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公开(公告)号：CN109075030B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201780027736.X
申请日：2017-04-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本公开内容的实施方式包括用于半导体基板制造工艺的等离子体处理腔室的原位腔室清洁效率提高工艺的方法。在一个实施方式中，用于在清洁等离子体工艺之后执行等离子体处理工艺的方法包括以下步骤：在没有设置在等离子体处理腔室上的基板的情况下，在等离子体处理腔室中执行清洁工艺；随后将包括至少含氢气体和/或含氧气体的等离子体处理气体混合物供应到等离子体处理腔室中；将RF源功率施加到处理腔室，以由等离子体处理气体混合物形成等离子体；和等离子体处理处理腔室的内表面。
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公开(公告)号：CN114551206A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210097874.8
申请日：2016-10-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/505 , C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/40
Abstract: 本文中所述的实施方式涉及用以减少(例如在HDP‑CVD、PECVD、PE‑ALD及蚀刻腔室中)腔室电弧放电的装置及涂覆方法。所述装置包括用于涂覆材料的原位沉积的环形气体分配器，及包括环形气体分配器的处理腔室。所述环形气体分配器包括环形主体，所述环形主体具有设置于环形主体的第一侧面上的至少一个气体进口及设置在环形主体的第一表面上的多个气体分配口。所述多个气体分配口被布置在多个均匀分布的行中。所述多个均匀分布的行的第一行中的多个气体分配口被调适为以与多个均匀分布的行的第二行中的多个气体分布口的出口角不同的出口角引导气体。
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公开(公告)号：CN108292588A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680025485.7
申请日：2016-10-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/687 , H01L21/683 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4558 , C23C16/34 , C23C16/403 , C23C16/4404 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/505 , C23C16/507 , H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 本文中所述的实施方式涉及用以减少(例如在HDP-CVD、PECVD、PE-ALD及蚀刻腔室中)腔室电弧放电的装置及涂覆方法。所述装置包括用于涂覆材料的原位沉积的环形气体分配器，及包括环形气体分配器的处理腔室。所述环形气体分配器包括环形主体，所述环形主体具有设置于环形主体的第一侧面上的至少一个气体进口及设置在环形主体的第一表面上的多个气体分配口。所述多个气体分配口被布置在多个均匀分布的行中。所述多个均匀分布的行的第一行中的多个气体分配口被调适为以与多个均匀分布的行的第二行中的多个气体分布口的出口角不同的出口角引导气体。
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公开(公告)号：CN108140551A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680058670.6
申请日：2016-10-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/683
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/458 , C23C16/50 , C23C16/5096 , H01J37/32899 , H01L21/67161 , H01L21/6719 , H01L21/67196 , H01L21/67201
Abstract: 本揭示案的实施方式大体涉及用于处理半导体基板的群集工具。在一个实施方式中，群集工具包含多个处理腔室，所述多个处理腔室连接至传送腔室，且每一处理腔室可同时处理四个或更多个基板。为了降低成本，每一处理腔室包含：基板支撑件，用于支撑四个或更多个基板；单一喷淋头，所述喷淋头设置于所述基板支撑件之上；及电气地耦接至所述喷淋头的单一射频电源。所述喷淋头可包含面对基板支撑件的第一表面及与第一表面相对的第二表面。多个气体通路可形成在喷淋头中且从第一表面延伸至第二表面。通过从喷淋头中央至喷淋头边缘增加气体通路的密度而改良处理均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111727499B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN201980013792.7
申请日：2019-01-11
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文中的实施方式提供监测流体输送管道和其他部件的温度的方法和与所述方法相关的监测系统，所述流体输送管道用于将流体输送到在电子装置制造中使用的处理腔室的处理空间，所述其他部件在处理腔室的处理空间外部。在一个实施方式中，一种监测处理系统的方法包括以下步骤：经由数据采集装置接收来自一个或多个温度传感器的温度信息，和接收来自系统控制器的背景信息，所述系统控制器耦接至包括处理腔传达室的处理系统。在此，一个或多个温度传感器设置在处理腔室的处理空间外部的一个或多个位置中。背景信息与由系统控制器执行以控制处理系统的一个或多个操作的指令相关。
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公开(公告)号：CN117043387A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202280021015.9
申请日：2022-03-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44
Abstract: 本文公开的示例关于清洁及修复其中设置有加热器的基板支撑件的方法及设备。一种方法包括：(a)清洁具有块体层的基板支撑件的表面，基板支撑件设置在被配置为处理基板的处理环境中。清洁处理包括在高温下从具有含氟气体及氧的清洁气体混合物形成等离子体。该方法包括：(b)利用由处理气体混合物形成的处理等离子体从处理环境移除氧自由基。该处理气体混合物包括含氟气体。此方法进一步包括：(c)利用后处理等离子体修复基板支撑件与块体层的界面。该后处理等离子体由包括含氮气体的后处理气体混合物所形成。该高温大于或等于约500℃。
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公开(公告)号：CN108292588B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201680025485.7
申请日：2016-10-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/687 , H01L21/683 , H01L21/205
Abstract: 本文中所述的实施方式涉及用以减少(例如在HDP‑CVD、PECVD、PE‑ALD及蚀刻腔室中)腔室电弧放电的装置及涂覆方法。所述装置包括用于涂覆材料的原位沉积的环形气体分配器，及包括环形气体分配器的处理腔室。所述环形气体分配器包括环形主体，所述环形主体具有设置于环形主体的第一侧面上的至少一个气体进口及设置在环形主体的第一表面上的多个气体分配口。所述多个气体分配口被布置在多个均匀分布的行中。所述多个均匀分布的行的第一行中的多个气体分配口被调适为以与多个均匀分布的行的第二行中的多个气体分布口的出口角不同的出口角引导气体。
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公开(公告)号：CN111727499A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201980013792.7
申请日：2019-01-11
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文中的实施方式提供监测流体输送管道和其他部件的温度的方法和与所述方法相关的监测系统，所述流体输送管道用于将流体输送到在电子装置制造中使用的处理腔室的处理空间，所述其他部件在处理腔室的处理空间外部。在一个实施方式中，一种监测处理系统的方法包括以下步骤：经由数据采集装置接收来自一个或多个温度传感器的温度信息，和接收来自系统控制器的背景信息，所述系统控制器耦接至包括处理腔传达室的处理系统。在此，一个或多个温度传感器设置在处理腔室的处理空间外部的一个或多个位置中。背景信息与由系统控制器执行以控制处理系统的一个或多个操作的指令相关。
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公开(公告)号：CN109075030A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780027736.X
申请日：2017-04-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本公开内容的实施方式包括用于半导体基板制造工艺的等离子体处理腔室的原位腔室清洁效率提高工艺的方法。在一个实施方式中，用于在清洁等离子体工艺之后执行等离子体处理工艺的方法包括以下步骤：在没有设置在等离子体处理腔室上的基板的情况下，在等离子体处理腔室中执行清洁工艺；随后将包括至少含氢气体和/或含氧气体的等离子体处理气体混合物供应到等离子体处理腔室中；将RF源功率施加到处理腔室，以由等离子体处理气体混合物形成等离子体；和等离子体处理处理腔室的内表面。
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