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公开(公告)号:CN101487960A
公开(公告)日:2009-07-22
申请号:CN200910001897.9
申请日:2009-01-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , H01L27/12 , H01L21/84 , H01L21/027 , G03F1/14
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F2001/136295 , H01L27/124 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/4908
Abstract: 一种显示基板,所述显示基板包括绝缘基板、薄膜晶体管、像素电极、信号线和焊盘部件。绝缘基板具有显示区和包围显示区的外围区域。薄膜晶体管在绝缘基板的显示区中。像素电极在绝缘基板的显示区中并电连接到薄膜晶体管。信号线在绝缘基板上并从外围区域向显示区延伸。焊盘部/件在外围区域中并电连接到信号线。焊盘部件形成于绝缘基板的沟槽中,并且包括延伸进绝缘基板中的区域。因此,信号线可以固定连接到绝缘基板。
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公开(公告)号:CN101447490A
公开(公告)日:2009-06-03
申请号:CN200810173348.5
申请日:2008-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 金彰洙 , 宁洪龙 , 金俸均 , 朴弘植 , 金时烈 , 郑敞午 , 金湘甲 , 尹在亨 , 李禹根 , 裴良浩 , 尹弼相 , 郑钟铉 , 洪瑄英 , 金己园 , 李炳珍 , 李永旭 , 金钟仁 , 金炳范 , 徐南锡
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/136286 , G02F2001/136295 , H01L27/1218 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 一种阵列基板,其中栅极线包括形成在基部基板上的第一种子层和形成在所述第一种子层上的第一金属层。第一绝缘层形成在所述基部基板上。第二绝缘层形成在所述基部基板上。在这里,线沟槽沿与所述栅极线相交叉的方向穿过所述第二绝缘层形成。数据线包括形成在所述线沟槽下的第二种子层和形成在所述线沟槽中的第二金属层。像素电极形成在所述基部基板的像素区域。因此,使用绝缘层来形成预定深度的沟槽,并且通过电镀方法形成金属层,从而能够形成具有足够厚度的金属线。本发明还提供了一种阵列基板制造方法。
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公开(公告)号:CN101051644A
公开(公告)日:2007-10-10
申请号:CN200710096764.5
申请日:2007-04-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768 , G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295
Abstract: 本发明公开了一种TFT基板及其制造方法。该方法包括在绝缘基板上形成栅极线和数据线。数据线与栅极线相交且与栅极线绝缘。栅极线、数据线、或栅极线和数据线二者的形成包括利用无电镀方法在基体图案上形成低电阻导电图案。
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