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公开(公告)号：CN107545925B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201611201116.7
申请日：2016-12-22
申请人： 意法半导体(克洛尔2)公司 , 意法半导体(鲁塞)公司 , 意法半导体股份有限公司
摘要： 本申请涉及用于长时间常数电路级的读取电路和相应的读取方法。一种用于电荷保持电路级的读取电路，配备有：连接在第一偏置端子和浮置节点之间的存储电容器；以及连接在浮置节点和参考端子之间的放电元件，用于通过经由相应电介质的泄漏对存储在存储电容器中的电荷进行放电。读取电路还具有：运算放大器，其具有连接到浮置节点并接收读取电压的第一输入端子、接收参考电压的第二输入端子和在其上提供输出电压的输出端子，输出电压的值取决于读取电压和参考电压之间的比较并且指示存储电容器中的剩余电荷。在对用于提供输出电压的参考电压与读取电压之间进行比较之前，移位级移位浮置节点的读取电压的值。
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公开(公告)号：CN112702546A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011063753.9
申请日：2020-09-30
申请人： 意法半导体(R&D)有限公司 , 意法半导体(克洛尔2)公司
摘要： 本公开的各实施例涉及SPAD的淬灭。本公开涉及一种包括光电二极管的装置，该光电二极管具有第一端子和第二端子，该第一端子通过电阻器被耦合到第一轨，该第一轨被配置为接收高供电电位，该第二端子通过开关被耦合到第二轨，该第二轨被配置为接收基准电位。读取电路被配置为在光电二极管进入雪崩时提供脉冲，并且控制电路被配置为：响应于脉冲的开始，控制开关的断开，并且响应于脉冲的结束，控制开关的闭合。
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公开(公告)号：CN107544237A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201611228455.4
申请日：2016-12-27
申请人： 意法半导体(克洛尔2)公司 , 意法半导体(鲁塞)公司 , 意法半导体股份有限公司
IPC分类号： G04F13/00
摘要： 一种测试电路(19)，包括用于测量时间间隔的电荷保持电路级(1)，电荷保持电路级设置有：存储电容器(2)，连接在第一偏置端子(3a)与浮置节点(4)之间；以及放电元件(6)，连接在浮置节点(4)与参考端子(7)之间，用于通过穿过对应的电介质的泄漏对存储在存储电容器中的电荷放电。测试电路设想：偏置级(24)，用于将浮置节点偏置处于读取电压(VL)；检测级(30，32)，用于检测读取电压的偏置值(VL(t0))；以及积分器级(20)，具有耦合至浮置节点的测试电容器(28)，用于实现对放电元件中的放电电流(iL)与保持恒定处于偏置值的读取电压的积分运算，以及确定根据积分运算变化的放电元件的有效电阻值(RL')。
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公开(公告)号：CN108630682B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201710828035.8
申请日：2017-09-14
申请人： 意法半导体(克洛尔2)公司 , 意法半导体(鲁塞)公司
IPC分类号： H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L23/00
摘要： 本公开的实施例涉及集成的物理不可克隆功能设备及其制造方法。一种用于物理不可克隆功能的集成设备基于呈现阈值电压的随机分布的MOS晶体管集合，这例如起因于通过多晶硅层的注入，阈值电压由呈现不可预测的特征的掺杂物的横向注入而获得。特定数目的这些晶体管形成一组量规晶体管，其将使得定义平均栅源电压成为可能，这使得对这些晶体管的某些其他晶体管的栅极进行偏置成为可能(其将被用于定义由功能生成的唯一码的各个比特)。因此，所有这些晶体管呈现漏源电流的随机分布，并且与数字码的比特相关联的晶体管的每个漏源电流与对应于该分布的平均的参考电流的比较使得定义该比特为逻辑值0或1成为可能。
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公开(公告)号：CN107799474B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201710488773.2
申请日：2017-06-23
申请人： 意法半导体(克洛尔2)公司
IPC分类号： H01L23/00 , H01L23/498 , H01L21/48
摘要： 本公开涉及被保护免受后面攻击的芯片，例如，本公开涉及一种半导体芯片，该半导体芯片包括从前面到背面穿过该芯片的至少两个绝缘通孔(8)，其中，在该后面侧上，这些通孔连接至同一导电带(12)并且在该前面侧上，每个通孔通过电介质层(6)与导电焊盘(3，4)分离开。
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公开(公告)号：CN107545925A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201611201116.7
申请日：2016-12-22
申请人： 意法半导体(克洛尔2)公司 , 意法半导体(鲁塞)公司 , 意法半导体股份有限公司
摘要： 本申请涉及用于长时间常数电路级的读取电路和相应的读取方法。一种用于电荷保持电路级的读取电路，配备有：连接在第一偏置端子和浮置节点之间的存储电容器；以及连接在浮置节点和参考端子之间的放电元件，用于通过经由相应电介质的泄漏对存储在存储电容器中的电荷进行放电。读取电路还具有：运算放大器，其具有连接到浮置节点并接收读取电压的第一输入端子、接收参考电压的第二输入端子和在其上提供输出电压的输出端子，输出电压的值取决于读取电压和参考电压之间的比较并且指示存储电容器中的剩余电荷。在对用于提供输出电压的参考电压与读取电压之间进行比较之前，移位级移位浮置节点的读取电压的值。
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公开(公告)号：CN115132873A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210301458.5
申请日：2022-03-24
申请人： 意法半导体(克洛尔2)公司
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： 本公开的实施例涉及SPAD光电二极管。光电二极管形成在第一导电类型的半导体衬底中。该光电二极管包括具有基本半球形形状的第一区域，以及在第一区域内具有不同于第一导电类型的第二导电类型的基本半球形核心。外延层覆盖半导体衬底并埋置第一区域和核心。
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公开(公告)号：CN107544237B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201611228455.4
申请日：2016-12-27
申请人： 意法半导体(克洛尔2)公司 , 意法半导体(鲁塞)公司 , 意法半导体股份有限公司
IPC分类号： G04F13/00
摘要： 一种测试电路(19)，包括用于测量时间间隔的电荷保持电路级(1)，电荷保持电路级设置有：存储电容器(2)，连接在第一偏置端子(3a)与浮置节点(4)之间；以及放电元件(6)，连接在浮置节点(4)与参考端子(7)之间，用于通过穿过对应的电介质的泄漏对存储在存储电容器中的电荷放电。测试电路设想：偏置级(24)，用于将浮置节点偏置处于读取电压(VL)；检测级(30，32)，用于检测读取电压的偏置值(VL(t0))；以及积分器级(20)，具有耦合至浮置节点的测试电容器(28)，用于实现对放电元件中的放电电流(iL)与保持恒定处于偏置值的读取电压的积分运算，以及确定根据积分运算变化的放电元件的有效电阻值(RL')。
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公开(公告)号：CN108630682A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201710828035.8
申请日：2017-09-14
申请人： 意法半导体(克洛尔2)公司 , 意法半导体(鲁塞)公司
IPC分类号： H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L23/00
CPC分类号： H01L23/576 , G06F9/4403 , H01L21/26513 , H01L21/266 , H01L21/32055 , H01L21/823412 , H01L21/823418 , H01L21/823475 , H01L23/528 , H01L27/088 , H03K17/145 , H04L9/004 , H04L9/3278 , H04L2209/122
摘要： 本公开的实施例涉及集成的物理不可克隆功能设备及其制造方法。一种用于物理不可克隆功能的集成设备基于呈现阈值电压的随机分布的MOS晶体管集合，这例如起因于通过多晶硅层的注入，阈值电压由呈现不可预测的特征的掺杂物的横向注入而获得。特定数目的这些晶体管形成一组量规晶体管，其将使得定义平均栅源电压成为可能，这使得对这些晶体管的某些其他晶体管的栅极进行偏置成为可能(其将被用于定义由功能生成的唯一码的各个比特)。因此，所有这些晶体管呈现漏源电流的随机分布，并且与数字码的比特相关联的晶体管的每个漏源电流与对应于该分布的平均的参考电流的比较使得定义该比特为逻辑值0或1成为可能。
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公开(公告)号：CN107799474A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710488773.2
申请日：2017-06-23
申请人： 意法半导体(克洛尔2)公司
IPC分类号： H01L23/00 , H01L23/498 , H01L21/48
CPC分类号： H01L23/576 , H01L21/31111 , H01L21/76802 , H01L21/76831 , H01L21/76877 , H01L23/291 , H01L23/293 , H01L23/3171 , H01L23/481 , H01L23/49855 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/57 , H01L23/573 , H01L23/585 , H01L23/642 , H03K3/3565 , H01L21/486 , H01L23/49827 , H01L23/49838
摘要： 本公开涉及被保护免受后面攻击的芯片，例如，本公开涉及一种半导体芯片，该半导体芯片包括从前面到背面穿过该芯片的至少两个绝缘通孔(8)，其中，在该后面侧上，这些通孔连接至同一导电带(12)并且在该前面侧上，每个通孔通过电介质层(6)与导电焊盘(3，4)分离开。
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