公开(公告)号：CN105633046A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201510809687.8

申请日：2015-11-20

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 柳承官 ,  沈锺辅 ,  安殷彻 ,  赵泰济

IPC分类号： H01L23/488

CPC分类号： H01L24/14 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/09517 ,  H01L2224/09519 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/14104 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2224/17519 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L23/488 ,  H01L2224/17104

摘要： 提供了半导体装置和包括该半导体装置的半导体封装。半导体装置可以包括半导体基底、在半导体基底上的导电垫、覆在半导体基底上并暴露导电垫的钝化层以及凸点结构。凸点结构可以包括导电垫上的第一凸点结构和钝化层上的第二凸点结构。第一凸点结构可以包括顺序地堆叠在导电垫上的基体凸点层、第一柱状凸点层和第一焊料凸点层。第二凸点结构可以包括顺序地堆叠在钝化层上的第二柱状凸点层和第二焊料凸点层。

公开(公告)号：CN101369561A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200810129775.3

申请日：2008-08-18

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金坪完 ,  安殷彻 ,  李种昊 ,  李泽勋 ,  张喆容

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49816 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/10977 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明提供了一种半导体芯片封装件、电子装置及其制造方法。所述半导体芯片封装件包括：半导体芯片，包括具有键合焊盘的第一表面、面向第一表面的第二表面和侧壁；模制延伸部分，围绕半导体芯片的第二表面和侧壁；再分布图案，从键合焊盘延伸到模制延伸部分上，并电连接到键合焊盘；凸点焊球，位于再分布图案上；模制层，被构造为覆盖半导体芯片的第一表面和模制延伸部分，同时暴露每个凸点焊球的一部分。模制层在彼此相邻的凸点焊球之间具有凹月牙表面。

公开(公告)号：CN103855133B

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201310646036.2

申请日：2013-12-04

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 赵文祺 ,  安殷彻 ,  金相荣 ,  辛周源 ,  李旼镐

IPC分类号： H01L23/62

摘要： 本发明公开了具有熔丝图案的半导体器件，该半导体器件通过防止经由修复工序切断的熔丝由于电化迁移而重新电连接来提高可靠性。该半导体器件包括：衬底；熔丝，所述熔丝包括第一熔丝图案和第二熔丝图案，所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案形成在所述衬底上并位于相同水平面上，并且所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案以第一宽度彼此间隔开，使得所述熔丝中的间隙位于所述第一熔丝图案与所述第二熔丝图案之间的第一位置；以及第一绝缘层，所述第一绝缘层形成在所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案上，所述第一绝缘层包括开口，所述开口位于所述第一位置上方并具有小于所述第一宽度的第二宽度。

公开(公告)号：CN103855133A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310646036.2

申请日：2013-12-04

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 赵文祺 ,  安殷彻 ,  金相荣 ,  辛周源 ,  李旼镐

IPC分类号： H01L23/62

摘要： 本发明公开了具有熔丝图案的半导体器件，该半导体器件通过防止经由修复工序切断的熔丝由于电化迁移而重新电连接来提高可靠性。该半导体器件包括：衬底；熔丝，所述熔丝包括第一熔丝图案和第二熔丝图案，所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案形成在所述衬底上并位于相同水平面上，并且所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案以第一宽度彼此间隔开，使得所述熔丝中的间隙位于所述第一熔丝图案与所述第二熔丝图案之间的第一位置；以及第一绝缘层，所述第一绝缘层形成在所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案上，所述第一绝缘层包括开口，所述开口位于所述第一位置上方并具有小于所述第一宽度的第二宽度。

公开(公告)号：CN102034780B

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201010502594.8

申请日：2010-10-08

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴辰遇 ,  安殷彻 ,  申东吉 ,  姜善远 ,  李种昊

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L24/06 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05011 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明公开了一种集成电路芯片、具有该芯片的倒装芯片封装和其制造方法。在集成电路(IC)芯片、具有该芯片的倒装芯片封装中，没有设置引线线路，第一电极焊盘不接触IC芯片的焊盘区域的引线线路。因此，第一凸块结构接触第一电极焊盘而不管焊盘区域中的引线线路如何。第二电极焊盘接触IC芯片的伪焊盘区域中的引线线路。因此，伪焊盘区域中的第二凸块结构在与第二电极焊盘下面的引线线路隔开的接触点接触第二电极焊盘的上表面。

公开(公告)号：CN103208432A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201310011553.2

申请日：2013-01-11

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 任忠彬 ,  安殷彻 ,  朴泰成 ,  边鹤均 ,  李镕官

IPC分类号： H01L21/58 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/105 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2224/83

摘要： 可以提供制造层叠封装器件的方法以及通过该方法制造的层叠封装器件。根据本发明构思，可以在通过模制层模制半导体芯片之后，执行半导体芯片的背部研磨至目标厚度。因此，在形成模制层时，半导体芯片相对较厚，因而不易产生翘起现象，该翘起现象例如会在形成模制层期间产生。因而，可以实现相对薄的层叠封装器件，其不易产生翘起现象。

公开(公告)号：CN102194768B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201110065917.6

申请日：2011-03-08

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴辰遇 ,  林桓植 ,  安殷彻

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/563 ,  H01L23/48 ,  H01L23/58 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明公开了一种基底、一种封装基底、一种具有该封装基底的半导体封装件和一种制造该半导体封装件的方法。半导体封装件包括半导体芯片、封装基底和模制层。封装基底提供安装半导体芯片的区域。模制层被构造成模制半导体芯片。封装基底包括第一开口部，第一开口部提供电连接到半导体芯片的开口区域并延伸超过半导体芯片的侧面以电连接到半导体芯片。

公开(公告)号：CN102194768A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110065917.6

申请日：2011-03-08

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴辰遇 ,  林桓植 ,  安殷彻

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/563 ,  H01L23/48 ,  H01L23/58 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明公开了一种基底、一种封装基底、一种具有该封装基底的半导体封装件和一种制造该半导体封装件的方法。半导体封装件包括半导体芯片、封装基底和模制层。封装基底提供安装半导体芯片的区域。模制层被构造成模制半导体芯片。封装基底包括第一开口部，第一开口部提供电连接到半导体芯片的开口区域并延伸超过半导体芯片的侧面以电连接到半导体芯片。

公开(公告)号：CN102034780A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010502594.8

申请日：2010-10-08

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴辰遇 ,  安殷彻 ,  申东吉 ,  姜善远 ,  李种昊

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L24/06 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05011 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明公开了一种集成电路芯片、具有该芯片的倒装芯片封装和其制造方法。在集成电路(IC)芯片、具有该芯片的倒装芯片封装中，没有设置引线线路，第一电极焊盘不接触IC芯片的焊盘区域的引线线路。因此，第一凸块结构接触第一电极焊盘而不管焊盘区域中的引线线路如何。第二电极焊盘接触IC芯片的伪焊盘区域中的引线线路。因此，伪焊盘区域中的第二凸块结构在与第二电极焊盘下面的引线线路隔开的接触点接触第二电极焊盘的上表面。