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公开(公告)号：CN108962856B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201810132860.9
申请日：2018-02-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488
Abstract: 一种半导体存储器芯片包括高位数据焊盘区域、低位数据焊盘区域和附加焊盘区域。高位数据焊盘、高位数据选通信号对焊盘和高位数据屏蔽信号焊盘被布置在高位数据焊盘区域中。低位数据焊盘、低位数据选通信号对焊盘和低位数据屏蔽信号焊盘被布置在邻近高位数据焊盘区域且在其下方的低位数据焊盘区域中。用于第二半导体存储器封装并在内部连接到用于第一半导体存储器封装的高位数据屏蔽信号焊盘的反转的终止数据选通信号焊盘，被布置在邻近高位数据焊盘区域并在其上方的附加焊盘区域中。
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公开(公告)号：CN110875291A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910731355.0
申请日：2019-08-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L25/18 , H01L23/498 , H01L21/98
Abstract: 提供了基板组件、半导体封装件以及制造该半导体封装件的方法。所述半导体封装件包括基板、位于所述基板上的第一半导体芯片、位于所述第一半导体芯片上的第二半导体芯片和连接结构。所述第二半导体芯片包括向外突出超过所述第一半导体芯片的一侧的第一节段和位于所述第二半导体芯片的所述第一节段的底表面上的第二连接焊盘。所述连接结构包括位于所述基板与所述第二半导体芯片的所述第一节段之间的第一结构和穿过所述第一结构以与所述基板接触且设置在所述第二连接焊盘与所述基板之间的第一柱状导体，从而将所述第二半导体芯片电连接到所述基板。
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公开(公告)号：CN109148398A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810577543.8
申请日：2018-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/522 , H01L23/528
CPC classification number: H01L25/16 , H01L23/481 , H01L23/5223 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L2224/0603 , H01L2224/06051 , H01L2224/0616 , H01L2224/08265 , H01L2224/13025 , H01L2224/13101 , H01L2224/1412 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/17181 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311 , H01L2924/19041 , H01L2924/19104 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L23/522 , H01L23/48 , H01L23/528
Abstract: 公开了一种半导体封装，包括：半导体芯片；在半导体芯片上的第一外部电容器，包括第一电极和第二电极；在半导体芯片上的第二外部电容器，包括第一电极图案和第二电极图案；以及在半导体芯片上的导电图案，电连接到第一外部电容器的第一电极和第二外部电容器的第一电极图案。第一外部电容器的第二电极与第二外部电容器的第二电极图案绝缘。
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公开(公告)号：CN106684063A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201610972127.9
申请日：2016-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/58
CPC classification number: H01L24/02 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L2224/0233 , H01L2224/0235 , H01L2224/02373 , H01L2224/02375 , H01L2224/02379 , H01L2224/02381 , H01L2224/32225 , H01L2224/45147 , H01L2224/4824 , H01L2224/73215 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L24/06 , H01L23/585 , H01L24/09 , H01L24/17 , H01L2224/0401 , H01L2224/0603 , H01L2224/06102 , H01L2224/09103
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件和包括半导体器件的半导体封装件。所述半导体器件包括：半导体芯片主体，其包括顶表面上的第一芯片焊盘；钝化膜，其布置在半导体芯片主体上；以及第一再分布层，其布置在钝化膜与半导体芯片主体之间，利用开口暴露出至少部分地与第一芯片焊盘重叠的第一芯片中心焊盘区、连接至第一芯片中心焊盘区的第一再分布中心焊盘区以及通过钝化膜与第一再分布中心焊盘区间隔开的第一边缘焊盘区，其中，第一芯片中心焊盘区的顶表面和第一再分布中心焊盘区的顶表面不布置在相同平面上。
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公开(公告)号：CN109148398B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN201810577543.8
申请日：2018-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 公开了一种半导体封装，包括：半导体芯片；在半导体芯片上的第一外部电容器，包括第一电极和第二电极；在半导体芯片上的第二外部电容器，包括第一电极图案和第二电极图案；以及在半导体芯片上的导电图案，电连接到第一外部电容器的第一电极和第二外部电容器的第一电极图案。第一外部电容器的第二电极与第二外部电容器的第二电极图案绝缘。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103035622B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201210380798.8
申请日：2012-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/58 , H01L23/64 , G11C11/4063
CPC classification number: H01L23/642 , G11C11/4074 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种包括功率噪声降低的电压生成电路的半导体芯片封装件。所述半导体芯片封装件消除和最小化从半导体芯片封装件中的电压生成电路产生的功率噪声，所述半导体芯片封装件包括：集成电路芯片，具有电压生成电路和连接端子，其中，所述电压生成电路接收外部电压以生成用于内部电路的电源电压，所述连接端子连接到所述电压生成电路的输出节点；安装基底，包括电连接到所述连接端子以降低电源电压的功率噪声的噪声消除器，所述安装基底用于安装所述集成电路芯片以将所述集成电路芯片封装为半导体芯片封装件。
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公开(公告)号：CN102034780A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010502594.8
申请日：2010-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L21/768
CPC classification number: H01L24/06 , H01L23/49816 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L24/13 , H01L2224/02125 , H01L2224/03464 , H01L2224/0401 , H01L2224/05011 , H01L2224/05018 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05556 , H01L2224/05558 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/05655 , H01L2224/06051 , H01L2224/13018 , H01L2224/13022 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/13116 , H01L2224/1403 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/73204 , H01L2924/00013 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/00014 , H01L2924/0105 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2224/05552 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种集成电路芯片、具有该芯片的倒装芯片封装和其制造方法。在集成电路(IC)芯片、具有该芯片的倒装芯片封装中，没有设置引线线路，第一电极焊盘不接触IC芯片的焊盘区域的引线线路。因此，第一凸块结构接触第一电极焊盘而不管焊盘区域中的引线线路如何。第二电极焊盘接触IC芯片的伪焊盘区域中的引线线路。因此，伪焊盘区域中的第二凸块结构在与第二电极焊盘下面的引线线路隔开的接触点接触第二电极焊盘的上表面。
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公开(公告)号：CN101425508A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810131010.3
申请日：2008-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L2224/05573 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/15311
Abstract: 芯片堆叠封装包括利用粘着层作为中间媒介堆叠的多个芯片和穿过芯片形成以电连接芯片的贯通电极。贯通电极分作电源贯通电极、接地贯通电极或信号传递贯通电极。电源贯通电极和接地贯通电极由第一材料形成，例如铜，并且信号传递贯通电极由第二材料形成，例如掺杂有杂质的多晶硅。不考虑其电阻率，信号传递贯通电极可具有直径小于电源贯通电极和接地贯通电极横截面直径的横截面。
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公开(公告)号：CN101308842A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810127793.8
申请日：2008-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L25/18 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0554 , H01L2224/05573 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 本发明公开了一种堆叠封装及其制造方法以及具有该堆叠封装的存储卡。具体地，该堆叠封装包括印刷电路板(PCB)、多个半导体芯片、插头和控制器。半导体芯片顺次堆叠在PCB上。插头将各个半导体芯片电连接到PCB。控制器设置在任一半导体芯片中。控制器电耦合到插头。从而，控制器可以通过分离工艺装入半导体芯片中，因此在接合控制器的工艺中产生的机械冲击不会施加给半导体芯片。而且，可以降低在形成保护件的工艺中产生的施加给控制器的机械冲击。
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公开(公告)号：CN114664787A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202111152196.2
申请日：2021-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/525
Abstract: 公开了一种半导体封装件，其包括：半导体芯片，所述半导体芯片包括位于所述半导体芯片的一个表面上的芯片焊盘；再分布图案，所述再分布图案位于所述半导体芯片的所述一个表面上并且电连接至所述芯片焊盘；以及光敏介电层，所述光敏介电层位于所述半导体芯片与所述再分布图案之间。所述光敏介电层可以与所述再分布图案物理接触。所述再分布图案包括信号再分布图案、接地再分布图案和电力再分布图案。所述芯片焊盘与所述信号再分布图案之间的垂直距离可以大于所述信号再分布图案的宽度。
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