公开(公告)号：CN118044342A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202280065797.6

申请日：2022-09-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李永善 ,  金度贤 ,  金炳杰 ,  金珍洙 ,  朴锡俊 ,  方正济 ,  徐浩然 ,  李钟范 ,  全钟旻

IPC: H05K3/36 ,  H05K1/11

Abstract: 根据各种实施例，一种包括热固性接合片的电子装置可以包括：基底基板(31)，包括基底基板主体和设置在基底基板主体上的多个基底焊盘；连接基板(34)，包括面对基底基板主体的连接基板主体、设置在连接基板主体上并具有焊盘孔的多个连接焊盘以及设置在连接基板主体上并连接到所述多个连接焊盘的多条连接线；焊料(32)，设置在基底焊盘上，至少部分地插入到焊盘孔中，并电连接基底焊盘和连接焊盘；以及热固性接合片(33)，提供在基底基板主体和连接基板主体之间，接合到基底基板主体和连接基板主体中的每个，并围绕焊料。各种其它实施例是可能的。

公开(公告)号：CN110875291A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910731355.0

申请日：2019-08-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金度贤 ,  吴琼硕 ,  姜善远

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H01L23/498 ,  H01L21/98

Abstract: 提供了基板组件、半导体封装件以及制造该半导体封装件的方法。所述半导体封装件包括基板、位于所述基板上的第一半导体芯片、位于所述第一半导体芯片上的第二半导体芯片和连接结构。所述第二半导体芯片包括向外突出超过所述第一半导体芯片的一侧的第一节段和位于所述第二半导体芯片的所述第一节段的底表面上的第二连接焊盘。所述连接结构包括位于所述基板与所述第二半导体芯片的所述第一节段之间的第一结构和穿过所述第一结构以与所述基板接触且设置在所述第二连接焊盘与所述基板之间的第一柱状导体，从而将所述第二半导体芯片电连接到所述基板。

公开(公告)号：CN101750822A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910258383.1

申请日：2009-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金度贤 ,  郑钟铉 ,  崔永柱 ,  朴弘植 ,  印泰炯 ,  李东勋 ,  尹弼相 ,  朴帝亨 ,  郑敞午 ,  李制勋 ,  洪瑄英 ,  金俸均 ,  李炳珍 ,  徐南锡

IPC: G02F1/1362 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/133302 ,  G02F2001/136295

Abstract: 本发明提供一种显示基板及其制造方法，该显示基板包括：底基板；设置在底基板下表面上的形变防止层，其中形变防止层向底基板施加防止底基板弯曲的力；设置在底基板上表面上的栅极线；设置在底基板上的数据线；以及设置在底基板上的像素电极。

公开(公告)号：CN101051644A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200710096764.5

申请日：2007-04-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宁洪龙 ,  郑敞午 ,  李制勋 ,  金度贤 ,  赵成宪 ,  宋基镕 ,  卢昌镐

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295

Abstract: 本发明公开了一种TFT基板及其制造方法。该方法包括在绝缘基板上形成栅极线和数据线。数据线与栅极线相交且与栅极线绝缘。栅极线、数据线、或栅极线和数据线二者的形成包括利用无电镀方法在基体图案上形成低电阻导电图案。

公开(公告)号：CN110875291B

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN201910731355.0

申请日：2019-08-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金度贤 ,  吴琼硕 ,  姜善远

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H01L23/498 ,  H01L21/98

Abstract: 提供了基板组件、半导体封装件以及制造该半导体封装件的方法。所述半导体封装件包括基板、位于所述基板上的第一半导体芯片、位于所述第一半导体芯片上的第二半导体芯片和连接结构。所述第二半导体芯片包括向外突出超过所述第一半导体芯片的一侧的第一节段和位于所述第二半导体芯片的所述第一节段的底表面上的第二连接焊盘。所述连接结构包括位于所述基板与所述第二半导体芯片的所述第一节段之间的第一结构和穿过所述第一结构以与所述基板接触且设置在所述第二连接焊盘与所述基板之间的第一柱状导体，从而将所述第二半导体芯片电连接到所述基板。

公开(公告)号：CN102832253A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210194975.3

申请日：2012-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵圣行 ,  朴在佑 ,  金度贤

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极电极、栅极绝缘层、在栅极绝缘层上的氧化物半导体层、位于氧化物半导体层上并彼此隔开的漏极电极和源极电极。所述漏极电极包括在氧化物半导体层上的第一漏极子电极和在第一漏极子电极上的第二漏极子电极。所述源极电极包括在氧化物半导体层上的第一源极子电极和在第一源极子电极上的第二源极子电极。第一漏极子电极和第一源极子电极包括镓锌氧化物(GaZnO)，第二源极子电极和第二漏极子电极包括金属原子。

公开(公告)号：CN101359693A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200810161179.3

申请日：2008-06-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李制勋 ,  金度贤 ,  李殷国 ,  郑敞午

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明提供薄膜晶体管，包括：半导体图案、源极和漏极电极及栅极电极，在基础基板上形成半导体图案，并且该半导体图案包括金属氧化物。在该半导体图案上形成源极和漏极电极，使得该源极和漏极电极彼此空间分离，并且该源极和漏极电极的轮廓基本上与半导体图案的轮廓相同。在源极和漏极电极之间的区域中设置栅极电极，使得栅极电极的部分与源极和漏极电极重叠。因此，光引起的漏电流被最小化。结果，提高了薄膜晶体管的特性，减少了残留图像以提高显示质量，并提高了制造工艺的稳定性。本发明还提供阵列基板及其制造方法。

公开(公告)号：CN101226901A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200710300775.0

申请日：2007-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李殷国 ,  金度贤 ,  郑敞午 ,  李制勋 ,  林淳权

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L27/12 ,  H01L23/532 ,  H01L29/786 ,  H01L29/43 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管基板及其制造方法。制造薄膜晶体管基板的方法包括在基板上形成包括栅极线、栅电极和下部栅极垫片电极的第一导电图形组，在其上形成有该第一导电图形组的基板上形成栅极绝缘层，在该栅极绝缘层上形成与该栅电极重叠的氧化物半导体图形，以及在其上形成有该氧化物半导体图形的基板上形成第一导电层和第二导电层，并且图形化该第一导电层和第二导电层以形成第二导电图形组，其包括数据线、源电极、漏电极和数据垫片。

公开(公告)号：CN1964067A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200610138550.5

申请日：2006-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李制勋 ,  金时烈 ,  金度贤 ,  金炳范 ,  郑敞午 ,  李埈泳 ,  裵良浩 ,  康盛旭

IPC: H01L29/43 ,  H01L29/786 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L29/458 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124 ,  H01L29/4908 ,  Y10T428/12903

Abstract: 本发明公开了一种含有能够被蚀刻的铜以具有可靠轮廓的导电结构，其中，铜层不被腐蚀或氧化，该导电结构包括形成于绝缘或半导体基板上的屏障层以及随后的铜层、阻挡层和覆盖层。铜层包含铜或铜合金。屏障层包含钼(Mo)、氮化钼(MoN)、或钼合金(包括MoW、MoTi、MoNb或MoZr中的至少一种)。阻挡层包含氮化铜、氧化铜或氮氧化铜。覆盖层包含钼、氮化钼(MoN)或钼合金(包括MoW、MoTi、MoNb和MoZr中的至少一种)。

公开(公告)号：CN118567549A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202311534300.3

申请日：2023-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金度贤 ,  孙弘乐 ,  张宰薰 ,  徐万根 ,  宋庸镐

IPC: G06F3/06 ,  G06F1/3234

Abstract: 本公开提供了管理存储系统的存储器的方法和装置。在一些实施例中，存储系统的控制器包括：存储程序的存储器，以及处理器，所述处理器被配置为执行所述程序以确定存储在所述存储器中的数据的类型是第一数据类型还是第二数据类型，基于存储在存储器中的数据是第一数据类型的第一确定，将存储在存储器中的数据的报头存储在存储器中，基于存储在存储器中的数据是第二数据类型的第二确定，压缩存储在存储器中的数据，并且根据数据的报头和被压缩的数据中的至少一者已经存储在存储器中来将存储器断电。