公开(公告)号：CN101159274A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200710163017.9

申请日：2007-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁成勋 ,  金巢云 ,  黄太亨 ,  金妍周 ,  尹铢浣 ,  蔡钟哲

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/528 ,  H01L29/786 ,  H01L29/41

CPC classification number: H01L27/283 ,  H01L27/285 ,  H01L27/3262

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)基底，该薄膜晶体管基底被这样构造：即使在漏电极和对应的栅极线之间存在制造引起的未对准的情况下，也因每个TFT的漏极和栅极之间的密勒电容使得在基底的整个区域上反冲电压保持恒定。每个薄膜晶体管包括：栅电极；有源层，形成在栅电极上，以与栅电极叠置；第一源电极和第二源电极，分别连接到第一数据线和第二数据线，第一数据线和第二数据线中的每条与栅极线交叉，并与栅极线绝缘；延长的漏电极，位于第一源电极和第二源电极之间，并设置在栅电极上方，以使交叉的漏电极的长度大于下面的栅电极的宽度，从而未对准引起的栅电极的位置相对于漏电极的移动基本没有改变栅电极和漏电极之间的叠置面积。