公开(公告)号：CN1956225A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200610152496.X

申请日：2006-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金秉浚 ,  梁成勋 ,  吴旼锡 ,  崔在镐 ,  崔龙模

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/15 ,  H01L27/32 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78669 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765

Abstract: TFT包括栅极、活性层、源极、漏极、和缓冲层。栅极形成在基板上，活性层形成在栅极上。形成在活性层上的源极和漏极分离预定距离。缓冲层形成在活性层与源极及漏极之间。缓冲层具有对应于缓冲层厚度的基本连续变化的含量比。缓冲层被形成以抑制活性层的氧化，并降低接触电阻。

公开(公告)号：CN1956225B

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200610152496.X

申请日：2006-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金秉浚 ,  梁成勋 ,  吴旼锡 ,  崔在镐 ,  崔龙模

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/15 ,  H01L27/32 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78669 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765

Abstract: TFT包括栅极、活性层、源极、漏极、和缓冲层。栅极形成在基板上，活性层形成在栅极上。形成在活性层上的源极和漏极分离预定距离。缓冲层形成在活性层与源极及漏极之间。缓冲层具有对应于缓冲层厚度的基本连续变化的含量比。缓冲层被形成以抑制活性层的氧化，并降低接触电阻。

公开(公告)号：CN101026093B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200710079362.4

申请日：2007-02-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 库纳尔·吉罗特拉 ,  金秉浚 ,  梁成勋

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/04 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L27/1296

Abstract: 一种制造硅层的方法，其包括：使用包括四氟化硅(SiF4)气体、三氟化氮(NF3)气体、SiF4-H2气体及其混合物中的至少一种的第一反应气体，通过等离子增强化学气相沉积方法对形成于基板上的氮化硅层的表面进行预处理。然后，使用第二反应气体，通过等离子增强化学气相沉积方法在预处理后的氮化硅层上形成硅层，所述第二反应气体包括包含四氟化硅(SiF4)、氢气(H2)和氩气(Ar)的混合气体。

公开(公告)号：CN101026093A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200710079362.4

申请日：2007-02-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 库纳尔·吉罗特拉 ,  金秉浚 ,  梁成勋

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/04 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L27/1296

Abstract: 一种制造硅层的方法，其包括：使用包括四氟化硅(SiF4)气体、三氟化氮(NF3)气体、SiF4－H2气体及其混合物中的至少一种的第一反应气体，通过等离子增强化学气相沉积方法对形成于基板上的氮化硅层的表面进行预处理。然后，使用第二反应气体，通过等离子增强化学气相沉积方法在预处理后的氮化硅层上形成硅层，所述第二反应气体包括包含四氟化硅(SiF4)、氢气(H2)和氩气(Ar)的混合气体。

公开(公告)号：CN1786801A

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：CN200510127692.7

申请日：2005-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁成勋 ,  库纳尔·萨蒂亚布尚·吉罗特拉 ,  金秉浚

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L29/458 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供了一种TFT阵列面板，包括：基底；具有栅电极的栅极线；形成在栅极线上的栅极绝缘层；具有源电极的数据线和与源电极隔开的漏电极；形成在数据线和漏电极上的钝化层；以及连接至漏电极的像素电极。TFT阵列面板进一步包括位于栅极绝缘层和钝化层的至少一个之下的包括Si的保护层，从而增加可靠性。