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公开(公告)号：CN101097854B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200710129230.8
申请日：2007-02-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/18 , H01L21/205 , H01L21/324 , H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: C23C16/24 , C23C16/56 , G02F1/133305 , G02F1/133345 , H01L27/1214 , H01L27/1262 , H01L27/127 , H01L29/78603
Abstract: 本发明涉及具有增强的薄膜半导体层的柔性显示装置及其制造方法，包括通过RF溅射在柔性塑料基板上形成阻挡层，在塑料基板上形成非晶硅层，以及使非晶硅层经受快速热处理从而改善非晶硅层的电特性和/或均一性。
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公开(公告)号：CN100480420C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN03808847.9
申请日：2003-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/136227 , C23C16/30 , G02F2001/136222 , H01L27/12 , H01L27/1248 , H01L27/1288 , H01L27/3244 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及一种用于汽相淀积低介电绝缘层的方法、利用该绝缘层的薄膜晶体管及其制造方法，更具体地涉及一种可显著地改善汽相淀积速度同时保持低介电绝缘层性能的用于汽相淀积低介电绝缘的方法，从而解决了寄生电容问题以获得高开口率结构，并且当通过CVD法或PECVD法汽相淀积绝缘层以形成用于半导体装置的保护层时，通过使用硅烷气体可以降低工序时间。本发明还涉及一种利用该工序的薄膜晶体管及其制造方法。
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公开(公告)号：CN101246288A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200710169167.0
申请日：2007-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/1393 , G02F1/133753 , G02F1/134309 , G02F1/136213 , G02F2001/134318
Abstract: 一种液晶显示装置，包括：包括像素电极和存储电容线的第一基板；面对第一基板并且包括公共电极的第二基板；插置在第一基板和第二基板之间的液晶层；以及布置在相应于存储电容线的第一区域和邻近于第一区域的第二区域上方的域形成构件，其中，具有不规则部分的域形成构件包括具有扩大宽度的第一不规则部分和具有减小宽度的第二不规则部分，并且其中，在第二区域中形成的不规则部分中最接近第一区域的外部不规则部分具有扩大的宽度。
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公开(公告)号：CN101082751A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200710136282.8
申请日：2007-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343 , G09G3/36
CPC classification number: G02F1/1343 , G02F1/133707 , G02F1/1393
Abstract: 一种液晶显示装置，包括第一基板、第二基板和插设其间的液晶层。该第一基板包括像素电极、连接到像素电极的薄膜晶体管及连接像素电极的下部和上部电极的联结器。该第二基板包括具有下部区域分隔部分和上部区域分隔部分的公共电极，其中每个区域分隔部分分别地形成在与像素电极的下部和上部电极相对应的位置。通过将电场控制器连接在像素电极的上部电极的两侧，显示图像的质量能得到改善，而没有暗区发生在像素单元的一部分。
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公开(公告)号：CN101246288B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200710169167.0
申请日：2007-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/1393 , G02F1/133753 , G02F1/134309 , G02F1/136213 , G02F2001/134318
Abstract: 一种液晶显示装置，包括：包括像素电极和存储电容线的第一基板；面对第一基板并且包括公共电极的第二基板；插置在第一基板和第二基板之间的液晶层；以及布置在相应于存储电容线的第一区域和邻近于第一区域的第二区域上方的域形成构件，其中，具有不规则部分的域形成构件包括具有扩大宽度的第一不规则部分和具有减小宽度的第二不规则部分，并且其中，在第二区域中形成的不规则部分中最接近第一区域的外部不规则部分具有扩大的宽度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1956225B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200610152496.X
申请日：2006-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/15 , H01L27/32 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/78669 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/66765
Abstract: TFT包括栅极、活性层、源极、漏极、和缓冲层。栅极形成在基板上，活性层形成在栅极上。形成在活性层上的源极和漏极分离预定距离。缓冲层形成在活性层与源极及漏极之间。缓冲层具有对应于缓冲层厚度的基本连续变化的含量比。缓冲层被形成以抑制活性层的氧化，并降低接触电阻。
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公开(公告)号：CN101026093B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200710079362.4
申请日：2007-02-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/84
CPC classification number: H01L29/04 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L27/1296
Abstract: 一种制造硅层的方法，其包括：使用包括四氟化硅(SiF4)气体、三氟化氮(NF3)气体、SiF4-H2气体及其混合物中的至少一种的第一反应气体，通过等离子增强化学气相沉积方法对形成于基板上的氮化硅层的表面进行预处理。然后，使用第二反应气体，通过等离子增强化学气相沉积方法在预处理后的氮化硅层上形成硅层，所述第二反应气体包括包含四氟化硅(SiF4)、氢气(H2)和氩气(Ar)的混合气体。
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公开(公告)号：CN101159274A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710163017.9
申请日：2007-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/528 , H01L29/786 , H01L29/41
CPC classification number: H01L27/283 , H01L27/285 , H01L27/3262
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)基底，该薄膜晶体管基底被这样构造：即使在漏电极和对应的栅极线之间存在制造引起的未对准的情况下，也因每个TFT的漏极和栅极之间的密勒电容使得在基底的整个区域上反冲电压保持恒定。每个薄膜晶体管包括：栅电极；有源层，形成在栅电极上，以与栅电极叠置；第一源电极和第二源电极，分别连接到第一数据线和第二数据线，第一数据线和第二数据线中的每条与栅极线交叉，并与栅极线绝缘；延长的漏电极，位于第一源电极和第二源电极之间，并设置在栅电极上方，以使交叉的漏电极的长度大于下面的栅电极的宽度，从而未对准引起的栅电极的位置相对于漏电极的移动基本没有改变栅电极和漏电极之间的叠置面积。
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公开(公告)号：CN101106142A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710146458.8
申请日：2007-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , G02F1/1362 , G02F1/133
Abstract: 一种显示基板，包括TFT层、钝化层、有机层、无机绝缘层和像素电极。该TFT层包括栅极线和数据线、薄膜晶体管和存储电极。该数据线与该栅极线相交叉，并通过栅绝缘层与该栅极线电绝缘。该TFT电连接至该栅极线和数据线。该钝化层覆盖住该TFT层。该有机层在该钝化层上。该低温沉积的无机绝缘层在该有机层上，并且该低温为约100℃至约250℃。该像素电极在该无机绝缘层上，以通过穿过该无机绝缘层、有机层和钝化层形成的接触孔电连接至该TFT。该无机绝缘层有助于阻挡来自该有机层的杂质泄漏到该无机绝缘层上方的层中。本发明还涉及一种显示基板的制造方法和一种具有该显示基板的显示装置。
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公开(公告)号：CN101097854A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710129230.8
申请日：2007-02-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/18 , H01L21/205 , H01L21/324 , H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: C23C16/24 , C23C16/56 , G02F1/133305 , G02F1/133345 , H01L27/1214 , H01L27/1262 , H01L27/127 , H01L29/78603
Abstract: 本发明涉及具有增强的薄膜半导体层的柔性显示装置及其制造方法，包括通过RF溅射在柔性塑料基板上形成阻挡层，在塑料基板上形成非晶硅层，以及使非晶硅层经受快速热处理从而改善非晶硅层的电特性和/或均一性。
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