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公开(公告)号：CN102347274A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110217498.3
申请日：2011-08-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/77 , H01L21/3213 , H01L21/321 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L21/32138 , H01L27/1214 , H01L27/1255 , H01L29/458
Abstract: 本发明涉及制造薄膜晶体管阵列面板的方法及减少杂质缺陷的方法。一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法包括：形成栅线；在栅线上形成绝缘层；形成第一硅层、第二硅层、第一金属层和第二金属层；形成具有第一部分和第二部分的光致抗蚀剂图案；通过蚀刻第一金属层和第二金属层来形成第一金属图案和第二金属图案；用SF6或SF6/He处理第一金属图案；通过蚀刻第二硅层和第一硅层来形成硅图案和半导体图案；去除光致抗蚀剂图案的第一部分；通过湿蚀刻第二金属图案来形成数据配线的上层；通过蚀刻第一金属图案和硅图案来形成数据配线的下层和欧姆接触；在上层上形成包括接触孔的钝化层；及在钝化层上形成像素电极。
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公开(公告)号：CN102104049A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010570119.4
申请日：2010-12-02
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 宋溱镐 , 崔新逸 , 洪瑄英 , 金时烈 , 李基晔 , 尹在亨 , 金成烈 , 徐五成 , 裴良浩 , 郑钟铉 , 杨东周 , 金俸均 , 吴和烈 , 洪泌荀 , 金柄范 , 朴帝亨 , 丁有光 , 金钟仁 , 徐南锡
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/49 , H01L23/52 , H01L21/77
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1288 , H01L29/42368 , H01L29/458 , H01L29/78669
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。薄膜晶体管阵列面板包括：栅极线；栅极绝缘层，覆盖栅极线；半导体层，设置在栅极绝缘层上；数据线和漏极，设置在半导体层上；钝化层，覆盖数据线和漏极，并具有暴露漏极的一部分的接触孔；像素电极，通过接触孔电连接到漏极。数据线和漏极均具有包括钛的下层和铜的上层的双层，下层比上层宽，且下层具有暴露的区域。栅极绝缘层可具有台阶形状。
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公开(公告)号：CN102044556A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010504450.6
申请日：2010-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1288
Abstract: 一种薄膜晶体管阵列面板以及一种防止在信号线上形成杂质粒子的薄膜晶体管的制造方法，该薄膜晶体管阵列面板包括：基板；信号线，设置在基板上并包括铜(Cu)；钝化层，设置在信号线上并具有暴露信号线的一部分的接触孔；以及导电层，设置在钝化层上，并通过接触孔连接至信号线的该部分，其中，钝化层包括有机钝化层，有机钝化层包括不包含硫的有机绝缘体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102479702A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201110214106.8
申请日：2011-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/3213 , H01L21/28 , H01L21/77
CPC classification number: H01L21/32134 , G02F1/136227 , H01L27/1288 , H01L29/41733
Abstract: 一种薄膜晶体管阵列面板制造方法，包括：在栅绝缘层和栅极线上顺序形成第一硅层、第二硅层、下金属层和上金属层；在上金属层上形成第一膜图案；通过蚀刻上金属层和下金属层，形成第一下金属图案和包括突出部的第一上金属图案；通过蚀刻第一硅层和第二硅层，形成第一硅图案和第二硅图案；通过灰化第一膜图案形成第二膜图案；通过蚀刻第一上金属图案形成第二上金属图案；通过蚀刻第一下金属图案以及第一和第二硅图案，形成数据线和薄膜晶体管；以及在所得结构上形成钝化层和像素电极。
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公开(公告)号：CN101645423A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910162048.1
申请日：2009-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/84 , H01L21/768 , H01L27/12 , H01L23/528 , G03F7/00 , G03F7/36
CPC classification number: H01L29/458 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管(TFT)基板，其制造简单且成本降低，以及提供一种制造TFT基板的方法。该TFT基板包括：绝缘基板；在绝缘基板上沿第一方向延伸的栅极布线；在栅极布线上沿第二方向延伸且包括下层和上层的数据布线；以及设置在数据布线下方且除了沟道区之外与数据布线具有基本相同形状的半导体图案，其中数据布线顶表面的均方根粗糙度是3nm或更低。
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公开(公告)号：CN101431065B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200810174806.7
申请日：2008-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/768 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L23/535 , H01L21/743 , H01L27/1218 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供金属布线层及其制造方法。金属布线层的制造方法包括在衬底上形成电介质层，通过蚀刻部分电介质层而在所述衬底上形成多个电介质层图案和在电介质层图案中的孔，所述电介质层图案中的孔的横截面积随着远离所述衬底的距离增大而减小并且所述的孔暴露所述衬底，通过蚀刻经过电介质层图案中的孔所暴露的衬底的一部分而形成沟槽，并且形成填充所述沟槽和电介质层图案中的孔的金属层。由此，通过在电介质层图案中的多个横截面积随着远离所述衬底的距离增大而减小的孔中形成金属层，可以防止边缘堆积现象的发生。因此，可以防止液晶层的透光度由于不能适当填充所述液晶层中的液晶分子而降低，并且由此增加显示器的品质。
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公开(公告)号：CN101527307A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200910126213.8
申请日：2009-03-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768
CPC classification number: H01L29/458 , H01L27/124
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板，所述薄膜晶体管阵列面板包括：形成在衬底上并包括栅电极的栅极线；形成在衬底的具有栅极线的表面上的半导体层；数据线，所述数据线形成在半导体层上，与栅极线绝缘地相交，并且包括设置在栅电极上的源电极；漏电极，所述漏电极通过沟道与源电极分离，设置在栅电极上，并由与数据线的层相同的层形成；钝化层，所述钝化层形成在数据线和漏电极上，并具有暴露漏电极的第一接触孔；和像素电极，所述像素电极形成在钝化层上，并通过第一接触孔接触漏电极。数据线和漏电极可以包括第一层和形成在第一层上的第二层，第一层的平坦边缘从第二层的平坦边缘突出，并且第一层通过干蚀刻形成，而第二层通过湿蚀刻形成。
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公开(公告)号：CN101431065A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810174806.7
申请日：2008-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/768 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L23/535 , H01L21/743 , H01L27/1218 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供金属布线层及其制造方法。金属布线层的制造方法包括在衬底上形成电介质层，通过蚀刻部分电介质层而在所述衬底上形成多个电介质层图案和在电介质层图案中的孔，所述电介质层图案中的孔的横截面积随着远离所述衬底的距离增大而减小并且所述的孔暴露所述衬底，通过蚀刻经过电介质层图案中的孔所暴露的衬底的一部分而形成沟槽，并且形成填充所述沟槽和电介质层图案中的孔的金属层。由此，通过在电介质层图案中的多个横截面积随着远离所述衬底的距离增大而减小的孔中形成金属层，可以防止边缘堆积现象的发生。因此，可以防止液晶层的透光度由于不能适当填充所述液晶层中的液晶分子而降低，并且由此增加显示器的品质。
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