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公开(公告)号：CN116096937A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202180054207.5
申请日：2021-08-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 詹妮弗·Y·孙 , 仁观·段 , 加亚特里·纳图 , 金泰远 , 黄际勇 , 尼廷·迪帕克 , 保罗·布里尔哈特 , 张林 , 陈奕凯 , 桑尼·辛尼卡·塞帕拉 , 加内什·巴拉萨布拉曼尼恩 , 胡安·卡洛斯·罗奇 , 尚卡•文卡塔拉曼 , 凯瑟琳·伊丽莎白·沃
IPC: C23C16/44
Abstract: 本公开内容的实施方式涉及制品、经涂布的腔室部件，以及通过保护涂层涂布腔室部件的方法，所述保护涂层包括具有选自由M1xFw、M1xM2yFw及M1xM2yM3zFw6组成的组的式的至少一种金属氟化物，其中M1、M2或M3中的至少一者为镁或镧。可通过原子层沉积、化学气相沉积、电子束离子辅助沉积或物理气相沉积来沉积保护涂层。
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公开(公告)号：CN101293771B
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN200710122759.7
申请日：2007-07-04
Applicant: 应用材料公司
IPC: C04B35/50
CPC classification number: C04B35/505 , B32B18/00 , C04B35/486 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3224 , C04B2235/3229 , C04B2235/3244 , C04B2235/6582 , C04B2235/668 , C04B2235/762 , C04B2235/80 , C04B2235/9669 , H01J37/32467 , H01J37/32504 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供了一种对于半导体处理中使用的含卤素等离子体耐腐蚀的陶瓷制品。该陶瓷制品包括典型地包括两相到三相的多相陶瓷。在第一实施方式中，该陶瓷由以下成分形成，即：摩尔浓度变化范围从约50％摩尔比到约75％摩尔比的氧化钇；摩尔浓度变化范围从约10％摩尔比到约30％摩尔比的氧化锆；以及选自包括氧化铝、氧化铪、氧化钪、氧化钕、氧化铌、氧化钐、氧化镱、氧化铒、氧化铈及上述物质的组合的至少一个其他成分，所述至少一种其他成分浓度变化范围从约10％摩尔比到约30％摩尔比。在第二实施方式中，陶瓷制品包括由摩尔浓度变化范围从90％摩尔比到约70％摩尔比的氧化钇，以及摩尔浓度变化范围从约10％摩尔比到约30％摩尔比的氧化锆形成的陶瓷，其中所述陶瓷的平均颗粒尺寸变化范围从约2μm到约8μm。在第三实施方式中，该陶瓷制品包括由摩尔浓度变化范围从96％摩尔比到约94％摩尔比的氧化锆，以及摩尔浓度变化范围从约4％摩尔比到约6％摩尔比的氧化钇形成的陶瓷。
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公开(公告)号：CN103102157A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201210592683.5
申请日：2007-07-04
Applicant: 应用材料公司
IPC: C04B35/505
CPC classification number: C23C16/4404 , H01J37/32467 , H01J37/32495
Abstract: 本发明提供了一种对于半导体处理中使用的含卤素等离子体耐腐蚀的陶瓷制品。该陶瓷制品包括典型地包括两相到三相的多相陶瓷。在第一实施方式中，该陶瓷由以下成分形成，即：摩尔浓度变化范围从约50％摩尔比到约75％摩尔比的氧化钇；摩尔浓度变化范围从约10％摩尔比到约30％摩尔比的氧化锆；以及选自包括氧化铝、氧化铪、氧化钪、氧化钕、氧化铌、氧化钐、氧化镱、氧化铒、氧化铈及上述物质的组合的至少一个其他成分，所述至少一种其他成分浓度变化范围从约10％摩尔比到约30％摩尔比。在第二实施方式中，陶瓷制品包括由摩尔浓度变化范围从90％摩尔比到约70％摩尔比的氧化钇，以及摩尔浓度变化范围从约10％摩尔比到约30％摩尔比的氧化锆形成的陶瓷，其中所述陶瓷的平均颗粒尺寸变化范围从约2μm到约8μm。在第三实施方式中，该陶瓷制品包括由摩尔浓度变化范围从96％摩尔比到约94％摩尔比的氧化锆，以及摩尔浓度变化范围从约4％摩尔比到约6％摩尔比的氧化钇形成的陶瓷。
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