公开(公告)号：CN107002286B

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201580065227.7

申请日：2015-11-19

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 岩井真 ,  吉野隆史

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  C30B19/10 ,  C30B25/16

CPC classification number: C30B29/406 ,  C23C16/34 ,  C30B19/02 ,  C30B19/12 ,  C30B25/20 ,  H01L33/32

Abstract: 在结晶层3的与主面3a、3b垂直的截面处，存在载流子浓度为1×1018/cm3以上的高载流子浓度区域10和载流子浓度为9×1017/cm3以下的低载流子浓度区域9，低载流子浓度区域9为细长的形状，低载流子浓度区域9具有缔合部11，低载流子浓度区域9在一对主面3a、3b之间连续。

公开(公告)号：CN109564873A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780037112.6

申请日：2017-04-14

Applicant: 株式会社华哥姆研究所

Inventor： 都田昌之 ,  佐佐木善和 ,  梅田优 ,  楠原昌树

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  H01L21/318

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  H01L21/31

Abstract: 提供一种能够对反应部稳定地供给原料且能够长期使用的HfN膜的制造方法及HfN膜。HfN膜的制造方法使用的成膜装置具备：经由配管供给被气化器气化了的原料气体的同时、将该原料气体喷射至与喷嘴表面对向配置的被成膜基板的喷气嘴，所述喷气嘴由以所述配管的导入口为中心扩展的外壁、从该外壁的扩展端部升起的周壁、以及覆盖该周壁的端部的喷嘴表面所构成，其中，按照将反应气体直接供给到反应腔室的方式设置气体供给口，在基座上搭载晶片，原料气体TEMAH的流量为0.2CCM，在反应腔室的压力为4Torr下，基座的温度为250℃以上且270℃以下的范围，反应气体NH3的流量为9.0CCM以上且15.0CCM以下的范围。

公开(公告)号：CN109415385A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201780039664.0

申请日：2017-06-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 戴维·汤普森 ,  杰弗里·W·安西斯

IPC: C07F5/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C16/50

CPC classification number: H01L21/02192 ,  C07F5/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

Abstract: 金属配位络合物，包含配位至至少一个氮杂-烯丙基配体的金属原子，所述配体具有由下式表示的结构：其中R1-R4各自独立地选自由H、支链或非支链的C1-C6烷基、支链或非支链的C1-C6烯基、支链或非支链的C1-C6炔基、具有在1至6个碳原子范围内的环烷基、硅基和卤素组成的群组。也描述了使用所述金属配位络合物和适宜的反应物来沉积膜的方法。

公开(公告)号：CN108885977A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780022431.X

申请日：2017-02-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 安热利克·雷利 ,  阿基特若·高

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/0273 ,  C23C16/34 ,  H01L21/31144 ,  H01L22/12

Abstract: 提供一种用于对衬底中的结构图案进行关键尺寸(CD)修整的方法，该方法包括：在图案化系统的处理室中提供衬底，该衬底包括第一结构图案和下层，下层包括硅抗反射涂层(SiARC)或硅氮氧化物(SiON)层、光学平坦化层和目标图案化层；执行可选的第一结构图案的CD修整处理；执行使SiARC或SiON层开口的一系列处理并且如果需要则执行附加CD修整；以及执行使光学平坦化层开口的一系列处理，该系列处理生成最终结构图案，并且如果需要则执行附加CD修整；其中，平坦化层是预先图案化膜(APL)、有机电介质层(ODL)或旋涂硬掩模(SOH)层中的一种。

公开(公告)号：CN108779580A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780016941.6

申请日：2017-02-27

Applicant: 三菱化学株式会社 ,  国立大学法人东京农工大学

Inventor： 矶宪司 ,  纐缬明伯 ,  村上尚

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/34 ,  C30B25/20 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供一种GaN结晶的新型制造方法，其包括使用GaCl3和NH3为原料、在非极性或半极性GaN表面上使GaN从气相中生长。本发明所提供一种GaN结晶的制造方法的发明，其包括下述步骤：(i)晶种准备步骤，其是准备GaN晶种的步骤，该GaN晶种具有非极性或半极性表面，该非极性或半极性表面的法线的方向与该GaN晶种的[0001]方向形成85°以上且小于170°的角度；以及(ii)生长步骤，使用GaCl3和NH3为原料使GaN从气相中生长在该GaN晶种的包含该非极性或半极性表面的表面上。

公开(公告)号：CN108754453A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810355413.X

申请日：2015-11-27

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 山本哲夫 ,  丰田一行 ,  松井俊

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/505 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211

Abstract: 本发明提供一种使用等离子体形成高品质的膜的衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。在具有内置有用于载置衬底的衬底载置台的处理室、和使供给到处理室内的气体成为等离子体状态的等离子体生成部的衬底处理装置中，等离子体生成部具有以包围成为供给到处理室内的气体的流路的等离子体生成室的方式配置的等离子体产生导体，等离子体产生导体具有沿着等离子体生成室内的气体的主流方向延伸的多个主导体部、和将主导体部彼此电连接的连接导体部。

公开(公告)号：CN108666261A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201710197890.3

申请日：2017-03-29

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

Inventor： 邓浩

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L21/76846 ,  C23C14/0641 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45531 ,  C23F17/00 ,  C25D3/38 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329

Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底上具有介质层，所述介质层内具有开口；在所述开口的侧壁和底部表面上形成第一阻挡层，所述第一阻挡层中掺杂锰；在所述第一阻挡层上形成金属互连线，所述金属互连线位于所述开口内。所述方法能够提高所述第一阻挡层对所述金属互连线中金属原子的阻挡性能。

公开(公告)号：CN108411279A

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201810294227.X

申请日：2018-03-30

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 陈蓉 ,  李云 ,  单斌 ,  曹坤 ,  刘媛媛 ,  杨惠之

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C16/56

CPC classification number: C23C16/50 ,  C23C16/303 ,  C23C16/34 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/403 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/45555 ,  C23C16/56

Abstract: 本发明属于薄膜制备领域，并具体公开了一种高速钢刀具保护涂层的制备方法，包括：对刀具表面进行预处理，将其置于等离子体增强化学气相沉积设备中沉积微米级无机薄膜；将其置于等离子体增强原子层沉积装备中，在适当的温度、压力及合适的等离子体功率条件下，将不同前驱体交替通入，以在刀具表面依次形成饱和吸附完成化学反应；最后对复合涂层进行退火处理。本发明通过等离子原子层沉积形成的纳米尺度的薄膜可有效减少化学气相沉积薄膜表面的缺陷，进而实现对刀具在加工、存储状态下的有效保护。本发明可以实现在低温条件下利用化学气相沉积手段实现刀具表面保护涂层的制备，进而实现对刀具的有效保护。

公开(公告)号：CN108352327A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680059657.2

申请日：2016-10-05

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 市村干也 ,  前原宗太 ,  仓冈义孝

IPC: H01L21/338 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供一种抑制漏电流且耐压高的半导体元件用外延基板。在半导体元件用外延基板中，包括：包含掺杂有Zn的GaN的半绝缘性自立基板、与自立基板邻接的包含第13族氮化物的缓冲层、与缓冲层邻接的包含第13族氮化物的沟道层、和夹着沟道层而设置在与缓冲层相反一侧的包含第13族氮化物的势垒层，包含自立基板和缓冲层的第1区域中的一部分为以1×1017cm-3以上的浓度含有Si的第2区域，第2区域中的Zn浓度的最小值为1×1017cm-3。

公开(公告)号：CN104583880B

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201380036217.1

申请日：2013-07-08

Applicant: 劳力士有限公司

Inventor： 苏珊娜·德尔卡门·图贝纳斯·博洛恩

IPC: G04B17/06

CPC classification number: G04B17/066 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45525 ,  Y10T428/24942

Abstract: 本发明涉及一种处理钟表组件(10)的基底(1)的表面(2)的方法，特别为摆轮游丝，例如由顺磁性NbZr合金制成的摆轮游丝，所述方法包括：沉积第一氧化物或第一氮化物或第一碳化物的第一层(41)的第一步骤；和沉积第二氧化物或第二氮化物或第二碳化物的第二层(51)的第二步骤。