公开(公告)号：CN1956225B

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200610152496.X

申请日：2006-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金秉浚 ,  梁成勋 ,  吴旼锡 ,  崔在镐 ,  崔龙模

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/15 ,  H01L27/32 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78669 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765

Abstract: TFT包括栅极、活性层、源极、漏极、和缓冲层。栅极形成在基板上，活性层形成在栅极上。形成在活性层上的源极和漏极分离预定距离。缓冲层形成在活性层与源极及漏极之间。缓冲层具有对应于缓冲层厚度的基本连续变化的含量比。缓冲层被形成以抑制活性层的氧化，并降低接触电阻。

公开(公告)号：CN101232041A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200810000902.X

申请日：2008-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金秉濬 ,  崔龙模 ,  崔凡洛 ,  梁成勋 ,  吴和烈 ,  崔在镐 ,  许宗茂

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84

Abstract: 显示器件包括：绝缘基板；形成在绝缘基板上的开关TFT，开关TFT接收数据电压并包括第一半导体层；形成在基板上的驱动TFT，驱动TFT包括与开关TFT的输出终端连接的控制终端和含有多晶硅和卤素材料的第二半导体层；绝缘层，形成在开关TFT和驱动TFT上；第一电极，形成在绝缘层上并电连接到驱动TFT的输出终端；有机发光层，形成在第一电极上；和第二电极，形成在有机发光层上。本发明还涉及显示器件的制造方法。

公开(公告)号：CN101487961A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200910002122.3

申请日：2009-01-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹甲洙 ,  梁成勋 ,  金成烈 ,  吴和烈 ,  崔在镐 ,  崔龙模

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/017 ,  H01L27/12

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F2202/108 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种显示基板以及包括该显示基板的显示装置。所述显示基板包括：栅极布线；第一半导体图案，所述第一半导体图案形成在所述栅极布线上并且具有第一能带隙；第二半导体图案，所述第二半导体图案形成在所述第一半导体图案上并且具有第二能带隙，所述第二能带隙大于所述第一能带隙；数据布线，所述数据布线形成在所述第一半导体图案上；以及像素电极，所述像素电极与所述数据布线电连接。由于所述第二能带隙大于所述第一能带隙，因此在所述第一半导体图案中形成量子阱，从而提高其中的电子迁移率。

公开(公告)号：CN1956225A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200610152496.X

申请日：2006-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金秉浚 ,  梁成勋 ,  吴旼锡 ,  崔在镐 ,  崔龙模

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/15 ,  H01L27/32 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78669 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765

Abstract: TFT包括栅极、活性层、源极、漏极、和缓冲层。栅极形成在基板上，活性层形成在栅极上。形成在活性层上的源极和漏极分离预定距离。缓冲层形成在活性层与源极及漏极之间。缓冲层具有对应于缓冲层厚度的基本连续变化的含量比。缓冲层被形成以抑制活性层的氧化，并降低接触电阻。