公开(公告)号：CN105514084B

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201510645378.1

申请日：2015-10-08

申请人： 安世有限公司

发明人： 保罗·赫伊斯坎普 ,  霍德弗里德·亨克里斯·约瑟夫斯·诺特曼斯

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/60

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53257 ,  H01L24/05 ,  H01L27/0292 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05091 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明涉及包括金属化堆叠的半导体器件。金属化堆叠可包括第一金属化层与第二金属化层。第一金属化层可以通过两个或多个堆叠的金属间通孔而电连接到第二金属化层。