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公开(公告)号：CN108461455A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201710585235.5
申请日：2017-07-18
申请人： 力成科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/485 , H01L21/568 , H01L23/145 , H01L23/3121 , H01L23/49811 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/0401 , H01L2224/16225 , H01L2224/16237 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81005 , H01L2224/83005 , H01L2224/92125 , H01L2924/15313 , H01L2924/1533 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L23/31 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L24/27
摘要： 一种扇出型半导体封装结构及制造工艺方法，该扇出型半导体封装结构包含一第一重布层、多个金属柱、一半导体晶片、一模造成型化合层及一第二重布层，该第一重布层包含一第一金属层，具有多个凹槽区，该多个金属柱注入于该多个凹槽区的一第一组凹槽区，该半导体晶片接合于该多个凹槽区的一第二组凹槽区，该模造成型化合层覆盖该半导体晶片及该第一重布层，该多个金属柱的顶端从该模造成型化合层露出，该第二重布层位于该模造成型化合层及该多个金属柱的顶端之上。本发明提供的扇出型半导体封装结构及制造工艺方法可提升金属柱的稳定性。
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公开(公告)号：CN108028435A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680054483.0
申请日：2016-07-12
申请人： 威里利生命科学有限责任公司
IPC分类号： H01M10/0585 , H01M10/42 , H01M6/40 , H01M2/22 , H01M2/26
CPC分类号： H01L23/58 , H01L23/12 , H01L23/13 , H01L23/145 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49593 , H01L23/49827 , H01L23/538 , H01L25/16 , H01M2/22 , H01M2/26 , H01M6/40 , H01M10/0585 , H01M10/425
摘要： 示例装置包括具有第一衬底表面和第二衬底表面的硅衬底；与集成电路(IC)的一个或多个电子部件相关的多个层，其中多个层沉积在第二衬底表面上；锂基电池，具有沉积在硅衬底的第一衬底表面上的多个电池层，其中锂基电池包括阳极集流体和阴极集流体；第一硅通孔(TSV)，穿过硅衬底并在阳极集流体和与IC的一个或多个电子部件相关的多个层之间提供电连接；以及第二TSV，穿过硅衬底并在阴极集流体和与IC的一个或多个电子部件相关的多个层之间提供电连接。
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公开(公告)号：CN107924902A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680047970.4
申请日：2016-08-23
申请人： 英特尔公司
发明人： S·库马尔 , H·K·达瓦莱斯瓦拉普
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/495 , H01L23/538
CPC分类号： H01L23/473 , H01L21/4882 , H01L23/145 , H01L23/5384 , H01L23/5387 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L2225/06548 , H01L2225/06589
摘要： 本文公开了用于对柔性集成电路(IC)封装的热管理的系统和方法。在一些实施例中，一种柔性IC封装，可以包括柔性衬底材料；部件，其布置在柔性衬底材料中；沟道，其布置在柔性衬底材料中，形成闭合回路，并具有邻近部件的一部分；电极，其布置在柔性衬底材料中并且位于邻近沟道的位置处，其中，电极耦合到电极控制器以选择性地使电极中的一个或多个电极产生电场；及电解液，其布置在沟道中。在一些实施例中，柔性IC封装可耦合到可穿戴支撑结构。可以公开和/或要求保护其它实施例。
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公开(公告)号：CN103517548B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201310232621.8
申请日：2013-06-13
申请人： 新光电气工业株式会社
CPC分类号： H01L23/49827 , H01L21/4857 , H01L23/145 , H01L23/49822 , H01L23/49838 , H01L23/5383 , H01L23/642 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/15311 , H05K1/0271 , H05K3/4602 , H05K3/4673 , H05K2201/0195 , H05K2201/029 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供布线基板及其制造方法，即使减薄了核心基板，也能够防止扭曲或翘曲的发生。作为解决手段，布线基板包含：具有第1布线层（20）的核心基板（10）；层间绝缘层（40），其由形成在核心基板（10）上的含有纤维增强材料的树脂层（30）以及形成在含有纤维增强材料的树脂层（30）上的底层（32）形成，并具有到达第1布线层（20）的过孔（VH1）；以及第2布线层（22），其形成在底层（32）上，经由过孔（VH1）与第1布线层（20）连接。
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公开(公告)号：CN107408506A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201580077587.9
申请日：2015-03-09
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/3205
CPC分类号： H01L23/14 , H01L21/4846 , H01L23/145 , H01L23/49822 , H01L23/49866 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2924/15311 , H05K3/062 , H05K3/105 , H05K3/107 , H05K3/182 , H05K3/185 , H05K2201/0209 , H05K2203/107
摘要： 本公开的实施例描述了集成电路（IC）衬底的选择性金属化。在一个实施例中，一种集成电路（IC）衬底可以包括：介电材料；以及具有多面体形状的金属晶体，其分散在所述介电材料中并且与配体键合，所述配体在被暴露于所述激光时烧蚀，以使得具有经烧蚀配体的金属晶体被活化以提供用于选择性无电镀金属沉积的催化剂。可以描述和/或要求保护其他实施例。
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公开(公告)号：CN103918074B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201280054601.X
申请日：2012-11-21
申请人： 德州仪器公司
CPC分类号： H01L24/19 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/13 , H01L23/145 , H01L23/3114 , H01L23/49816 , H01L23/5389 , H01L24/97 , H01L2223/6677 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/12042 , H01L2924/15153 , H01L2224/83 , H01L2924/00
摘要： 本发明描述用于封装集成电路的多种经改进方法。在一种所描述方法中，将众多裸片(121)安装于载体(105)(例如，塑料载体)上。每一裸片(121)具有紧固到其相关联I/O衬垫的多个经线接合触点螺柱(123)。在所述载体上方施加囊封剂(132)以覆盖所述裸片及所述触点螺柱的至少部分以形成囊封剂载体结构。在已施加所述囊封剂之后，研磨所述囊封剂的第一表面及所述触点螺柱，使得所述触点螺柱的经暴露部分为平滑的且实质上与所述囊封剂共面。在一些实施例中，在所述囊封剂载体结构上方形成再分布层(136)，且将焊料凸块(138)附接到所述再分布层。在所述囊封剂载体结构上方施加触点囊封剂层(151)以为所得封装提供额外机械支撑。
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公开(公告)号：CN106797706A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580055177.4
申请日：2015-06-12
申请人： 味之素株式会社
IPC分类号： H05K3/46
CPC分类号： H01L21/6835 , B32B37/06 , B32B37/12 , B32B2309/025 , B32B2457/08 , H01L21/4846 , H01L23/145 , H01L2221/68345 , H05K3/46
摘要： 本发明提供即使在带有支撑体的状态下将树脂组合物层热固化而形成绝缘层也不会使成品率下降的印刷布线板的制造方法。印刷布线板的制造方法依序包括：工序(A)将包含支撑体以及与该支撑体接合的树脂组合物层的粘接片以该树脂组合物层与内层基板接合的方式层叠于内层基板的工序、工序(B)将所述树脂组合物层热固化而形成绝缘层的工序、以及工序(C)除去所述支撑体的工序，支撑体以规定的加热条件进行加热时，满足条件(MD1)120℃以上的MD方向的最大膨胀系数EMD低于0.2%、条件(TD1)120℃以上的TD方向的最大膨胀系数ETD低于0.2%。
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公开(公告)号：CN103258800B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201310141588.8
申请日：2008-03-12
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L23/14 , H01L23/498 , H01Q1/22
CPC分类号： H01L27/1266 , H01L23/145 , H01L23/49855 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L27/1248 , H01L27/13 , H01L29/78603 , H01L2223/6677 , H01L2224/16225 , H01L2924/07811 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01Q1/2225 , H01Q1/2283 , H01L2924/00
摘要： 半导体器件及其制造方法。本发明提供一种即使在从外部局部地施加压力时也不容易损坏的半导体器件。另外，本发明还提供高成品率地制造对于即使受来自外部的局部推压也不损坏的可靠性高的半导体器件的方法。在包括使用非单晶半导体层形成的半导体元件的元件层上设置在有机化合物或无机化合物的高强度纤维中浸渗有机树脂而成的结构体，并且进行加热和压合，来制造固定有在有机化合物或无机化合物的高强度纤维中浸渗有机树脂而成的结构体及元件层的半导体器件。
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公开(公告)号：CN104392978B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410752828.2
申请日：2014-12-10
申请人： 上海兆芯集成电路有限公司
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/488
CPC分类号： H01L23/49838 , H01L23/13 , H01L23/145 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L24/00 , H01L2224/1308 , H01L2224/81
摘要： 本发明公开一种线路基板和半导体封装结构。上述线路基板包括一核心板，具有彼此相对的一芯片侧表面和一焊锡凸块侧表面；一第一导通孔插塞，穿过上述核心板；一第一导线图案和相邻上述第一导线图案的一第二导线图案，设置于上述芯片侧表面上；一焊垫，设置于上述焊锡凸块侧表面上，其中上述第一导通孔插塞直接接触且部分重叠于上述第一导线图案及上述焊垫，且上述第一导线图案、上述第二导线图案、上述第一导通孔插塞用于传递相同的信号。
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公开(公告)号：CN106409803A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610023690.1
申请日：2016-01-14
申请人： 华亚科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/495
CPC分类号： H01L24/97 , H01L21/4857 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/145 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L2221/68345 , H01L2224/13023 , H01L2224/13147 , H01L2224/16113 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/81005 , H01L2224/97 , H01L2924/15311 , H01L2924/3511 , H01L2924/381 , H01L2224/81 , H01L2924/00014 , H01L23/49524
摘要： 本发明公开了一种半导体装置，包含一芯片，具有一有源面以及一相对于所述有源面的背面；一模塑料，覆盖并包覆所述芯片；以及一重分布层，设于所述有源面以及所述模塑料上，其中所述重分布层是与所述芯片电连接，所述重分布层包含至少一有机介电层以及一无机介电硬掩膜层，设于所述有机介电层上，其中所述重分布层还包含一金属结构，设于所述有机介电层以及所述无机介电硬掩膜层中。
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