薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

    公开(公告)号:CN1841779B

    公开(公告)日:2012-01-04

    申请号:CN200610059123.8

    申请日:2006-03-14

    CPC classification number: H01L27/1296 H01L29/04

    Abstract: 本发明涉及一种TFT、一种TFT阵列面板和制造TFT阵列面板的方法。制造TFT阵列面板的方法包括:在基板上形成彼此分开的第一电极和第二电极;在基板上形成包括非晶硅和多晶硅的硅层;通过构图硅层形成半导体;在半导体上形成栅极绝缘层;形成第三电极来与栅极绝缘层上的半导体重叠;在第三电极上形成钝化层;以及在钝化层上形成像素电极。因为TFT在TFT的沟道区包括多晶硅,所以TFT阵列面板具有高的迁移率。

    显示板
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1735302B

    公开(公告)日:2010-05-05

    申请号:CN200510098102.2

    申请日:2005-07-04

    CPC classification number: H01L27/3276 H01L27/3246 H01L51/5092 H01L51/5221

    Abstract: 一种用于有机发光显示器的显示板,包括多个阳极电极和一阴极电极,给所述阴极电极提供预定电压,所述阴极电极包括面向所述阳极电极的第一部分和接收所述预定电压的第二部分,所述第二部分具有与所述第一部分不同的横截面。多个发光元件排列在所述阳极电极和所述阴极电极之间,且导线传输所述预定电压并接触所述阴极电极第二部分。

    显示装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100550412C

    公开(公告)日:2009-10-14

    申请号:CN200610154181.9

    申请日:2006-09-15

    CPC classification number: H01L27/3269 H01L27/3262 H01L2227/323

    Abstract: 一种显示装置,包括基板和设置于基板上的光传感器。光传感器包括:半导体层;输入端子,电连接至半导体层;以及输出端子,电连接至半导体层。第一绝缘层设置于光传感器上,像素电极、有机层、和共用电极层依次设置于第一绝缘层上,并且控制器基于光传感器的输出控制对像素电极的输入。因此,本发明提供了一种能够减少寄生电容的显示装置。

    多色显示装置及其驱动方法

    公开(公告)号:CN101114423A

    公开(公告)日:2008-01-30

    申请号:CN200710139036.8

    申请日:2007-07-23

    Abstract: 本发明提供了一种显示装置及其驱动方法。该显示装置包括:多个像素,显示第一颜色、第二颜色、第三颜色和白色;信号处理器,基于显示第一颜色、第二颜色和第三颜色的三个输入图像信号来产生白色输出图像信号,基于白色输出图像信号来产生白色色温校正常数,并基于白色色温校正常数来产生校正了第一颜色输入图像信号、第二颜色输入图像信号和第三颜色输入图像信号的第一颜色输出图像信号、第二颜色输出图像信号和第三颜色输出图像信号;数据驱动器,将输出图像信号转换成数据电压并将数据电压提供到像素,以使像素能够显示图像。

    薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

    公开(公告)号:CN1879054A

    公开(公告)日:2006-12-13

    申请号:CN200480033271.1

    申请日:2004-09-16

    Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管阵列面板、液晶显示器及其制造方法。用于LCD的薄膜晶体管阵列面板用于以独立方式驱动各个像素的电路板。本发明提供了像素电极和把栅极线和数据线的扩展部分连接到外部电路的接触辅助,它们具有包括IZO层和ITO层的双层结构。ITO层设置在IZO层上。在本发明中,像素电极形成为具有IZO层和ITO层的双层以避免在总体测试过程中布线被ITO蚀刻剂破坏并防止探针上的异物堆积。在本发明中,可以仅接触辅助形成为具有IZO层和ITO层的双层,以防止在总体测试过程中探针上的异物堆积。由于减小了ITO的消耗,降低了制造成本。

    薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

    公开(公告)号:CN1841779A

    公开(公告)日:2006-10-04

    申请号:CN200610059123.8

    申请日:2006-03-14

    CPC classification number: H01L27/1296 H01L29/04

    Abstract: 本发明涉及一种TFT、一种TFT阵列面板和制造TFT阵列面板的方法。制造TFT阵列面板的方法包括:在基板上形成彼此分开的第一电极和第二电极;在基板上形成包括非晶硅和多晶硅的硅层;通过构图硅层形成半导体;在半导体上形成栅极绝缘层;形成第三电极来与栅极绝缘层上的半导体重叠;在第三电极上形成钝化层;以及在钝化层上形成像素电极。因为TFT在TFT的沟道区包括多晶硅,所以TFT阵列面板具有高的迁移率。

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