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公开(公告)号：CN116685711A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202180086385.6
申请日：2021-11-17
申请人： 应用材料公司
发明人： 塔帕什·查克拉博蒂 , 尼廷·迪帕克 , 普雷纳·桑塔利亚·戈拉迪亚 , 巴扈巴利·S·乌帕德亚 , 奈尔施·奇尔曼奥·巴古 , 苏布拉曼亚·P·赫尔勒 , 维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南
IPC分类号： C23C16/44
摘要： 移除含锂沉积物的示例性方法可包括加热含锂沉积物的表面。该表面可包括氧或氮，并且含锂沉积物可以设置在处理腔室的表面上。这些方法可包括使含锂沉积物的表面与含氢前驱物接触。接触可氢化含锂沉积物的表面。这些方法可包括使含锂沉积物与含氮前驱物接触以形成挥发性副产物。这些方法可包括从处理腔室中排出含锂沉积物的挥发性副产物。
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公开(公告)号：CN107406977A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680011976.6
申请日：2016-02-25
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/40 , C23C16/505 , C23C16/56
CPC分类号： H01L21/28518 , C23C16/24 , C23C16/30 , C23C16/308 , C23C16/401 , C23C16/45523 , C23C16/505 , C23C16/56 , C30B25/165 , C30B29/06 , C30B29/52 , H01L21/0262 , H01L21/02636
摘要： 本文提供了使用自组装单层(self-assembled monolayer；SAM)的选择性电介质沉积的方法。一种在具有暴露的硅表面和暴露的含硅表面的基板顶上选择性沉积低k电介质层的方法，包括：(a)在暴露的含硅表面顶上生长基于有机硅烷的自组装单层，其中基于有机硅烷的自组装单层在大于约300摄氏度的第一温度下是热稳定的；以及(b)在基板的暴露的硅表面顶上选择性地沉积低k电介质层，其中基于有机硅烷的自组装单层抑制低k电介质层沉积在含硅表面顶上。
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公开(公告)号：CN117716063A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202280047698.5
申请日：2022-06-08
申请人： 应用材料公司
发明人： 尼廷·迪帕克 , 塔帕什·查克拉博蒂 , 普雷纳·桑塔利亚·戈拉迪亚 , 维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南 , 奈尔施·奇尔曼奥·巴古 , 巴扈巴利·S·乌帕德亚
摘要： 公开了蚀刻碱金属化合物的方法。本公开内容的一些实施方式将碱金属化合物暴露于醇，以形成挥发性金属醇盐。本公开内容的一些实施方式将碱金属化合物暴露于β‑二酮，以形成挥发性碱金属β‑二酮酸盐化合物。在沉积工艺之后原位执行本公开内容的一些实施方式。本公开内容的一些实施方式提供了选择性蚀刻碱金属化合物的方法。
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公开(公告)号：CN114051485A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202080048619.3
申请日：2020-06-16
申请人： 应用材料公司
摘要： 本文描述的实施方式涉及扁平光学器件和形成扁平光学器件的方法。一个实施方式包括基板，该基板具有在其上形成的第一多个支柱的第一布置。第一多个支柱的第一布置包括具有高度h和横向距离d的支柱，以及与第一多个支柱中的相邻支柱之间的距离相对应的间隙g。间隙g与高度h的深宽比在约1：1和约1:20之间。第一封装层设置在第一多个支柱的第一布置上。第一封装层的折射率为约1.0至约1.5。第一封装层、基板与第一布置的每个支柱在它们之间界定第一空间。第一空间的折射率为约1.0至约1.5。
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