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公开(公告)号：CN101447490A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810173348.5
申请日：2008-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金彰洙 , 宁洪龙 , 金俸均 , 朴弘植 , 金时烈 , 郑敞午 , 金湘甲 , 尹在亨 , 李禹根 , 裴良浩 , 尹弼相 , 郑钟铉 , 洪瑄英 , 金己园 , 李炳珍 , 李永旭 , 金钟仁 , 金炳范 , 徐南锡
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/136286 , G02F2001/136295 , H01L27/1218 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 一种阵列基板，其中栅极线包括形成在基部基板上的第一种子层和形成在所述第一种子层上的第一金属层。第一绝缘层形成在所述基部基板上。第二绝缘层形成在所述基部基板上。在这里，线沟槽沿与所述栅极线相交叉的方向穿过所述第二绝缘层形成。数据线包括形成在所述线沟槽下的第二种子层和形成在所述线沟槽中的第二金属层。像素电极形成在所述基部基板的像素区域。因此，使用绝缘层来形成预定深度的沟槽，并且通过电镀方法形成金属层，从而能够形成具有足够厚度的金属线。本发明还提供了一种阵列基板制造方法。
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公开(公告)号：CN101179082A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710159648.3
申请日：2007-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L29/786 , H01L29/417 , H01L21/84 , H01L21/768 , H01L21/28 , G03F1/14 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L29/41733 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 本发明涉及一种具有改进的电学特性的薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。该制造方法使用了一种掩模，该掩模包括漏极掩模图案、源极掩模图案和光调节图案。漏极掩模图案阻挡形成漏电极的光。源极掩模图案阻挡形成源电极的光，并和漏极掩模图案相对，漏极和源极掩模图案之间的距离不大于曝光装置的分辨率。光调节图案形成于源极掩模图案的每个端部和漏极掩模图案之间，以阻挡进入源极和漏极掩模图案之间的间隔的至少一些光。
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公开(公告)号：CN101179082B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200710159648.3
申请日：2007-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L29/786 , H01L29/417 , H01L21/84 , H01L21/768 , H01L21/28 , G03F1/14 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L29/41733 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 本发明涉及一种具有改进的电学特性的薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。该制造方法使用了一种掩模，该掩模包括漏极掩模图案、源极掩模图案和光调节图案。漏极掩模图案阻挡形成漏电极的光。源极掩模图案阻挡形成源电极的光，并和漏极掩模图案相对，漏极和源极掩模图案之间的距离不大于曝光装置的分辨率。光调节图案形成于源极掩模图案的每个端部和漏极掩模图案之间，以阻挡进入源极和漏极掩模图案之间的间隔的至少一些光。
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公开(公告)号：CN100416754C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200510055765.6
申请日：2005-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/00 , G02F1/1368 , G09G3/36 , G09G3/38
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F2001/136236 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L29/41733
Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下步骤：在基片上形成栅极线；在栅极线上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成数据线及漏极；在数据线及漏极上沉积钝化层；在钝化层上形成光致抗蚀剂，该光致抗蚀剂包含第一部分和比第一部分薄的第二部分；利用将光致抗蚀剂作为掩模蚀刻钝化层，以至少部分地露出漏极的一部分；除去光致抗蚀剂的第二部分；沉积导电薄膜；以及除去光致抗蚀剂，以在漏极的露出部分上形成像素电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101620352A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200810210384.4
申请日：2008-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1335 , H01L27/12 , H01L21/84
CPC classification number: G02F1/133514 , G02F1/13394 , G02F2001/133519 , G02F2001/136222
Abstract: 本发明涉及一种包含开关构件、滤色器层、无机绝缘层和像素电极的显示基底。该开关构件包含栅极线、与该栅极线交叉的数据线和电连接到该栅极线和该数据线的薄膜晶体管(TFT)。该滤色器层形成在该开关构件上。该无机绝缘层形成在该滤色器层上。该无机绝缘层具有形成其上的孔，其暴露对应于该TFT的该滤色器层的一部分。该像素电极形成在该无机绝缘层上。
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公开(公告)号：CN1670909A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510055765.6
申请日：2005-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/00 , G02F1/1368 , G09G3/36 , G09G3/38
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F2001/136236 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L29/41733
Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下步骤：在基片上形成栅极线；在栅极线上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成数据线及漏极；在数据线及漏极上沉积钝化层；在钝化层上形成光致抗蚀剂，该光致抗蚀剂包含第一部分和比第一部分薄的第二部分；利用将光致抗蚀剂作为掩模蚀刻钝化层，以至少部分地露出漏极的一部分；除去光致抗蚀剂的第二部分；沉积导电薄膜；以及除去光致抗蚀剂，以在漏极的露出部分上形成像素电极。
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公开(公告)号：CN102194831A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110062902.4
申请日：2011-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/467 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/41733 , H01L29/7869
Abstract: 本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管基板。提供了一种能够提高显示器件的显示品质的氧化物薄膜晶体管(TFT)基板以及经由简单的工艺制造该氧化物TFT基板的方法。该氧化物TFT基板包括基板、栅极线、数据线、氧化物TFT以及像素电极。氧化物TFT的氧化物层包括：第一区域，具有半导体特性并包括沟道；以及第二区域，其是导电的并且围绕第一区域。第一区域的一部分电连接到像素电极，第二区域电连接到数据线。
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公开(公告)号：CN100565918C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200610088630.4
申请日：2006-04-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/02 , H01L21/336 , H01L21/82 , G02F1/133
Abstract: 本发明公开了一种晶体管，其包括：形成在衬底上的导线，该导线包括半导体芯、包围半导体芯的一部分的第一遮盖、和包围第一遮盖的第二遮盖；形成在导线的第二遮盖上的第一电极；形成在第一电极上并具有暴露部分半导体芯的接触孔的绝缘层，和经接触孔与导线连接的第二电极和第三电极。
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公开(公告)号：CN1983604A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610063921.8
申请日：2006-12-18
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李永旭
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768 , G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/134309 , G02F2001/134381 , G02F2201/128
Abstract: 一种薄膜晶体管阵列板，包括基板、设置在基板上的栅极线、设置在栅极线上的栅极绝缘层、设置在栅极绝缘层上的半导体层、与半导体层接触的数据线、与半导体层接触并与数据线分隔开的漏电极、设置在栅极绝缘层上并与漏电极接触的像素电极、设置在像素电极上的钝化层、以及设置在钝化层上并包含与像素电极重叠的单元电极的公共电极。
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