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公开(公告)号：CN108140588A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680033926.8
申请日：2016-08-31
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01L21/67253 , C23C16/50 , C23C16/52 , G05B19/41875 , G05B19/4189 , G05B2219/37008 , G05B2219/45032 , G05B2219/50388 , H01J37/32091 , H01J37/3211 , H01J37/32449 , H01J37/32522 , H01J37/32935 , H01J2237/327 , H01J2237/3321 , H01J2237/3323
Abstract: 本发明的实施方式提供匹配及校准处理腔室中的处理腔室性能的方法。在一个实施方式中，用于校准用于半导体制造处理的处理腔室的方法包含以下步骤：在处理腔室中执行第一预定处理，在执行预定处理的同时收集第一组信号(第一组信号由设置在处理腔室中的第一组传感器传输至控制器)，分析所收集的第一组信号，将所收集的第一组信号与储存在控制器中的数据库比较以检查来自第一组传感器的传感器响应，当发现失配传感器响应时基于所收集的第一组信号来校准传感器，随后在处理腔室中执行第一系列处理，及在执行系列处理的同时收集第二组信号(第二组信号由传感器传输至控制器)。
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公开(公告)号：CN116209965A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202180064973.X
申请日：2021-09-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿拉·莫拉迪亚 , 詹姆斯·奥马尔·勒赫 , 盛殊然 , 罗希特·马哈卡里 , 卡廷克·拉马斯瓦米 , 张林 , 乌梅什·马德哈夫·克尔卡尔 , 格沛拉克里西那·B·普拉布 , 政·元 , 吴正勋
IPC: G05B23/02
Abstract: 一种方法包括：从沿着输送管线定位的多个传感器接收测量数据，该输送管线将液体作为气体输送到气体面板或处理腔室的一者；使用计算机生成的模型仿真与输送管线和在输送管线周围定位的多个加热器护套相关联的一个或多个处理参数；将测量数据与一个或多个处理参数的值进行比较；和基于在测量数据与一个或多个处理参数的值之间的至少阈值偏差，确定存在与维持输送管线内的温度与液体的气态一致相关联的故障。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116096937A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202180054207.5
申请日：2021-08-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 詹妮弗·Y·孙 , 仁观·段 , 加亚特里·纳图 , 金泰远 , 黄际勇 , 尼廷·迪帕克 , 保罗·布里尔哈特 , 张林 , 陈奕凯 , 桑尼·辛尼卡·塞帕拉 , 加内什·巴拉萨布拉曼尼恩 , 胡安·卡洛斯·罗奇 , 尚卡•文卡塔拉曼 , 凯瑟琳·伊丽莎白·沃
IPC: C23C16/44
Abstract: 本公开内容的实施方式涉及制品、经涂布的腔室部件，以及通过保护涂层涂布腔室部件的方法，所述保护涂层包括具有选自由M1xFw、M1xM2yFw及M1xM2yM3zFw6组成的组的式的至少一种金属氟化物，其中M1、M2或M3中的至少一者为镁或镧。可通过原子层沉积、化学气相沉积、电子束离子辅助沉积或物理气相沉积来沉积保护涂层。
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公开(公告)号：CN109075030A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780027736.X
申请日：2017-04-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本公开内容的实施方式包括用于半导体基板制造工艺的等离子体处理腔室的原位腔室清洁效率提高工艺的方法。在一个实施方式中，用于在清洁等离子体工艺之后执行等离子体处理工艺的方法包括以下步骤：在没有设置在等离子体处理腔室上的基板的情况下，在等离子体处理腔室中执行清洁工艺；随后将包括至少含氢气体和/或含氧气体的等离子体处理气体混合物供应到等离子体处理腔室中；将RF源功率施加到处理腔室，以由等离子体处理气体混合物形成等离子体；和等离子体处理处理腔室的内表面。
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公开(公告)号：CN109075030B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201780027736.X
申请日：2017-04-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本公开内容的实施方式包括用于半导体基板制造工艺的等离子体处理腔室的原位腔室清洁效率提高工艺的方法。在一个实施方式中，用于在清洁等离子体工艺之后执行等离子体处理工艺的方法包括以下步骤：在没有设置在等离子体处理腔室上的基板的情况下，在等离子体处理腔室中执行清洁工艺；随后将包括至少含氢气体和/或含氧气体的等离子体处理气体混合物供应到等离子体处理腔室中；将RF源功率施加到处理腔室，以由等离子体处理气体混合物形成等离子体；和等离子体处理处理腔室的内表面。
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公开(公告)号：CN108140588B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201680033926.8
申请日：2016-08-31
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本发明的实施方式提供匹配及校准处理腔室中的处理腔室性能的方法。在一个实施方式中，用于校准用于半导体制造处理的处理腔室的方法包含以下步骤：在处理腔室中执行第一预定处理，在执行预定处理的同时收集第一组信号(第一组信号由设置在处理腔室中的第一组传感器传输至控制器)，分析所收集的第一组信号，将所收集的第一组信号与储存在控制器中的数据库比较以检查来自第一组传感器的传感器响应，当发现失配传感器响应时基于所收集的第一组信号来校准传感器，随后在处理腔室中执行第一系列处理，及在执行系列处理的同时收集第二组信号(第二组信号由传感器传输至控制器)。
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公开(公告)号：CN204834654U
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201520320644.9
申请日：2015-05-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L31/18
CPC classification number: C23C16/26 , C23C16/4581 , C23C16/505 , H01L21/68757 , H01L21/68771 , H01L31/1876
Abstract: 提供了一种基板载体，该基板载体上设置有类金刚石碳涂层。所述类金刚石碳涂层可具有实质上耐在光伏电池的制造期间执行的常用清洁工艺(诸如，使用NF3等离子体的清洁工艺)的性质。
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