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公开(公告)号：CN106024658B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201510981900.3
申请日：2015-12-23
申请人： 株式会社日立国际电气
CPC分类号： H01L22/12 , C23C16/24 , C23C16/56 , H01L21/3212 , H01L21/32139 , H01L22/20
摘要： 本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。抑制半导体器件的特性偏差。具有下述工序：对在凸结构上具有实施了研磨后的第一含硅层的衬底的所述第一含硅层的膜厚分布数据进行接收的工序；基于膜厚分布数据，运算使衬底的中央面侧的膜厚与外周面侧的膜厚之差减小的处理数据的工序；将衬底搬入处理室的工序；向衬底供给处理气体的工序；和基于处理数据，在衬底上形成规定磁力的磁场、使处理气体活化，从而修正所述第一含硅层的膜厚分布的工序。
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公开(公告)号：CN108603052A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201680080980.8
申请日：2016-10-26
申请人： 法赫德国王石油矿产大学
IPC分类号： C09D5/16 , C09D119/00 , C09D163/00
CPC分类号： C09D163/00 , B05D1/60 , C08K5/05 , C09D5/00 , C09D5/16 , C09D5/1675 , C09D5/1693 , C09D7/63 , C09D7/65 , C09D117/00 , C09D119/003 , C09D179/02 , C23C16/24 , C23C16/44
摘要： 具有疏水性表面的再利用碎橡胶涂层及其制备方法。具有疏水性表面的涂层，包括约24-50wt％的碎橡胶和约25-75wt％的包含液体环氧树脂和环氧化物固化剂的环氧化物，以及包含至少一种硅烷且设置在所述再利用碎橡胶涂层表面上形成疏水性表面的第一硅烷膜。所述方法包括(a)混合碎橡胶与液体环氧树脂，形成第一混合物，(b)混合第一混合物与环氧化物固化剂，形成再利用碎橡胶涂层，和(c)将包含至少一种硅烷的第一硅烷膜沉积在所述再利用碎橡胶涂层的表面上，形成所述再利用碎橡胶涂层的疏水性表面。
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公开(公告)号：CN107925067A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680049763.2
申请日：2016-12-09
申请人： 株式会社LG化学
IPC分类号： H01M4/36 , C01B33/021 , C23C16/24 , H01M10/052 , H01M4/134 , H01M4/38 , H01M4/587
CPC分类号： C01B33/021 , C23C16/24 , H01M4/134 , H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/587 , H01M10/052
摘要： 本发明涉及：制备二次电池用负极活性材料的方法，所述方法能够在纳米尺寸的硅粒子制备期间防止氧化；通过所述方法制备的二次电池用负极活性材料；包含所述二次电池用负极活性材料的二次电池用负极；以及锂二次电池。
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公开(公告)号：CN107921403A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680050302.7
申请日：2016-08-26
申请人： 韩华化学株式会社
CPC分类号： C23C16/466 , B01J4/002 , B01J19/24 , B01J2208/00318 , C01B33/035 , C23C16/24
摘要： 根据本发明示例性实施方式的多晶硅制造装置包括：反应器，其设置在基座上并形成反应室；一对引线，其设置在基座中并延伸到反应室中；棒丝，其设置在反应室中的引线中，在其上端通过棒桥彼此连接，并且在此处通过化学气相沉积(CVD)工艺由原料气体形成多晶硅硅棒；以及冷却喷嘴，其将冷却气体喷射到由在棒桥和棒丝周围沉积的硅形成的硅棒上。
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公开(公告)号：CN107889510A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201680034649.2
申请日：2016-06-14
申请人： 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC分类号： C23C16/24 , C23C16/34 , C23C16/36 , C23C16/40 , C23C16/455 , H01L21/02 , H01L21/3205
CPC分类号： C23C16/45553 , C07F7/02 , C23C16/24 , C23C16/345 , C23C16/36 , C23C16/402 , C23C16/45536 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/32055
摘要： 本文描述了卤硅烷化合物、用于合成卤硅烷化合物的方法、包含卤硅烷前体的组合物以及用于使用卤硅烷前体沉积含硅膜(例如硅、无定形硅、氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、掺杂硅膜和金属掺杂氮化硅膜)的方法。本文所述的卤硅烷前体化合物的实例包括但不限于一氯乙硅烷(MCDS)、一溴乙硅烷(MBDS)、一碘乙硅烷(MIDS)、一氯丙硅烷(MCTS)和一溴丙硅烷(MBTS)、一碘丙硅烷(MITS)。本文还描述了用于在约500℃或更低的一个或多个沉积温度下沉积含硅膜(例如但不限于硅、无定形硅、氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、掺杂硅膜和金属掺杂氮化硅膜)的方法。
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公开(公告)号：CN103898601B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201310741406.0
申请日：2013-12-27
申请人： 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： H01L21/02532 , C23C16/0272 , C23C16/24 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02488 , H01L21/02502 , H01L21/0262
摘要： 本发明提供一种晶种层的形成方法、硅膜的成膜方法以及成膜装置，所述晶种层的形成方法在基底上形成晶种层，所述晶种层成为薄膜的晶种，其具备下述工序：（1）将基底加热，在加热了的基底表面上供给氨基硅烷系气体，在基底表面上形成第一晶种层；以及（2）将基底加热，在加热了的基底表面上供给乙硅烷以上的高阶硅烷系气体，在形成有第一晶种层的基底表面上形成第二晶种层，将前述（1）工序中的处理温度设为不足400℃且前述氨基硅烷系气体中包含的至少硅能够吸附在前述基底表面上的温度以上，将前述（2）工序中的处理温度设为不足400℃且前述乙硅烷以上的高阶硅烷系气体中包含的至少硅能够吸附在形成有前述第一晶种层的前述基底表面上的温度以上。
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公开(公告)号：CN107680898A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710648342.8
申请日：2017-08-01
申请人： 株式会社日立国际电气
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/3065 , C23C16/24 , C23C16/455
CPC分类号： H01L21/02164 , C23C16/045 , C23C16/24 , C23C16/30 , C23C16/45523 , C23C16/45531 , C23C16/45534 , C23C16/52 , C23C16/56 , C30B25/005 , C30B25/02 , C30B25/06 , H01L21/02126 , H01L21/02233 , H01L21/02636 , H01L21/32055 , H01L29/66636 , H01L21/02532 , C23C16/45563 , H01L21/0257 , H01L21/02592 , H01L21/0262 , H01L21/3065
摘要： 本申请涉及半导体装置的制造方法、基板处理装置和存储介质。本发明所要解决的课题是，提高基板上形成的Si膜的膜质。作为解决上述课题的手段，提供一种半导体装置的制造方法，其具有：在处理室内的基板上形成第1非晶硅膜的工序；以及，在处理室内，在维持第1非晶硅膜的非晶状态的温度下，使用氯化氢气体对第1非晶硅膜的一部分进行蚀刻的工序。
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公开(公告)号：CN107406977A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680011976.6
申请日：2016-02-25
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/40 , C23C16/505 , C23C16/56
CPC分类号： H01L21/28518 , C23C16/24 , C23C16/30 , C23C16/308 , C23C16/401 , C23C16/45523 , C23C16/505 , C23C16/56 , C30B25/165 , C30B29/06 , C30B29/52 , H01L21/0262 , H01L21/02636
摘要： 本文提供了使用自组装单层(self-assembled monolayer；SAM)的选择性电介质沉积的方法。一种在具有暴露的硅表面和暴露的含硅表面的基板顶上选择性沉积低k电介质层的方法，包括：(a)在暴露的含硅表面顶上生长基于有机硅烷的自组装单层，其中基于有机硅烷的自组装单层在大于约300摄氏度的第一温度下是热稳定的；以及(b)在基板的暴露的硅表面顶上选择性地沉积低k电介质层，其中基于有机硅烷的自组装单层抑制低k电介质层沉积在含硅表面顶上。
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公开(公告)号：CN103898472B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201310741893.0
申请日：2013-12-27
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/24 , C23C16/455 , C23C16/52
CPC分类号： H01L21/02532 , C23C16/0218 , C23C16/24 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02488 , H01L21/0262
摘要： 本发明提供一种硅膜的成膜方法以及成膜装置，所述成膜方法在基底上形成包含硅膜的膜，其具备：将该基底加热，在加热了的基底表面上供给氨基硅烷系气体，在基底表面上形成晶种层的工序；以及，将基底加热，在加热了的基底表面的晶种层上供给不含氨基的硅烷系气体，在晶种层上形成硅膜的工序，前述晶种层的形成工序所使用的氨基硅烷系气体的分子中包含2个以上的硅。
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