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公开(公告)号:CN105814588B
公开(公告)日:2019-08-02
申请号:CN201480067991.3
申请日:2014-12-01
申请人: 索尼公司
发明人: 酒井雄儿
IPC分类号: G06K19/07 , G06K19/077
CPC分类号: G06K19/07749 , H01L23/49822 , H01L23/49855 , H01L23/645 , H01L23/66 , H01L25/16 , H01L2223/6677
摘要: 为了提供一种信息处理装置,当将用于执行非接触式通信的多个IC芯片连接至单个线圈天线时,所述信息处理装置能够根据各IC芯片所需的通信特性向所述IC芯片适当供应电力。[解决方案]提供了一种信息处理装置,所述信息处理装置包括:线圈天线,用于在经受来自外部的磁场时生成电力;以及第一IC芯片和第二IC芯片,所述第一IC芯片和所述第二IC芯片并联连接至所述线圈天线并且接收从所述线圈天线供应的电力。由所述第一IC芯片从所述线圈天线接收的电力不同于由所述第二IC芯片从所述线圈天线接收的电力。
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公开(公告)号:CN105378760B
公开(公告)日:2019-07-26
申请号:CN201480033526.8
申请日:2014-06-24
申请人: 凸版印刷株式会社
IPC分类号: G06K19/077 , G06K19/07
CPC分类号: G06K19/07747 , G06K19/07775 , G06K19/07779 , H01L21/486 , H01L21/56 , H01L23/3107 , H01L23/49827 , H01L23/49855 , H01L23/5227 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L2224/05554 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/4813 , H01L2224/48225 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/49109 , H01L2224/49171 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2224/05599
摘要: 本发明的IC模块具有:薄板状的基材,其具有第一面和第二面,并具有第一贯穿孔和与所述第一贯穿孔分离的第二贯穿孔;IC芯片,其设置于所述第一面,具有接触型通信功能及非接触型通信功能,并形成有2个端子;连接线圈,其形成于所述第一面,具有2个端部;接触端子部,其设置于所述第二面,以与接触型外部设备接触的方式构成;过桥配线,其设置于所述第二面,设置于与所述第一贯穿孔及所述第二贯穿孔重叠的位置,与所述接触端子部电绝缘;第一导电线,其插入所述第一贯穿孔中,对所述IC芯片的第一端子和所述过桥配线进行连接;第二导电线,其插入所述第二贯穿孔中,对所述过桥配线和所述连接线圈的第一端部进行连接;以及第三导电线,其对所述连接线圈的第二端部和所述IC芯片的第二端子进行连接。
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公开(公告)号:CN105379435B
公开(公告)日:2018-08-31
申请号:CN201480038598.1
申请日:2014-05-29
申请人: 菲尼萨公司
发明人: 史伟
CPC分类号: H05K3/363 , H01L23/49822 , H01L23/49833 , H01L23/49838 , H01L23/49855 , H01L2924/0002 , H05K3/36 , H05K2201/0367 , H05K2201/09445 , H05K2201/09781 , H05K2201/099 , H05K2201/2036 , H01L2924/00
摘要: 在一个示例性实施方式中,电路互连包括第一印刷电路板(PCB)(100)、第二PCB(114)、间隔物(108)以及导电焊接点(120)。第一PCB包括第一导电焊盘(104)。第二PCB包括第二导电焊盘(116)。间隔物被配置成相对于第二PCB设置第一PCB,以使得在焊接过程中在将第一导电焊盘与第二导电焊盘导电地连接之后,在第一PCB与第二PCB之间留有间隔。导电焊接点导电地连接第一导电焊盘与第二导电焊盘。
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公开(公告)号:CN108352374A
公开(公告)日:2018-07-31
申请号:CN201680064526.3
申请日:2016-10-28
申请人: 格马尔托股份有限公司
IPC分类号: H01L23/498 , H01L21/48 , C23C4/134
CPC分类号: H01L23/49855 , G06K19/00 , H01L21/4867 , H01L2224/49171
摘要: 本发明涉及一种制造具有安全集成电路芯片的装置(1)的方法,所述装置具有绝缘衬底(14、24、24R)、衬底上的连接到或耦合到所述电子芯片(30)的导电表面(23、33、43、53、63),所述导电表面是通过传导材料的沉积或转移步骤实现的;该方法的特征在于,所述传导材料的沉积或转移步骤是通过将不含聚合物或溶剂的金属微粒直接沉积在衬底上的技术实现的,所述沉积是通过微粒聚结形成直接置于与衬底接触的至少一个或多个均质粘结层而获得的。本发明还涉及所获得的装置。
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公开(公告)号:CN104979679B
公开(公告)日:2018-06-08
申请号:CN201510157940.6
申请日:2015-04-03
申请人: 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号: B32B27/08 , B29C65/48 , B29K2627/06 , B29K2667/003 , B29K2669/00 , B29L2009/00 , B32B3/02 , B32B3/266 , B32B3/30 , B32B7/045 , B32B7/12 , B32B27/304 , B32B27/36 , B32B27/365 , B32B37/0084 , B32B37/02 , B32B37/185 , B32B38/0012 , B32B38/04 , B32B2038/047 , B32B2250/03 , B32B2250/24 , B32B2305/38 , B32B2327/06 , B32B2367/00 , B32B2369/00 , B32B2425/00 , G06K19/07722 , G06K19/07749 , H01L21/4803 , H01L23/145 , H01L23/49855 , H01L23/66 , H01L2924/0002 , Y10T156/10 , Y10T156/1039 , Y10T156/1056 , Y10T156/1066 , Y10T156/109 , Y10T428/24777 , H01L2924/00
摘要: 本发明提出了一种芯片卡衬底,其包括多个层。该多个层包括具有第一聚合物材料的第一聚合物层,被设置在该第一聚合物层上并且包含与该第一聚合物不同的第二聚合物的第二聚合物层。该多个层还包括设置在该第二聚合层上并且包含该第一聚合物材料的第三聚合物层。该第二聚合物层包括在该第二聚合物层边缘处的多个切口,从而该第一聚合物层的第一聚合物材料和该第三聚合物层的第一聚合物材料形成通过该多个切口形成耦接。
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公开(公告)号:CN107799474A
公开(公告)日:2018-03-13
申请号:CN201710488773.2
申请日:2017-06-23
申请人: 意法半导体(克洛尔2)公司
IPC分类号: H01L23/00 , H01L23/498 , H01L21/48
CPC分类号: H01L23/576 , H01L21/31111 , H01L21/76802 , H01L21/76831 , H01L21/76877 , H01L23/291 , H01L23/293 , H01L23/3171 , H01L23/481 , H01L23/49855 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/57 , H01L23/573 , H01L23/585 , H01L23/642 , H03K3/3565 , H01L21/486 , H01L23/49827 , H01L23/49838
摘要: 本公开涉及被保护免受后面攻击的芯片,例如,本公开涉及一种半导体芯片,该半导体芯片包括从前面到背面穿过该芯片的至少两个绝缘通孔(8),其中,在该后面侧上,这些通孔连接至同一导电带(12)并且在该前面侧上,每个通孔通过电介质层(6)与导电焊盘(3,4)分离开。
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公开(公告)号:CN107666772A
公开(公告)日:2018-02-06
申请号:CN201710319743.9
申请日:2017-05-08
申请人: 三星电子株式会社
发明人: 禹铤贤
IPC分类号: H05K1/11 , H01L23/498
CPC分类号: H05K5/006 , F16B5/065 , F16B43/004 , G11C5/04 , H05K1/117 , H05K5/0008 , H05K7/142 , H05K2201/09063 , H05K2201/10159 , H05K2201/10265 , H05K2201/10409 , H05K1/115 , H01L23/49855 , H05K2201/10492
摘要: 可以提供一种半导体存储器件,包括:壳体,包括上壳体、下壳体、从所述下壳体延伸到所述上壳体的支撑结构;印刷电路板(PCB),在所述壳体中并被所述支撑结构支撑;在所述PCB的下表面上的片簧,所述片簧被置于所述支撑结构的支撑面上;以及在所述PCB和所述片簧之间的焊接层,所述焊接层将所述PCB与所述片簧耦接。
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公开(公告)号:CN103681388B
公开(公告)日:2017-08-29
申请号:CN201310430539.6
申请日:2013-09-18
申请人: 瑞萨电子株式会社
IPC分类号: H01L21/60 , H01L23/498
CPC分类号: H01L21/565 , G06K19/07747 , H01L23/15 , H01L23/49838 , H01L23/4985 , H01L23/49855 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/743 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/27013 , H01L2224/29034 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48465 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/743 , H01L2224/83192 , H01L2224/83194 , H01L2224/83862 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/0665
摘要: 本发明涉及制造半导体器件的方法。提供一种具有改善质量的半导体器件。本发明的半导体器件包括具有:其上具有半导体芯片的带式衬底、围绕半导体芯片放置的多个焊接区焊盘、用于将半导体芯片的电极焊盘电耦合至焊接区焊盘的多个导线,以及提供在带式衬底的下表面上的多个端子部。带式衬底的焊接区焊盘和半导体芯片之间的第一区的表面粗糙度的局部尖峰之间的平均距离小于带式衬底的焊接区焊盘和第一区之间的第二区的表面粗糙度的局部尖峰的平均距离。
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公开(公告)号:CN103681566B
公开(公告)日:2017-08-08
申请号:CN201310388903.7
申请日:2013-08-30
申请人: 三星电子株式会社
IPC分类号: H01L23/488 , G11C5/00
CPC分类号: H01L23/49855 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/565 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49894 , H01L2224/131 , H01L2224/16238 , H01L2224/45144 , H01L2224/48228 , H01L2924/014 , H01L2924/00
摘要: 提供了封装件基板、包括所述封装件基板的半导体封装件以及制造所述半导体封装件的方法。封装件基板可以包括具有其上设置有半导体芯片的第一表面和与第一表面相对的第二表面的芯。封装件基板还可以包括位于芯的第二表面上的金属焊盘。金属焊盘可以包括耐盐水腐蚀的表面。
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公开(公告)号:CN103681521B
公开(公告)日:2017-01-04
申请号:CN201310583570.3
申请日:2013-09-25
申请人: 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号: H01L23/04 , G06K19/077
CPC分类号: H01L23/5388 , H01L23/49855 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/18161 , H01L2924/00012
摘要: 用于芯片卡的半导体壳体。本发明说明了一种半导体壳体,其具有带有芯片和衬底上的第一金属化部的正面并且此外具有与衬底的正面相对的带有第二金属化部的背面,其中在半导体壳体的正面上施加有第一补偿层。
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