公开(公告)号：CN116096937A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202180054207.5

申请日：2021-08-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 詹妮弗·Y·孙 ,  仁观·段 ,  加亚特里·纳图 ,  金泰远 ,  黄际勇 ,  尼廷·迪帕克 ,  保罗·布里尔哈特 ,  张林 ,  陈奕凯 ,  桑尼·辛尼卡·塞帕拉 ,  加内什·巴拉萨布拉曼尼恩 ,  胡安·卡洛斯·罗奇 ,  尚卡•文卡塔拉曼 ,  凯瑟琳·伊丽莎白·沃

IPC: C23C16/44

Abstract: 本公开内容的实施方式涉及制品、经涂布的腔室部件，以及通过保护涂层涂布腔室部件的方法，所述保护涂层包括具有选自由M1xFw、M1xM2yFw及M1xM2yM3zFw6组成的组的式的至少一种金属氟化物，其中M1、M2或M3中的至少一者为镁或镧。可通过原子层沉积、化学气相沉积、电子束离子辅助沉积或物理气相沉积来沉积保护涂层。

公开(公告)号：CN116685711A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202180086385.6

申请日：2021-11-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 塔帕什·查克拉博蒂 ,  尼廷·迪帕克 ,  普雷纳·桑塔利亚·戈拉迪亚 ,  巴扈巴利·S·乌帕德亚 ,  奈尔施·奇尔曼奥·巴古 ,  苏布拉曼亚·P·赫尔勒 ,  维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南

IPC: C23C16/44

Abstract: 移除含锂沉积物的示例性方法可包括加热含锂沉积物的表面。该表面可包括氧或氮，并且含锂沉积物可以设置在处理腔室的表面上。这些方法可包括使含锂沉积物的表面与含氢前驱物接触。接触可氢化含锂沉积物的表面。这些方法可包括使含锂沉积物与含氮前驱物接触以形成挥发性副产物。这些方法可包括从处理腔室中排出含锂沉积物的挥发性副产物。

公开(公告)号：CN115734826A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202180046633.4

申请日：2021-06-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 阿布舍克·曼达尔 ,  尼廷·迪帕克 ,  尼哈·古普塔 ,  普雷纳·桑塔利亚·戈拉迪亚 ,  安库尔·凯达姆 ,  大野贤一 ,  大卫·亚历山大·布里兹 ,  兰斯·A·斯卡德尔

IPC: B08B3/08

Abstract: 本公开内容的实施方式总体涉及通过去除腐蚀部和沉积保护涂层来翻新航空部件的方法。在一个或多个实施方式中，一种航空部件的翻新方法包括将包含腐蚀部的航空部件暴露于水性清洁溶液。所述航空部件包括镍超合金、设置在所述镍超合金上的铝化物层和设置在所述铝化物层上的氧化铝层。所述方法包括使用所述水性清洁溶液从氧化铝层的一部分去除腐蚀部以露出氧化铝层，然后将所述氧化铝层暴露于后冲洗液，以及在所述氧化铝层上形成保护涂层。

公开(公告)号：CN117062939A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202280022451.8

申请日：2022-02-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 尼廷·迪帕克 ,  加亚特里•纳图 ,  阿尔伯特·巴雷特·希克斯 ,  普雷纳·桑塔利亚·戈拉迪亚 ,  詹妮弗•Y•孙

IPC: C23C16/455

Abstract: 提供了形成金属氟氧化物膜的方法。将基板放置在具有处理区的原子层沉积(ALD)腔室中。将含锆气体、锆前驱物气体(例如，三(二甲基氨基)环戊二烯基锆)、含氧气体、含氟气体和钇前驱物(例如，三(丁基环戊二烯基)钇气体的流递送到所述处理区，其中形成金属氟氧化物膜，诸如氟氧化钇锆膜。

公开(公告)号：CN117716063A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202280047698.5

申请日：2022-06-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 尼廷·迪帕克 ,  塔帕什·查克拉博蒂 ,  普雷纳·桑塔利亚·戈拉迪亚 ,  维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南 ,  奈尔施·奇尔曼奥·巴古 ,  巴扈巴利·S·乌帕德亚

IPC: C23C16/44 ,  C09K13/00

Abstract: 公开了蚀刻碱金属化合物的方法。本公开内容的一些实施方式将碱金属化合物暴露于醇，以形成挥发性金属醇盐。本公开内容的一些实施方式将碱金属化合物暴露于β‑二酮，以形成挥发性碱金属β‑二酮酸盐化合物。在沉积工艺之后原位执行本公开内容的一些实施方式。本公开内容的一些实施方式提供了选择性蚀刻碱金属化合物的方法。

公开(公告)号：CN114375491A

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN202080063444.3

申请日：2020-09-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 尼廷·迪帕克 ,  普雷纳·桑塔利亚·戈拉迪亚

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/768

Abstract: 本公开内容一般涉及用于选择性地蚀刻在基板半导体制造应用上的铜、钴和/或铝层的方法。将包括一个或多个铜层、钴层或铝层的基板传送到处理腔室。氧化所述铜、钴或铝层的表面。然后，将所述氧化的铜、钴或铝表面暴露于六氟乙酰丙酮蒸气。所述六氟乙酰丙酮蒸气与所述氧化的铜、钴或铝表面反应以形成挥发性化合物，然后，将所述挥发性化合物泵送出所述腔室。所述氧化的铜、钴或铝表面与所述六氟乙酰丙酮蒸气的所述反应选择性原子层蚀刻所述铜、钴或铝表面。