公开(公告)号：CN101221925A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200710306900.9

申请日：2007-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔升夏 ,  吴旼锡 ,  金湘甲 ,  崔在镐 ,  丁有光

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/027 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/1362 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明提供了一种制造包括几个区域的液晶显示设备的方法。在形成栅极线层、栅极绝缘体、半导体层、数据层和光刻胶层之后，使用掩模限定光刻胶层的多个区域。某些区域在显影后具有不同厚度的光刻胶层。当曝光栅极垫和数据垫时，同时对栅极垫和数据垫应用刻蚀处理。然后，钝化层被沉积在通过接触孔暴露的栅极垫和数据垫之上。当在覆盖层中形成其它接触孔时，数据垫和栅极垫可被暴露以在相同的时间段内进行刻蚀处理。

公开(公告)号：CN101009250B

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN200610142803.6

申请日：2006-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔升夏 ,  吴旼锡 ,  秦洪基 ,  金湘甲 ,  丁有光

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)阵列面板及其制造方法。该方法包括在栅线上形成半导体层和欧姆接触层、在欧姆接触层上形成导电层、在导电层上形成第一光敏层图案、使用该第一光敏层图案作为蚀刻掩模来蚀刻导电层、使用第一光敏层图案作为蚀刻掩模通过含氟气体、含氯气体和氧气来蚀刻欧姆接触层和半导体层、除去第一光敏层图案到预定深度以形成第二光敏层图案、和使用第二光敏层图案作为蚀刻掩模蚀刻导电层以暴露出一部分欧姆接触层。其中在蚀刻所述欧姆接触层和所述半导体层的步骤中，所述欧姆接触层和所述半导体层的一部分被向内蚀刻。

公开(公告)号：CN102376721A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110229094.6

申请日：2011-08-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳慧英 ,  李禹根 ,  崔永柱 ,  郑卿在 ,  李进元 ,  崔升夏 ,  卞喜准 ,  尹弼相

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255

Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，该薄膜晶体管阵列基板能够减小由于氧化物半导体图案的退化引起的器件的退化。该薄膜晶体管阵列基板可以包括：绝缘基板，栅极电极形成在其上；栅极绝缘膜，形成在绝缘基板上；氧化物半导体图案，设置在栅极绝缘膜上；抗蚀刻图案，形成在氧化物半导体图案上；以及源极电极和漏极电极，形成在抗蚀刻图案上。氧化物半导体图案可以包括位于源极电极与漏极电极之间的边缘部分，该边缘部分可以包括至少一个导电区域和至少一个不导电区域。

公开(公告)号：CN102270644A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201110150778.7

申请日：2011-06-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔升夏 ,  郑卿在 ,  李禹根

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/77 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76804 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  H01L21/76816 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种具有高的电荷迁移率且对于大面积显示器能获得均匀电特性的薄膜晶体管显示面板及其制造方法。TFT显示面板包括：栅电极，形成在绝缘基板上；第一栅绝缘层，由SiNx形成在该栅电极上；第二栅绝缘层，由SiOx形成在该第一栅绝缘层上；氧化物半导体层，形成得交叠该栅电极且具有沟道部分；以及钝化层，由SiOx形成在该氧化物半导体层和该栅电极上，该钝化层包括暴露漏电极的接触孔。该接触孔具有这样的形状，其中横截面积从在该漏电极处的底表面向上增大。

公开(公告)号：CN101174555A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710194464.0

申请日：2007-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴旼锡 ,  金湘甲 ,  秦洪基 ,  丁有光 ,  崔升夏 ,  金基铉 ,  宋仁虎

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L27/1288 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种制造薄膜晶体管基板的方法和使用该方法的制造系统，其中在制造薄膜晶体管基板的工艺期间减少了腐蚀性物质的产生。该方法包括提供蚀刻单元和其上已沉积有薄金属膜的绝缘基板，且干法蚀刻该绝缘基板以形成预定电路图案；为等待被清洁的该绝缘基板提供等待单元；在该绝缘基板等待时通过具有多个喷嘴的清洁单元执行初步清洁操作，且检查该初步清洁操作；以及基于检查结果对该绝缘基板执行主清洁操作。

公开(公告)号：CN101165882A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200710167104.1

申请日：2007-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔升夏 ,  金湘甲 ,  吴旼锡 ,  崔新逸 ,  金大玉 ,  秦洪基 ,  丁荣镐 ,  丁有光

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管基板的制造方法，包括：在绝缘基板上顺序形成栅互连、栅绝缘层、有源层、用于数据互连的导电层、及包括第一区域和第二区域的光致抗蚀剂图案；利用该光致抗蚀剂图案蚀刻该导电层从而形成用于源/漏电极和数据线的导电层图案；利用该光致抗蚀剂图案蚀刻该有源层从而形成有源层图案；去除该光致抗蚀剂图案的第二区域；使用该光致抗蚀剂图案和蚀刻气体干法蚀刻该第二区域下的该用于源/漏电极的导电层图案；利用该光致抗蚀剂图案蚀刻该有源层图案的一部分；及使用反应副产物去除剂使得外力施加到该导电层图案的蚀刻气体和反应副产物而物理去除所述反应副产物。

公开(公告)号：CN101221925B

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200710306900.9

申请日：2007-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔升夏 ,  吴旼锡 ,  金湘甲 ,  崔在镐 ,  丁有光

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/027 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/1362 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明提供了一种制造包括几个区域的液晶显示设备的方法。在形成栅极线层、栅极绝缘体、半导体层、数据层和光刻胶层之后，使用掩模限定光刻胶层的多个区域。某些区域在显影后具有不同厚度的光刻胶层。当曝光栅极垫和数据垫时，同时对栅极垫和数据垫应用刻蚀处理。然后，钝化层被沉积在通过接触孔暴露的栅极垫和数据垫之上。当在覆盖层中形成其它接触孔时，数据垫和栅极垫可被暴露以在相同的时间段内进行刻蚀处理。

公开(公告)号：CN101645423A

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200910162048.1

申请日：2009-08-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔升夏 ,  金湘甲 ,  崔新逸 ,  李基晔 ,  杨东周 ,  秦洪基 ,  丁有光

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L27/12 ,  H01L23/528 ,  G03F7/00 ,  G03F7/36

CPC classification number: H01L29/458 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管(TFT)基板，其制造简单且成本降低，以及提供一种制造TFT基板的方法。该TFT基板包括：绝缘基板；在绝缘基板上沿第一方向延伸的栅极布线；在栅极布线上沿第二方向延伸且包括下层和上层的数据布线；以及设置在数据布线下方且除了沟道区之外与数据布线具有基本相同形状的半导体图案，其中数据布线顶表面的均方根粗糙度是3nm或更低。

公开(公告)号：CN101009250A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200610142803.6

申请日：2006-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔升夏 ,  吴旼锡 ,  秦洪基 ,  金湘甲 ,  丁有光

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)阵列面板及其制造方法。该方法包括在栅线上形成半导体层和欧姆接触层、在欧姆接触层上形成导电层、在导电层上形成第一光敏层图案、使用该第一光敏层图案作为蚀刻掩模来蚀刻导电层、使用第一光敏层图案作为蚀刻掩模通过含氟气体、含氯气体和氧气来蚀刻欧姆接触层和半导体层、除去第一光敏层图案到预定深度以形成第二光敏层图案、和使用第二光敏层图案作为蚀刻掩模蚀刻导电层以暴露出一部分欧姆接触层。

公开(公告)号：CN101431065B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200810174806.7

申请日：2008-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 杨东周 ,  崔新逸 ,  金湘甲 ,  吴旼锡 ,  秦洪基 ,  李基晔 ,  丁有光 ,  崔升夏

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L23/535 ,  H01L21/743 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供金属布线层及其制造方法。金属布线层的制造方法包括在衬底上形成电介质层，通过蚀刻部分电介质层而在所述衬底上形成多个电介质层图案和在电介质层图案中的孔，所述电介质层图案中的孔的横截面积随着远离所述衬底的距离增大而减小并且所述的孔暴露所述衬底，通过蚀刻经过电介质层图案中的孔所暴露的衬底的一部分而形成沟槽，并且形成填充所述沟槽和电介质层图案中的孔的金属层。由此，通过在电介质层图案中的多个横截面积随着远离所述衬底的距离增大而减小的孔中形成金属层，可以防止边缘堆积现象的发生。因此，可以防止液晶层的透光度由于不能适当填充所述液晶层中的液晶分子而降低，并且由此增加显示器的品质。