公开(公告)号：CN101267708B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN200810100302.0

申请日：2008-02-05

Applicant: 三星电子株式会社 ,  韩国科学技术院

Inventor： 黄太亨 ,  张鸿永

IPC: H01L21/00 ,  H05H1/46 ,  H01L23/00

Abstract: 本发明涉及等离子处理装置及处理方法，其产生均匀等离子以对大面积基板能够实施匀化处理。该等离子处理装置包含：真空腔；配置于真空腔内部下侧、由多个块件形成的下部电极；配置于真空腔内部上侧、呈接地状态的上部电极；向真空腔内部提供工艺气体的工艺气体供给部；与下部电极连接、并施加电源功率的电源功率供给部；与下部电极的各块件分别连接、向各块件单独提供偏置功率的偏置功率供给部；及计算施加于下部电极各块件的偏置功率、并控制偏置功率供给部的控制部。

公开(公告)号：CN101267708A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200810100302.0

申请日：2008-02-05

Applicant: 三星电子株式会社 ,  韩国科学技术院

Inventor： 黄太亨 ,  张鸿永

IPC: H05H1/46 ,  H01L23/00

Abstract: 本发明涉及等离子处理装置及处理方法，其产生均匀等离子以对大面积基板能够实施匀化处理。该等离子处理装置包含：真空腔；配置于真空腔内部下侧、由多个块件形成的下部电极；配置于真空腔内部上侧、呈接地状态的上部电极；向真空腔内部提供工艺气体的工艺气体供给部；与下部电极连接、并施加电源功率的电源功率供给部；与下部电极的各块件分别连接、向各块件单独提供偏置功率的偏置功率供给部；及计算施加于下部电极各块件的偏置功率、并控制偏置功率供给部的控制部。

公开(公告)号：CN101159274A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200710163017.9

申请日：2007-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁成勋 ,  金巢云 ,  黄太亨 ,  金妍周 ,  尹铢浣 ,  蔡钟哲

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/528 ,  H01L29/786 ,  H01L29/41

CPC classification number: H01L27/283 ,  H01L27/285 ,  H01L27/3262

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)基底，该薄膜晶体管基底被这样构造：即使在漏电极和对应的栅极线之间存在制造引起的未对准的情况下，也因每个TFT的漏极和栅极之间的密勒电容使得在基底的整个区域上反冲电压保持恒定。每个薄膜晶体管包括：栅电极；有源层，形成在栅电极上，以与栅电极叠置；第一源电极和第二源电极，分别连接到第一数据线和第二数据线，第一数据线和第二数据线中的每条与栅极线交叉，并与栅极线绝缘；延长的漏电极，位于第一源电极和第二源电极之间，并设置在栅电极上方，以使交叉的漏电极的长度大于下面的栅电极的宽度，从而未对准引起的栅电极的位置相对于漏电极的移动基本没有改变栅电极和漏电极之间的叠置面积。