公开(公告)号：CN102169904A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201110008745.9

申请日：2011-01-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金己园 ,  尹甲洙 ,  金度贤 ,  李贤贞

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明提供一种显示基板。该显示基板包括：设置在基板上的栅互连；设置在该栅互连上且包括氧化物半导体的氧化物半导体图案；以及设置在该氧化物半导体图案上的数据互连。该氧化物半导体图案包括：具有第一氧化物和第一元素的第一氧化物半导体图案；以及具有第二氧化物的第二氧化物半导体图案。

公开(公告)号：CN102544026A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110259413.8

申请日：2011-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔永株 ,  李禹根 ,  尹甲洙 ,  金己园 ,  陈尚完 ,  宋栽沅 ,  朱迅

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板。该薄膜晶体管阵列面板包括：绝缘基板；栅线，设置在绝缘基板上并具有栅电极；第一栅绝缘层，设置在栅线上且由硅氮化物制成；第二栅绝缘层，设置在第一栅绝缘层上且由硅氧化物制成；氧化物半导体，设置在第二栅绝缘层上；数据线，设置在氧化物半导体上且具有源电极；漏电极，设置在氧化物半导体上且面对源电极；以及像素电极，连接到漏电极。第二栅绝缘层的厚度可以在从200至500的范围。

公开(公告)号：CN101487961A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200910002122.3

申请日：2009-01-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹甲洙 ,  梁成勋 ,  金成烈 ,  吴和烈 ,  崔在镐 ,  崔龙模

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/017 ,  H01L27/12

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F2202/108 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种显示基板以及包括该显示基板的显示装置。所述显示基板包括：栅极布线；第一半导体图案，所述第一半导体图案形成在所述栅极布线上并且具有第一能带隙；第二半导体图案，所述第二半导体图案形成在所述第一半导体图案上并且具有第二能带隙，所述第二能带隙大于所述第一能带隙；数据布线，所述数据布线形成在所述第一半导体图案上；以及像素电极，所述像素电极与所述数据布线电连接。由于所述第二能带隙大于所述第一能带隙，因此在所述第一半导体图案中形成量子阱，从而提高其中的电子迁移率。