公开(公告)号：CN101750822A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910258383.1

申请日：2009-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金度贤 ,  郑钟铉 ,  崔永柱 ,  朴弘植 ,  印泰炯 ,  李东勋 ,  尹弼相 ,  朴帝亨 ,  郑敞午 ,  李制勋 ,  洪瑄英 ,  金俸均 ,  李炳珍 ,  徐南锡

IPC: G02F1/1362 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/133302 ,  G02F2001/136295

Abstract: 本发明提供一种显示基板及其制造方法，该显示基板包括：底基板；设置在底基板下表面上的形变防止层，其中形变防止层向底基板施加防止底基板弯曲的力；设置在底基板上表面上的栅极线；设置在底基板上的数据线；以及设置在底基板上的像素电极。

公开(公告)号：CN102104049A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN201010570119.4

申请日：2010-12-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋溱镐 ,  崔新逸 ,  洪瑄英 ,  金时烈 ,  李基晔 ,  尹在亨 ,  金成烈 ,  徐五成 ,  裴良浩 ,  郑钟铉 ,  杨东周 ,  金俸均 ,  吴和烈 ,  洪泌荀 ,  金柄范 ,  朴帝亨 ,  丁有光 ,  金钟仁 ,  徐南锡

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/49 ,  H01L23/52 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/458 ,  H01L29/78669

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。薄膜晶体管阵列面板包括：栅极线；栅极绝缘层，覆盖栅极线；半导体层，设置在栅极绝缘层上；数据线和漏极，设置在半导体层上；钝化层，覆盖数据线和漏极，并具有暴露漏极的一部分的接触孔；像素电极，通过接触孔电连接到漏极。数据线和漏极均具有包括钛的下层和铜的上层的双层，下层比上层宽，且下层具有暴露的区域。栅极绝缘层可具有台阶形状。

公开(公告)号：CN101447490A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810173348.5

申请日：2008-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金彰洙 ,  宁洪龙 ,  金俸均 ,  朴弘植 ,  金时烈 ,  郑敞午 ,  金湘甲 ,  尹在亨 ,  李禹根 ,  裴良浩 ,  尹弼相 ,  郑钟铉 ,  洪瑄英 ,  金己园 ,  李炳珍 ,  李永旭 ,  金钟仁 ,  金炳范 ,  徐南锡

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768

CPC classification number: G02F1/13458 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

Abstract: 一种阵列基板，其中栅极线包括形成在基部基板上的第一种子层和形成在所述第一种子层上的第一金属层。第一绝缘层形成在所述基部基板上。第二绝缘层形成在所述基部基板上。在这里，线沟槽沿与所述栅极线相交叉的方向穿过所述第二绝缘层形成。数据线包括形成在所述线沟槽下的第二种子层和形成在所述线沟槽中的第二金属层。像素电极形成在所述基部基板的像素区域。因此，使用绝缘层来形成预定深度的沟槽，并且通过电镀方法形成金属层，从而能够形成具有足够厚度的金属线。本发明还提供了一种阵列基板制造方法。

公开(公告)号：CN102479702A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201110214106.8

申请日：2011-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑钟铉 ,  裵良浩 ,  宋溱镐 ,  徐五成 ,  洪瑄英 ,  吴和烈 ,  金俸均 ,  徐南锡 ,  杨东周 ,  李旺宇

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/28 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L21/32134 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/41733

Abstract: 一种薄膜晶体管阵列面板制造方法，包括：在栅绝缘层和栅极线上顺序形成第一硅层、第二硅层、下金属层和上金属层；在上金属层上形成第一膜图案；通过蚀刻上金属层和下金属层，形成第一下金属图案和包括突出部的第一上金属图案；通过蚀刻第一硅层和第二硅层，形成第一硅图案和第二硅图案；通过灰化第一膜图案形成第二膜图案；通过蚀刻第一上金属图案形成第二上金属图案；通过蚀刻第一下金属图案以及第一和第二硅图案，形成数据线和薄膜晶体管；以及在所得结构上形成钝化层和像素电极。

公开(公告)号：CN101750916A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910253786.7

申请日：2009-12-17

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东进瑟弥侃株式会社

Inventor： 郑钟铉 ,  金俸均 ,  朴弘植 ,  洪瑄英 ,  崔永柱 ,  李炳珍 ,  徐南锡 ,  金炳郁 ,  尹锡壹 ,  郑宗铉 ,  辛成健 ,  许舜范 ,  郑世桓 ,  张斗瑛 ,  朴善周 ,  权五焕

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/82

CPC classification number: G03F7/425 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

Abstract: 根据一个或多个实施方法提供光刻胶剥离剂用组合物及薄膜晶体管阵列基板的制造方法。在一个或多个实施方式中，所述组合物包括约5-30重量％的链状胺化合物、约0.5-10重量％的环状胺化合物、约10-80重量％的二醇醚化合物、约5-30重量％的蒸馏水和约0.1-5重量％的腐蚀抑制剂。