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公开(公告)号：CN102237373A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201110125831.8
申请日：2011-05-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L27/32 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L29/786 , H01L21/77 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L27/3272 , H01L51/5253 , H01L2227/323
Abstract: 本发明提供了一种面板、一种形成面板的方法、一种薄膜晶体管和一种显示面板。一种包括薄膜晶体管的面板包括：基底；光阻挡层，位于所述基底上；第一保护膜，位于所述光阻挡层上；第一电极和第二电极，位于所述第一保护膜上；氧化物半导体层，位于所述第一保护膜的在所述第一电极和所述第二电极之间暴露的部分上；绝缘层；第三电极，与所述氧化物半导体层叠置，且位于所述绝缘层上；第四电极，位于所述绝缘层上。所述光阻挡层包括第一侧壁，所述第一保护膜包括第二侧壁。所述第一侧壁和所述第二侧壁沿基本相同的线设置。
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公开(公告)号：CN1897285B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610098474.X
申请日：2006-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768 , G02F1/133
CPC classification number: H01L27/124 , G02F2001/13629 , H01L29/458
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，包括：在基板上形成栅极线；在该栅极线上形成栅极绝缘层、半导体层和欧姆接触；在该欧姆接触上形成含Mo的第一导电膜、含Al的第二导电膜和含Mo的第三导电膜；在该第三导电膜上形成第一光刻胶图样；使用该第一光刻胶图样作为掩模，蚀刻第一、第二和第三导电膜、欧姆接触、以及半导体层；将该第一光刻胶图样除去预定厚度，以便形成第二光刻胶图样；使用该第二光刻胶图样作为掩模，蚀刻该第一、第二和第三导电膜，以便暴露欧姆接触的一部分；以及使用含Cl气体和含F气体蚀刻暴露的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN1670909A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510055765.6
申请日：2005-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/00 , G02F1/1368 , G09G3/36 , G09G3/38
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F2001/136236 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L29/41733
Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下步骤：在基片上形成栅极线；在栅极线上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成数据线及漏极；在数据线及漏极上沉积钝化层；在钝化层上形成光致抗蚀剂，该光致抗蚀剂包含第一部分和比第一部分薄的第二部分；利用将光致抗蚀剂作为掩模蚀刻钝化层，以至少部分地露出漏极的一部分；除去光致抗蚀剂的第二部分；沉积导电薄膜；以及除去光致抗蚀剂，以在漏极的露出部分上形成像素电极。
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公开(公告)号：CN102194831A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110062902.4
申请日：2011-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/467 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/41733 , H01L29/7869
Abstract: 本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管基板。提供了一种能够提高显示器件的显示品质的氧化物薄膜晶体管(TFT)基板以及经由简单的工艺制造该氧化物TFT基板的方法。该氧化物TFT基板包括基板、栅极线、数据线、氧化物TFT以及像素电极。氧化物TFT的氧化物层包括：第一区域，具有半导体特性并包括沟道；以及第二区域，其是导电的并且围绕第一区域。第一区域的一部分电连接到像素电极，第二区域电连接到数据线。
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公开(公告)号：CN101179082B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200710159648.3
申请日：2007-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L29/786 , H01L29/417 , H01L21/84 , H01L21/768 , H01L21/28 , G03F1/14 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L29/41733 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 本发明涉及一种具有改进的电学特性的薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。该制造方法使用了一种掩模，该掩模包括漏极掩模图案、源极掩模图案和光调节图案。漏极掩模图案阻挡形成漏电极的光。源极掩模图案阻挡形成源电极的光，并和漏极掩模图案相对，漏极和源极掩模图案之间的距离不大于曝光装置的分辨率。光调节图案形成于源极掩模图案的每个端部和漏极掩模图案之间，以阻挡进入源极和漏极掩模图案之间的间隔的至少一些光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102034745A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010205314.7
申请日：2010-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/77 , H01L21/768 , C23F1/18 , C23F1/02 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/124 , C23F1/02 , C23F1/18 , C23F1/26 , H01L21/32134 , H01L21/465 , H01L27/1225
Abstract: 本发明提供了一种显示装置及制造该显示装置的方法。所述制造显示装置的方法包括：在底基板上形成栅极图案，所述栅极图案包括栅极线和栅电极；通过图案化数据金属层和氧化物半导体层两者来形成半导体图案和源极图案，其中，所述数据金属层和所述氧化物半导体层形成在具有所述栅极图案的所述底基板上，所述数据金属层包括第一铜合金层，并且所述氧化物半导体层包括氧化物半导体，其中，所述源极图案包括数据线、源电极和漏电极；并且在具有所述源极图案的底基板上形成电连接至所述漏电极的像素电极。
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公开(公告)号：CN1767175B
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN200510102853.7
申请日：2005-09-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L21/32134 , H01L21/76838 , H01L27/1214 , H01L29/66765
Abstract: 一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，包括：形成包括栅电极的栅极线，在栅极线上形成栅极绝缘层，在栅极绝缘层上形成半导体带，在半导体带上形成欧姆接触层，在欧姆接触层上形成包括源电极和漏电极的数据线，在数据线和漏电极上沉积钝化层，及形成连接到漏电极的像素电极。
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公开(公告)号：CN100416754C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200510055765.6
申请日：2005-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/00 , G02F1/1368 , G09G3/36 , G09G3/38
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F2001/136236 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L29/41733
Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下步骤：在基片上形成栅极线；在栅极线上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成数据线及漏极；在数据线及漏极上沉积钝化层；在钝化层上形成光致抗蚀剂，该光致抗蚀剂包含第一部分和比第一部分薄的第二部分；利用将光致抗蚀剂作为掩模蚀刻钝化层，以至少部分地露出漏极的一部分；除去光致抗蚀剂的第二部分；沉积导电薄膜；以及除去光致抗蚀剂，以在漏极的露出部分上形成像素电极。
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公开(公告)号：CN1873489A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610078289.4
申请日：2006-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1333 , G02F1/133 , G02F1/136 , G09G3/36 , H01L27/00
CPC classification number: G09G3/3648 , G02F2001/136254 , G09G3/3696 , G09G2310/0245 , G09G2320/043
Abstract: 本发明提供了一种包括非晶硅薄膜晶体管的液晶显示器的制造方法、一种液晶显示器、以及适用于该种液晶显示器的制造方法的老化系统。该方法包括以下步骤：提供液晶显示器，该液晶显示器包括液晶面板，该液晶面板具有多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管均包括栅电极、形成于栅电极上的半导体层、以及漏电极和源电极，该漏电极和源电极形成于半导体层上并与栅电极的各侧重叠，其中，向栅电极施加第一电压，向漏电极施加第二电压，并且第一电压减去第二电压小于第三电压减去第四电压，其中，第三电压是基于液晶面板的正常操作而施加给栅电极以使多个薄膜晶体管截止的电压，以及第四电压是基于液晶面板的正常操作而施加给漏电极的最大电压。
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公开(公告)号：CN1873489B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200610078289.4
申请日：2006-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1333 , G02F1/133 , G02F1/136 , G09G3/36 , H01L27/00
CPC classification number: G09G3/3648 , G02F2001/136254 , G09G3/3696 , G09G2310/0245 , G09G2320/043
Abstract: 本发明提供了一种包括非晶硅薄膜晶体管的液晶显示器的制造方法、一种液晶显示器、以及适用于该种液晶显示器的制造方法的老化系统。该方法包括以下步骤：提供液晶显示器，该液晶显示器包括液晶面板，该液晶面板具有多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管均包括栅电极、形成于栅电极上的半导体层、以及漏电极和源电极，该漏电极和源电极形成于半导体层上并与栅电极的各侧重叠，其中，向栅电极施加第一电压，向漏电极施加第二电压，并且第一电压减去第二电压小于第三电压减去第四电压，其中，第三电压是基于液晶面板的正常操作而施加给栅电极以使多个薄膜晶体管截止的电压，以及第四电压是基于液晶面板的正常操作而施加给漏电极的最大电压。
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