公开(公告)号：CN104681408B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201410685562.4

申请日：2014-11-25

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴栽永 ,  姜盛晧 ,  金基哲 ,  李善英 ,  李汉基 ,  具本荣

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088

CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/34 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795

摘要： 本发明提供进行表面处理工艺的方法和半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法包括：在基板中形成多个第一凹进区，该基板具有在多个第一凹进区之间的突出的有源区，该突出的有源区具有上表面和侧壁；在多个第一凹进区中形成器件隔离膜，该器件隔离膜暴露出突出的有源区的侧壁的上部分和上表面；以及在突出的有源区的暴露表面上进行第一等离子体处理，其中该等离子体处理利用包含惰性气体和氢气中至少一个的等离子体气体在小于或等于大约700℃的温度下进行。

公开(公告)号：CN106252230B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201510798935.3

申请日：2015-11-18

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 江国诚 ,  刘继文 ,  梁英強

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08

CPC分类号： H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/10879 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/785

摘要： 本发明提供了用于FINFET的环绕硅化物。一种方法包括在半导体鳍的中间部分上形成栅极堆叠件，以及在栅极堆叠件的侧壁上形成第一栅极间隔件。形成第一栅极间隔件之后，形成模板介电区以覆盖半导体鳍。该方法还包括开槽模板介电区。开槽之后，在栅极堆叠件的侧壁上形成第二栅极间隔件。蚀刻半导体鳍的端部部分以在模板介电区中形成凹槽。在凹槽中外延生长源极/漏极区。

公开(公告)号：CN105190853B

公开(公告)日：2019-02-22

申请号：CN201480023493.9

申请日：2014-10-23

申请人： 格罗方德半导体股份有限公司

发明人： S·K·卡纳卡萨巴帕西 ,  S·A·西格 ,  T·E·斯坦达尔特 ,  Y·尹

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/6681 ,  Y02P80/30

摘要： 诸如通过在反应离子蚀刻期间交替气体来循环地交替蚀刻剂，交替地并循环地对形成finFET的鳍的半导体材料和介于所述鳍之间的局部隔离材料的交错的结构执行蚀刻。当半导体材料和局部隔离材料的一个在半导体材料和局部隔离材料的另一个之上突起一段预设的距离时，优选将蚀刻剂替换。由于突起的表面比凹进的表面蚀刻得更快，整体蚀刻处理加快，并且以更少的时间完成，使得对其它材料(蚀刻剂对其选择性不理想)的侵蚀减少并且允许改进对沟槽的蚀刻以形成改进的隔离结构。

公开(公告)号：CN108511393A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201810086095.1

申请日：2018-01-30

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 槙山秀树

IPC分类号： H01L21/8244 ,  H01L27/11

CPC分类号： H01L21/76283 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78612 ,  H01L29/78648 ,  H01L27/1104

摘要： 本公开涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。在一种用于在绝缘体上硅衬底之上形成的半导体器件的制造方法中，在宽有源区中的第一半导体层的外周端部之上部分地形成第一外延层。然后，在窄有源区和宽有源区中的第一半导体层的每个之上形成第二外延层。由此，在宽有源区中形成由第一半导体层以及第一和第二外延层的层叠体配置的第二半导体层，并且在窄有源区中形成由第一半导体层和第二外延层的层叠体配置的第三半导体层。

公开(公告)号：CN104795331B

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201410027709.0

申请日：2014-01-21

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 赵杰

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3105

CPC分类号： H01L29/495 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/324 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78

摘要： 一种晶体管的形成方法，包括：提供衬底，衬底表面具有伪栅极结构，伪栅极结构包括：位于衬底表面的伪栅介质层、以及位于伪栅介质层表面的伪栅极层；在衬底和伪栅极结构表面形成介质膜，介质膜的表面高于或齐平于伪栅极层的顶部表面；在形成介质膜之后，进行退火工艺，使介质膜致密；在退火工艺之后，平坦化介质膜，直至暴露出伪栅极结构顶部表面为止，形成介质层；在平坦化介质膜之后，采用离子注入工艺在介质层表面形成致密层；在离子注入工艺之后，去除伪栅极层和伪栅介质层，在介质层内形成开口；在开口内形成栅介质层、以及位于栅介质层表面的栅极层，栅极层的表面与介质层齐平。所形成的晶体管性能改善、形貌尺寸精确均匀。

公开(公告)号：CN104733529B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201410387026.6

申请日：2014-08-08

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈彦友 ,  陈弘耀 ,  施启元 ,  叶凌彦 ,  万幸仁

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/7853

摘要： 本发明提供了一种半导体器件的鳍结构。本发明涉及一种鳍式场效应晶体管(FinFET)。示例性FinFET包括具有主要表面的衬底和从主要表面突出的鳍结构。鳍结构包括：上部，上部包括具有第一晶格常数的第一半导体材料，其中，上部包括具有第一宽度的第一基本垂直部分和位于第一基本垂直部分上方的具有小于第一宽度的第二宽度的第二基本垂直部分；以及下部，下部包括具有小于第一晶格常数的第二晶格常数的第二半导体材料，其中，下部的顶面具有小于第一宽度的第三宽度；FinFET还包括覆盖第二基本垂直部分的栅极结构。

公开(公告)号：CN108074869A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201610999686.9

申请日：2016-11-14

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

发明人： 刘继全

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC分类号： H01L21/823481 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7846 ,  H01L29/785 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0924

摘要： 一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，形成方法包括：提供基底；刻蚀所述基底，形成衬底以及位于衬底上的多个鳍部，所述鳍部之间具有宽度不同的第一间隔和第二间隔，所述第一间隔大于所述第二间隔；在鳍部露出的衬底上形成第一隔离层，第一隔离层在第一间隔处形成开口；对第一隔离层进行第一退火工艺处理；形成填充开口且覆盖第一隔离层的第二隔离层；去除部分厚度的第一隔离层和第二隔离层，形成隔离结构，所述隔离结构的顶部表面低于鳍部的顶部表面；形成横跨鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述鳍部的部分顶部和侧壁；在栅极结构两侧的鳍部内形成源漏掺杂区。本发明提供的晶体管的形成方法，能够提高晶体管的电学性能。

公开(公告)号：CN108028257A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680054853.0

申请日：2016-07-29

申请人： 高通股份有限公司

发明人： 古仕群 ,  D·D·金 ,  M·M·诺瓦克 ,  金钟海 ,  C·H·芸 ,  J-H·J·兰 ,  D·F·伯迪

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L27/1203 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/84 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/528 ,  H01L23/66 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/66772

摘要： 一种集成电路(IC)包括玻璃衬底上的第一半导体器件。第一半导体器件包括块体硅晶片的第一半导体区域。IC包括玻璃衬底上的第二半导体器件。第二半导体器件包括块体硅晶片的第二半导体区域。IC包括在第一半导体区域与第二半导体区域之间的贯通衬底的沟槽。贯通衬底的沟槽包括设置在块体硅晶片的表面外的部分。

公开(公告)号：CN107919360A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201710283465.6

申请日：2017-04-26

申请人： 意法半导体(鲁塞)公司

发明人： A·马扎基

IPC分类号： H01L27/11524 ,  H01L27/11529

CPC分类号： H01L27/11524 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/11531 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/945 ,  H01L27/11529

摘要： 公开了采用三阱型结构的具有去耦电容器的集成电路。P导电类型的阱(1)通过具有沟槽(4)的三阱型结构与衬底(SB)绝缘，该沟槽(4)具有封闭在绝缘护套(440)中的导电中央部分(430)，此沟槽(4)形成具有阱(1)的去耦电容器。

公开(公告)号：CN107871740A

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201710886543.1

申请日：2017-09-27

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郭大荣 ,  朴起丙 ,  吕京奂 ,  李承宰 ,  田炅烨 ,  河承锡 ,  玄尚镇

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： 提供了半导体器件。一种半导体器件包括半导体衬底。半导体器件包括在半导体衬底中的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区。此外，半导体器件包括在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间在半导体衬底中的多层器件隔离区。多层器件隔离区包括凸出部分，该凸出部分远离半导体衬底凸出超过第一源极/漏极区和第二源极/漏极区的各自的最上表面。