公开(公告)号：CN101930140A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200910265776.5

申请日：2009-12-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田京叔 ,  金彰洙 ,  柳洪锡 ,  金容焕 ,  吴和烈 ,  金钟仁 ,  张常希

IPC: G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/133514 ,  G02F1/133516 ,  G02F1/13394 ,  G02F2001/133388

Abstract: 本发明的示例性实施例公开了一种液晶显示器(LCD)及其制造方法。LCD具有显示区域和外围区域。使用半色调掩模可以将外围区域的有机层图案化。因此，可以防止薄膜晶体管阵列面板以及对应衬底在外围区域中临时被粘合，以便可以均匀地保持填充在外围区域中的液晶分子的密度，从而可以改善液晶显示器的显示质量。

公开(公告)号：CN101487961A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200910002122.3

申请日：2009-01-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹甲洙 ,  梁成勋 ,  金成烈 ,  吴和烈 ,  崔在镐 ,  崔龙模

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/017 ,  H01L27/12

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F2202/108 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种显示基板以及包括该显示基板的显示装置。所述显示基板包括：栅极布线；第一半导体图案，所述第一半导体图案形成在所述栅极布线上并且具有第一能带隙；第二半导体图案，所述第二半导体图案形成在所述第一半导体图案上并且具有第二能带隙，所述第二能带隙大于所述第一能带隙；数据布线，所述数据布线形成在所述第一半导体图案上；以及像素电极，所述像素电极与所述数据布线电连接。由于所述第二能带隙大于所述第一能带隙，因此在所述第一半导体图案中形成量子阱，从而提高其中的电子迁移率。

公开(公告)号：CN102104049A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN201010570119.4

申请日：2010-12-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋溱镐 ,  崔新逸 ,  洪瑄英 ,  金时烈 ,  李基晔 ,  尹在亨 ,  金成烈 ,  徐五成 ,  裴良浩 ,  郑钟铉 ,  杨东周 ,  金俸均 ,  吴和烈 ,  洪泌荀 ,  金柄范 ,  朴帝亨 ,  丁有光 ,  金钟仁 ,  徐南锡

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/49 ,  H01L23/52 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/458 ,  H01L29/78669

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。薄膜晶体管阵列面板包括：栅极线；栅极绝缘层，覆盖栅极线；半导体层，设置在栅极绝缘层上；数据线和漏极，设置在半导体层上；钝化层，覆盖数据线和漏极，并具有暴露漏极的一部分的接触孔；像素电极，通过接触孔电连接到漏极。数据线和漏极均具有包括钛的下层和铜的上层的双层，下层比上层宽，且下层具有暴露的区域。栅极绝缘层可具有台阶形状。

公开(公告)号：CN102479702A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201110214106.8

申请日：2011-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑钟铉 ,  裵良浩 ,  宋溱镐 ,  徐五成 ,  洪瑄英 ,  吴和烈 ,  金俸均 ,  徐南锡 ,  杨东周 ,  李旺宇

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/28 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L21/32134 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/41733

Abstract: 一种薄膜晶体管阵列面板制造方法，包括：在栅绝缘层和栅极线上顺序形成第一硅层、第二硅层、下金属层和上金属层；在上金属层上形成第一膜图案；通过蚀刻上金属层和下金属层，形成第一下金属图案和包括突出部的第一上金属图案；通过蚀刻第一硅层和第二硅层，形成第一硅图案和第二硅图案；通过灰化第一膜图案形成第二膜图案；通过蚀刻第一上金属图案形成第二上金属图案；通过蚀刻第一下金属图案以及第一和第二硅图案，形成数据线和薄膜晶体管；以及在所得结构上形成钝化层和像素电极。

公开(公告)号：CN101232041A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200810000902.X

申请日：2008-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金秉濬 ,  崔龙模 ,  崔凡洛 ,  梁成勋 ,  吴和烈 ,  崔在镐 ,  许宗茂

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84

Abstract: 显示器件包括：绝缘基板；形成在绝缘基板上的开关TFT，开关TFT接收数据电压并包括第一半导体层；形成在基板上的驱动TFT，驱动TFT包括与开关TFT的输出终端连接的控制终端和含有多晶硅和卤素材料的第二半导体层；绝缘层，形成在开关TFT和驱动TFT上；第一电极，形成在绝缘层上并电连接到驱动TFT的输出终端；有机发光层，形成在第一电极上；和第二电极，形成在有机发光层上。本发明还涉及显示器件的制造方法。