具有用于补偿掩模未对准的结构的薄膜晶体管基底

    公开(公告)号:CN101159274A

    公开(公告)日:2008-04-09

    申请号:CN200710163017.9

    申请日:2007-09-28

    CPC classification number: H01L27/283 H01L27/285 H01L27/3262

    Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)基底,该薄膜晶体管基底被这样构造:即使在漏电极和对应的栅极线之间存在制造引起的未对准的情况下,也因每个TFT的漏极和栅极之间的密勒电容使得在基底的整个区域上反冲电压保持恒定。每个薄膜晶体管包括:栅电极;有源层,形成在栅电极上,以与栅电极叠置;第一源电极和第二源电极,分别连接到第一数据线和第二数据线,第一数据线和第二数据线中的每条与栅极线交叉,并与栅极线绝缘;延长的漏电极,位于第一源电极和第二源电极之间,并设置在栅电极上方,以使交叉的漏电极的长度大于下面的栅电极的宽度,从而未对准引起的栅电极的位置相对于漏电极的移动基本没有改变栅电极和漏电极之间的叠置面积。

    液晶显示器
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1945408A

    公开(公告)日:2007-04-11

    申请号:CN200610143153.7

    申请日:2006-08-16

    CPC classification number: G02F1/134309 G02F1/13624 G02F2001/134345

    Abstract: 本发明的液晶显示器包括:衬底;多个设置在衬底上的第一子像素电极,每个第一子像素电极具有一对彼此基本上平行的弯曲边缘;多个设置在衬底上的第二子像素电极,每个第二子像素电极具有一对彼此基本上平行的弯曲边缘,每对第一和第二子像素电极设置在第一方向上并形成像素电极;以及面向包括所述像素电极的多个像素电极的公共电极,其中第一和第二子像素电极在基本上垂直于第一方向的第二方向上具有不同的长度。

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