公开(公告)号：CN105097564B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201410198249.8

申请日：2014-05-12

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 王奇峰

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01J37/32 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/50 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/81013 ,  H01L2224/81022 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00014

摘要： 一种芯片封装结构的处理方法。本发明采用O2或N2中的至少一种气体的等离子体轰击第一电连接结构、第二电连接结构及暴露所述第一电连接结构、第二电连接结构的绝缘层。上述轰击过程中，O2或N2所产生的等离子体会与沉积在绝缘层表面的金属阳离子反应生成金属原子或金属化合物，上述金属原子、金属化合物为电中性，因而与绝缘层之间无静电吸附，易于脱离绝缘层表面，且上述金属原子、金属化合物也不易反粘至绝缘层表面，对等离子体腔室抽真空即可将上述金属原子、金属化合物排出。

公开(公告)号：CN107689358A

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201710284396.0

申请日：2017-04-27

申请人： 胡迪群

发明人： 胡迪群

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H05K1/11

CPC分类号： H01L24/06 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03602 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16111 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/49838 ,  H05K1/111

摘要： 本发明涉及一种金属垫结构，第一金属垫和第二金属垫配置在封装基材的顶表面上；所述第一金属垫的顶表面与所述第二金属垫的顶表面呈现非平面配置；第一平整金属配置在所述第一金属垫的顶表面上；第二平整金属设置在所述第二金属垫的顶表面上；所述第一平整金属的顶表面与所述第二平整金属的顶表面呈现共平面配置。本发明在所述第一金属垫的顶面上配置有第一平整金属，并且在所述第二金属垫的顶面上配置第二平整金属；第一平整金属和第二平整金属的顶表面，呈现共平面结构，能有效克服不同材料间的热膨胀系数不匹配或是制程误差而导致封装基材弯曲，进而引起焊接不良的问题。本发明还公开了该金属垫结构的制造方法。

公开(公告)号：CN104143538B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201410181177.6

申请日：2014-04-30

申请人： 奇景光电股份有限公司

发明人： 林久顺

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L29/43 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13552 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01074

摘要： 本发明公开一种玻璃倒装接合结构，其包含位于金属焊垫上的护层、位于金属焊垫上又部分位于护层上的黏着层、部分位于凹穴中并覆盖黏着层的金属凸块、完全覆盖金属凸块的帽盖层、引脚层与玻璃层直接相连、与电连接帽盖层和引脚层的导电粒子层。

公开(公告)号：CN106992163A

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201610836377.X

申请日：2016-09-21

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郑志楷 ,  谢政杰 ,  黄诗雯

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L24/32 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0221 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05094 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/08054 ,  H01L2224/08059 ,  H01L2224/32113 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L24/13 ,  H01L23/481 ,  H01L2224/10125 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13012

摘要： 公开了一种具有防焊盘剥离结构的半导体器件。该半导体器件包括具有衬底穿孔(TSV)的半导体衬底；半导体衬底上且包括其中的多个凹槽的介电层；以及位于半导体衬底之上以覆盖介电层部分和延伸至凹槽的焊盘；其中，焊盘延伸至多个凹槽，以及在焊盘和导电层之间的凹槽中限制多个接触点，以及当自上向下角度看时，每个接触点至少部分地被排除在TSV的边界之外。本发明实施例涉及具有防焊盘剥离结构的半导体器件和相关方法。

公开(公告)号：CN103762285B

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201310374241.8

申请日：2013-08-23

申请人： IMEC公司

发明人： P·索萨 ,  张文奇 ,  S·阿米尼

IPC分类号： H01L33/02 ,  H01L33/00 ,  H01S5/343 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/10135 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 本申请公开了用于基板的自组装的方法和依此获得的设备。公开了一种在基板上定义具有不同表面液体张力属性的区域的方法，所述方法包括：提供基板，该基板带有具有第一表面液体张力属性的主表面，该主表面至少部分地覆盖有籽晶层，且还包括形成于所述籽晶层上的至少一个微凸块，藉此将部分籽晶层暴露在外；图案化所暴露的籽晶层，藉此暴露出部分主表面，用于形成封围主表面的区域的至少一个闭环结构；以及化学处理晶片的主表面，藉此在所述至少一个闭环结构和至少一个凸块的表面上生成第二表面液体张力属性，该第二表面液体张力属性显著不同于所述主表面的第一表面液体张力属性。

公开(公告)号：CN106158760A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610313065.0

申请日：2016-05-12

申请人： 艾马克科技公司

发明人： 朴孙杉 ,  郑季洋 ,  贝瑞·克里斯托佛

IPC分类号： H01L23/04 ,  H01L23/13 ,  G06K9/00

CPC分类号： H01L23/053 ,  B81C3/00 ,  G06K9/00013 ,  G06K9/00053 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27622 ,  H01L2224/2784 ,  H01L2224/29006 ,  H01L2224/29007 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/8146 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/81466 ,  H01L2224/81471 ,  H01L2224/81484 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/114 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/069 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012 ,  H01L23/04 ,  G06K9/00006 ,  H01L23/13

摘要： 一种指纹感测器装置和一种制作指纹感测器装置的方法。作为非限制性实例，本发明的各种方面提供各种指纹感测器装置及其制造方法，所述指纹感测器装置包括在裸片的底面上的感测区域，其不具有从顶面感测指纹的顶面电极，和/或所述指纹感测器装置包括直接电连接到板的导电元件的感测器裸片，其中通过所述板感测指纹。

公开(公告)号：CN103531492B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201210382930.9

申请日：2012-10-10

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 刘丙寅 ,  林诗玮 ,  黄信华 ,  赵兰璘 ,  蔡嘉雄

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/80 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/27 ,  H01L24/74 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/02215 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/80004 ,  H01L2224/80007 ,  H01L2224/8001 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80014 ,  H01L2224/80065 ,  H01L2224/80075 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80121 ,  H01L2224/80136 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/83889 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/351 ,  Y10T156/15 ,  Y10T156/1744 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了用于半导体晶圆的混合接合系统和方法。在一个实施例中，用于半导体晶圆的混合接合系统包括室和多个设置在该室内的副室。机械夹持器设置在该室内，适用于在多个副室之间移动室内的多个半导体晶圆。多个副室包括：适用于从多个半导体晶圆去除保护层的第一副室，以及适用于在将多个半导体晶圆混合接合在一起之前激活多个半导体晶圆的顶面的第二副室。多个副室还包括适用于对准多个半导体晶圆和将多个半导体晶圆混合接合在一起的第三副室。

公开(公告)号：CN105633046A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201510809687.8

申请日：2015-11-20

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 柳承官 ,  沈锺辅 ,  安殷彻 ,  赵泰济

IPC分类号： H01L23/488

CPC分类号： H01L24/14 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/09517 ,  H01L2224/09519 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/14104 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2224/17519 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L23/488 ,  H01L2224/17104

摘要： 提供了半导体装置和包括该半导体装置的半导体封装。半导体装置可以包括半导体基底、在半导体基底上的导电垫、覆在半导体基底上并暴露导电垫的钝化层以及凸点结构。凸点结构可以包括导电垫上的第一凸点结构和钝化层上的第二凸点结构。第一凸点结构可以包括顺序地堆叠在导电垫上的基体凸点层、第一柱状凸点层和第一焊料凸点层。第二凸点结构可以包括顺序地堆叠在钝化层上的第二柱状凸点层和第二焊料凸点层。

公开(公告)号：CN105609438A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201610087254.0

申请日：2016-02-16

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 陈宏 ,  曹子贵 ,  王卉 ,  徐涛

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/05075

摘要： 一种焊盘形成方法，包括：提供具有顶层金属结构的衬底；在所述顶层金属结构上形成阻挡层；在所述阻挡层层上形成氧化物层；在所述氧化物层上形成钝化层；刻蚀所述钝化层、所述氧化物层和所述阻挡层，直至形成焊盘开口，被所述焊盘开口暴露的所述顶层金属结构成为焊盘；刻蚀所述氧化物层包括第一主刻蚀和第一过刻蚀；刻蚀所述阻挡层包括第二主刻蚀和第二过刻蚀。所述焊盘形成方法提高所形成焊盘的导电性能和外观质量。

公开(公告)号：CN105144359A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480014639.3

申请日：2014-02-20

申请人： 甲骨文国际公司

发明人： H·D·塞科 ,  A·V·克里什纳莫西 ,  J·E·坎宁安 ,  张朝齐

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  B23K3/06 ,  H01L21/02 ,  H01L25/065 ,  H01L21/56 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L24/14 ,  B23K3/0623 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/296 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/74 ,  H01L24/81 ,  H01L24/98 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/11005 ,  H01L2224/11013 ,  H01L2224/11015 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13561 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13686 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2224/742 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2224/05552

摘要： 描述了多芯片模块(MCM)。这种MCM包括至少两个基板，其中基板通过基板的面对的表面上的阳性特征和阴性特征机械耦合并对准。这些阳性特征和阴性特征可以彼此配对并自锁定。阳性特征可以利用阴性特征中的亲水层自填充到至少一个基板上的阴性特征中。这种亲水层可以结合包围至少一个基板的顶表面上的阴性特征的疏水层来使用。