺序地布置在基本上垂直于第一方向的第二方向上的所述多个第一有源图案中的第一有源图案和所述多个第二有源图案中的第二有源图案。所述多个第一有源图案和所述多个第二有源图案的每个可以具有微小的宽度。
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公开(公告)号:CN108109994B
公开(公告)日:2023-04-18
申请号:CN201711180414.7
申请日:2017-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/088 , H10B12/00 , H01L21/033
Abstract: 本公开涉及有源图案结构及包括其的半导体器件。一种有源图案结构可以包括含有源图案阵列的衬底,有源图案阵列由包括第一沟槽至第三沟槽的多个沟槽、以及分别在第一沟槽至第三沟槽中的第一隔离图案至第三隔离图案限定。有源图案阵列可以包括在第一方向上延伸的多个第一有源图案和多个第二有源图案,第一沟槽至第三沟槽可以在第一有源图案与第二有源图案之间并且可以包括彼此不同的宽度。有源图案阵列可以包括有源图案组,其包括顺序地布置在基本上垂直于第一方向的第二方向上的所述多个第一有源图案中的第一有源图案和所述多个第二有源图案中的第二有源图案。所述多个第一有源图案和所述多个第二有源图案的每个可以具有微小的宽度。
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