公开(公告)号：CN107154387B

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201610962355.8

申请日：2016-10-28

申请人： 力成科技股份有限公司

发明人： 方立志 ,  张家彰 ,  徐宏欣 ,  张文雄 ,  鍾基伟 ,  连加雯

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/3114 ,  H01L21/56 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/15311

摘要： 本发明公开了一种具硅穿孔连续型态的晶圆级晶片尺寸封装构造及制造方法。该封装构造，主要包含装置晶片、贴合于装置晶片的载体晶片、保护盖片以及硅穿孔结构。一金属互连平行垫组合嵌埋于装置晶片中，偏移垫设置于装置晶片并连接至金属互连平行垫组合。间隔导体凸块接合于偏移垫上。间隔黏合层形成于装置晶片上并包覆间隔导体凸块。保护盖片压贴于间隔黏合层上。硅穿孔结构包含一贯穿孔以及一孔金属层，贯穿孔微偏心地对准偏移垫连续贯穿载体晶片与装置晶片，孔金属层形成于贯穿孔内并连接偏移垫，贯穿孔非中心对准于间隔导体凸块。保护层形成于载体晶片并覆盖贯穿孔。因此，借由偏移垫上间隔导体凸块，以确保硅穿孔结构的连续型态。

公开(公告)号：CN106409813B

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201510611270.0

申请日：2015-09-23

申请人： 美光科技公司

发明人： 管式凡 ,  罗翊仁

IPC分类号： H01L23/535 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L23/5386 ,  H01L21/52 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/522 ,  H01L23/525 ,  H01L23/562 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明公开了一种多元件封装体及其制造方法，该多元件封装体包含基板、至少两个元件区域、第一重布局层、外部晶片、多个第一连接件与导电接触。此两个元件区域是自基板形成，且基板具有相对的第一表面与第二表面。第一重布局层设置于第一表面上并电性连接至此两个元件区域，而外部晶片设置于第一重布局层上。此些第一连接件设置于第一重布局层与外部晶片之间，以连接第一重布局层与外部晶片。导电接触则自基板的第二表面朝第一表面延伸以电性连接元件区域。借此，本发明的多元件封装体及其制造方法，多元件封装体中的基板与元件区域之间不具有任何界面使元件区域能直接集成，降低元件区域断线或损坏的风险。

公开(公告)号：CN104916619B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201410444601.1

申请日：2014-09-03

申请人： 东芝存储器株式会社

发明人： 河崎一茂 ,  栗田洋一郎

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L25/18 ,  H01L21/563 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/03 ,  H01L24/09 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/73 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02317 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73251 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80862 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/014

摘要： 本发明提供一种可以降低贯通电极部分的寄生电容的半导体装置及其制造方法。第2芯片层叠在第1芯片的第1配线层侧。第2芯片包含：第2半导体层，具有与第1配线层对向的第2电路面、及第2电路面的相反侧的第2背面；第2配线层，设置在第2电路面并与第1芯片的第1配线层连接；及第2贯通电极，贯通第2半导体层而设置，并连接于第2配线层。第3芯片层叠在第2芯片的第2背面侧。第3芯片包含：第3半导体层，具有第3电路面、及与第2芯片对向的第3背面；第3配线层，设置在第3电路面；及第3贯通电极，贯通第3半导体层而设置，连接于第3配线层，并且利用凸块而连接于第2芯片的第2贯通电极。

公开(公告)号：CN106964917B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201610934617.X

申请日：2012-06-30

申请人： 千住金属工业株式会社

发明人： 山中芳恵 ,  立花贤 ,  吉川俊策 ,  野村光

IPC分类号： B23K35/26 ,  C22C13/00 ,  H05K3/34

CPC分类号： H01L24/13 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/0261 ,  B23K35/26 ,  B23K35/262 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  H01B1/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1301 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/2076 ,  H05K3/3457 ,  H05K2203/041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明提供一种模块基板，其具备接合有焊料球的电极，所述焊料球具有如下组成：Ag1.6～2.9质量％、Cu0.7～0.8质量％、Ni0.05～0.08质量％、余量Sn，所述模块基板通过使具有该焊料球的电极侧朝下并使所述焊料球与设置于印刷基板的焊膏一起熔融从而搭载于该印刷基板。

公开(公告)号：CN104779215B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201510018605.8

申请日：2015-01-14

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔允硕 ,  权赫万 ,  赵汊济 ,  赵泰济

IPC分类号： H01L23/12

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/071 ,  H01L25/074 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06134 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00

摘要： 本公开提供了一种堆叠式半导体封装件，该堆叠式半导体封装件由于堆叠在下芯片上的上半导体芯片的特征而使得对下半导体芯片的设计限制最小化。该堆叠式半导体封装件包括：下芯片，其具有设置有多个穿通电极的穿通电极区域；以及至少一个上芯片，其堆叠在下芯片上并且具有设置有对应于多个穿通电极的多个接合焊盘的焊盘区域。所述焊盘区域沿着将上芯片的有源表面二等分的中心轴线设置。设置上芯片的焊盘区域的中心轴线布置在从下芯片的有源表面在纵向上的中心轴线移位的位置。

公开(公告)号：CN109148409A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810684173.8

申请日：2018-06-27

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 柴田雅博 ,  德田大辅 ,  黑川敦 ,  德矢浩章 ,  梅本康成

IPC分类号： H01L23/498

CPC分类号： H01L24/14 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05086 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01082 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838

摘要： 本发明提供一种不依赖于焊料的涂敷量的控制而使凸块高度对齐的半导体芯片。半导体芯片具备：半导体基板，具有主面；第一电极，形成在半导体基板的主面上；第二电极，形成在半导体基板的主面上；第一绝缘层，形成在第一电极的一部分上；第一凸块，形成在第一电极的另一部分以及第一绝缘层上，并且与第一电极电连接；以及第二凸块，形成在第二电极上，并且在半导体基板的主面的俯视下具有比第一凸块的面积大的面积，通过第一绝缘层对半导体基板的主面的法线方向上的从半导体基板的主面到第一凸块的上表面的距离进行调整。

公开(公告)号：CN106098666B

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201610213046.0

申请日：2016-04-07

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 何彦仕 ,  张恕铭 ,  沈信隆

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/17 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/09 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06182 ,  H01L2224/08267 ,  H01L2224/08268 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16112 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16267 ,  H01L2224/16268 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81986 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014

摘要： 一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含一第一晶片与一第二晶片。第一晶片包含：一第一基板，具有相对的一第一表面与一第二表面；一第一无源元件，位于第一表面上；一第一保护层，覆盖第一无源元件，第一保护层还具有相对于该第一表面的一第三表面；以及一第一导电垫结构与一第二导电垫结构，位于第一保护层中，并电性连接至第一无源元件。第二晶片位于第三表面上，且具有一有源元件与一第二无源元件电性连接至有源元件，其中有源元件电性连接至第一导电垫结构。本发明不仅可节省大量的制程时间，且能降低已知电感元件的成本。

公开(公告)号：CN106067431B

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201610235850.9

申请日：2016-04-15

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 陈语同 ,  苏冠群 ,  许传进 ,  陈键辉 ,  叶晓岚 ,  何彦仕

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L21/561 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014

摘要： 一种晶圆涂布系统与晶片封装体的制备方法。该晶圆涂布系统包含一晶圆底座、一流动性绝缘材料喷洒装置以及一晶圆倾斜升降销。晶圆底座具有一承载部与一旋转部，承载部装设于旋转部上，并用以承载一晶圆，且旋转部用以相对于一预定轴旋转。流动性绝缘材料喷洒装置位于晶圆底座上方，用以喷洒一流动性绝缘材料至晶圆，而晶圆倾斜升降销设置使晶圆与重力方向夹一第一锐角。本发明不仅提升了晶片封装体的绝缘性，还能够避免后续形成的导电层产生断线。

公开(公告)号：CN105514084B

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201510645378.1

申请日：2015-10-08

申请人： 安世有限公司

发明人： 保罗·赫伊斯坎普 ,  霍德弗里德·亨克里斯·约瑟夫斯·诺特曼斯

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/60

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53257 ,  H01L24/05 ,  H01L27/0292 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05091 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明涉及包括金属化堆叠的半导体器件。金属化堆叠可包括第一金属化层与第二金属化层。第一金属化层可以通过两个或多个堆叠的金属间通孔而电连接到第二金属化层。

公开(公告)号：CN108807200A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810827595.6

申请日：2014-09-26

申请人： 英特尔公司

发明人： T·迈耶 ,  P·耶尔维能 ,  R·帕藤

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/488 ,  H01L25/065 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49 ,  H01L23/528 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L24/96 ,  H01L25/07 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/48235 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： 本申请公开了具有引线键合的多管芯堆叠的集成电路封装。本公开的实施例针对集成电路(IC)封装，包括至少部分内嵌于第一包封层中的第一管芯和至少部分内嵌于第二包封层的第二管芯。第一管芯可具有被置于第一包封层的第一侧边的多个第一管芯级互连结构。IC封装还可包括至少部分内嵌于第一包封层中，并被配置以在第一包封层的第一和第二侧边之间路由电气信号的多个电气路由特征。第二侧边可被置于第一侧边的对面。第二管芯可具有可与多个电气路由特征中的至少子集通过键合引线电气耦合的多个第二管芯级互连结构。