半导体衬底的制造方法
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104701239B

    公开(公告)日:2018-01-26

    申请号:CN201510117172.1

    申请日:2007-11-12

    CPC classification number: H01L21/76254 H01L27/1266 H01L29/78603

    Abstract: 本发明提供将高品质的硅薄膜转印在低熔点物质的衬底上而成的半导体衬底。本发明的方法为:以1.5×1017atoms/cm2以上的掺杂量,将氢离子注入单结晶硅衬底(10)的表面(主面),形成氢离子注入层(离子注入损伤层)(11)。通过此氢离子注入,形成氢离子注入界面(12)。贴合单结晶硅衬底(10)和低熔点玻璃衬底(20)。以120℃以上250℃以下(但是,不超过支持衬底的熔点温度)的比较低的温度,加热贴合状态的衬底,利用赋予外部冲击,将热处理后的贴合衬底,沿着单结晶硅衬底(10)的氢离子注入界面(12),剥离Si结晶膜。然后,对所得到的硅薄膜(13)的表面进行研磨等,除去损伤,而得到半导体衬底。

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