公开(公告)号：CN102486917A

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN201110385428.9

申请日：2011-11-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵良浩 ,  徐五成 ,  朴帝亨 ,  金湘甲

IPC: G09G3/36 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/13439 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295

Abstract: 本发明公开显示装置及其制造方法。显示装置包括：第一绝缘基板；第二绝缘基板，面对第一绝缘基板；多个像素，设置在第一绝缘基板上，均包括：栅电极，设置于第一绝缘基板上；栅极绝缘层，设于第一绝缘基板上以覆盖栅电极；半导体图案，设置于栅极绝缘层上以与栅电极重叠；源电极，设于半导体图案上；漏电极，设于半导体图案上以与源电极隔开；透明像素电极，包括第一像素电极和第二像素电极，第一像素电极设于栅极绝缘层上并且部分地与漏电极接触，第二像素电极覆盖第一像素电极；公共电极，设置于第一绝缘基板或第二绝缘基板上以与像素电极一起形成电场，第一像素电极包括至少包含铟的导电金属氧化物层，第二像素电极包括不包含铟的导电金属氧化物层。

公开(公告)号：CN102191467A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110034991.1

申请日：2011-02-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柄范 ,  朴帝亨 ,  尹在亨 ,  宋溱镐 ,  金钟仁

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/18 ,  H01L23/532 ,  H01L29/786 ,  H01L29/45 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/124 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01L23/4827 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及金属布线、薄膜制造方法、TFT阵列面板及其制造方法。一种根据本发明示例性实施例的形成薄膜的方法包括以范围在大约1.5W/cm2至大约3W/cm2的功率密度以及以范围在大约0.2Pa至大约0.3Pa的惰性气体的压力形成薄膜。即使当该阻挡层比许多传统的阻挡层薄时，该工艺也获得了防止不期望的来自相邻层的扩散的非晶金属薄膜阻挡层。

公开(公告)号：CN102104049A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN201010570119.4

申请日：2010-12-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋溱镐 ,  崔新逸 ,  洪瑄英 ,  金时烈 ,  李基晔 ,  尹在亨 ,  金成烈 ,  徐五成 ,  裴良浩 ,  郑钟铉 ,  杨东周 ,  金俸均 ,  吴和烈 ,  洪泌荀 ,  金柄范 ,  朴帝亨 ,  丁有光 ,  金钟仁 ,  徐南锡

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/49 ,  H01L23/52 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/458 ,  H01L29/78669

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。薄膜晶体管阵列面板包括：栅极线；栅极绝缘层，覆盖栅极线；半导体层，设置在栅极绝缘层上；数据线和漏极，设置在半导体层上；钝化层，覆盖数据线和漏极，并具有暴露漏极的一部分的接触孔；像素电极，通过接触孔电连接到漏极。数据线和漏极均具有包括钛的下层和铜的上层的双层，下层比上层宽，且下层具有暴露的区域。栅极绝缘层可具有台阶形状。

公开(公告)号：CN101750822A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910258383.1

申请日：2009-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金度贤 ,  郑钟铉 ,  崔永柱 ,  朴弘植 ,  印泰炯 ,  李东勋 ,  尹弼相 ,  朴帝亨 ,  郑敞午 ,  李制勋 ,  洪瑄英 ,  金俸均 ,  李炳珍 ,  徐南锡

IPC: G02F1/1362 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/133302 ,  G02F2001/136295

Abstract: 本发明提供一种显示基板及其制造方法，该显示基板包括：底基板；设置在底基板下表面上的形变防止层，其中形变防止层向底基板施加防止底基板弯曲的力；设置在底基板上表面上的栅极线；设置在底基板上的数据线；以及设置在底基板上的像素电极。

公开(公告)号：CN1273250C

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200410035216.8

申请日：2004-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金纯澔 ,  崔在荣 ,  金渡炅 ,  朴帝亨

IPC: B22F9/24 ,  C22B23/00 ,  H01B1/22 ,  H01G4/00

CPC classification number: H01G4/008 ,  B22F9/24 ,  B22F2998/00 ,  H01G4/012 ,  H01G4/30 ,  B22F1/0018

Abstract: 提供一种制备能降低金属镍粉中的碱金属含量的金属镍粉的方法，一种碱金属含量低的金属镍粉，碱金属含量低的金属镍粉的导电膏，含有碱金属含量低的镍内电极的多层陶瓷电容器(MLCC)。制备金属镍粉末的方法包括，加热含有机碱、镍前体化合物和多羟基化合物的混合物。其中，通过有机碱和多羟基化合物的还原将镍前体化合物转化为金属镍粉。在方法中，用有机碱而不是碱金属的氢氧化物如NaOH和KOH。因此，可以显著降低作为杂质引入金属镍粉中的碱金属如钠和钾的含量。

公开(公告)号：CN1539581A

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN200410035216.8

申请日：2004-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金纯澔 ,  崔在荣 ,  金渡炅 ,  朴帝亨

IPC: B22F9/24 ,  C22B23/00 ,  H01B1/22 ,  H01G4/00

CPC classification number: H01G4/008 ,  B22F9/24 ,  B22F2998/00 ,  H01G4/012 ,  H01G4/30 ,  B22F1/0018

Abstract: 提供一种制备能降低金属镍粉中的碱金属含量的金属镍粉的方法，一种碱金属含量低的金属镍粉，碱金属含量低的金属镍粉的导电膏，含有碱金属含量低的镍内电极的多层陶瓷电容器(MLCC)。制备金属镍粉末的方法包括，加热含有机碱、镍前体化合物和多羟基化合物的混合物。其中，通过有机碱和多羟基化合物的还原将镍前体化合物转化为金属镍粉。在方法中，用有机碱而不是碱金属的氢氧化物如NaOH和KOH。因此，可以显著降低作为杂质引入金属镍粉中的碱金属如钠和钾的含量。