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公开(公告)号：CN112789706A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201980064571.2
申请日：2019-08-27
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 兹描述通过将基板表面暴露于卤化物前驱物和铝反应物来沉积金属碳化物膜的方法。卤化物前驱物包含通式(I)MXyRn的化合物，其中M为金属，X为选自Cl、Br、F或I的卤素，y为从1至6，R选自烷基、CO及环戊二烯基，且n为从0至6。铝反应物包含通式(II)Al(CH2AR1R2R3)3的化合物，其中A为C、Si或Ge，各R1、R2及R3独立地为烷基或实质上不包含β‑氢。
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公开(公告)号：CN106663614B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201580043803.8
申请日：2015-08-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/768 , H01L21/02 , H01L21/3105 , H01L21/321
Abstract: 一种选择性沉积方法，其相对于电介质表面来将金属选择性地沉积在金属表面。所述方法包括下述步骤：将金属氧化物表面还原成金属表面；和保护电介质表面以最小化所述电介质表面上的沉积。
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公开(公告)号：CN104737275B
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201380054229.7
申请日：2013-10-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 傅新宇 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 阿蒂夫·努里 , 张镁 , 戴维·汤普森 , 史蒂夫·G·加奈耶姆
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/28562 , C23C16/0272 , C23C16/06 , C23C16/14 , C23C16/345 , C23C16/42 , C23C16/45525 , C23C16/45551 , C23C16/45553 , C23C16/45563 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45574 , H01L21/28088 , H01L21/28506 , H01L21/32051 , H01L21/32053 , H01L21/76877
Abstract: 本发明提供使用含钨反应气体沉积钨膜或含钨膜的原子层沉积方法，所述含钨反应气体包含以下的一或多种：五氯化钨、具有经验式WCl5或WCl6的化合物。
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公开(公告)号：CN103946957B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201280054152.9
申请日：2012-11-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/22
CPC classification number: C23C16/455 , C23C16/06 , C23C16/45525 , H01L21/28562 , H01L21/76841
Abstract: 酮基或醛基。(56)对比文件US 2007045856 A1,2007.03.01,US 2008003838 A1,2008.01.03,US 2008057344 A1,2008.03.06,TW 200823311 A,2008.06.01,
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公开(公告)号：CN105026613A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201480010934.1
申请日：2014-02-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/448
CPC classification number: H01L21/02175 , C23C16/34 , C23C16/4481 , C23C16/45536 , C23C16/45553 , H01L21/02183 , H01L21/02194
Abstract: 描述了用于前驱物的稳定化的方法及设备，这些方法及设备可用于沉积含锰膜。某些方法及设备涉及经添加衬里的安瓿和/或2-电子供体配体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119343757A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202380046012.5
申请日：2023-06-06
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 戴维·汤普森 , 巴斯卡尔·乔蒂·布雅 , 马克·沙丽 , 丽莎·恩曼 , 艾伦·丹格菲尔德 , 杰苏斯·坎德拉里奥·门多萨 , 杰弗里·W·安西斯 , 拉克马尔·卡拉塔拉格
IPC: H01L21/308 , H01L21/306
Abstract: 本文描述一种用于选择性地清洁和/或蚀刻样品的方法。该方法包括在基板的沟槽中选择性地形成膜，使得该沟槽可以被选择性地蚀刻。聚合物膜沉积在沟槽的底表面上而不沉积在侧壁上。第二膜选择性的形成在该沟槽中而不在该聚合物膜上形成该第二膜。然后从该沟槽的该底表面移除该聚合物，并且然后使用蚀刻化学在该沟槽的该底表面上执行蚀刻，其中该第二膜保护该侧壁不被蚀刻。
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公开(公告)号：CN119173997A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202280096022.5
申请日：2022-07-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 吴立其 , 刘风全 , 巴斯卡尔·乔蒂·布雅 , 詹姆斯·H·康诺利 , 亓智敏 , 张洁 , 窦伟 , 张爱西 , 马克·萨利 , 吕疆 , 汪荣军 , 戴维·汤普森 , 唐先敏
IPC: H01L21/768 , H01L21/3213 , H01L21/285
Abstract: 本公开的实施例涉及用于从特征的顶表面及侧壁选择性移除金属材料的方法。借由流动性聚合物材料覆盖的金属材料保持不受影响。在一些实施例中，金属材料借由物理气相沉积形成，从而导致相对薄的侧壁厚度。在从顶表面移除金属材料之后余留在侧壁上的任何金属材料可借由额外蚀刻工艺蚀刻。在特征底部处的所得金属层促进特征的选择性金属间隙填充。
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公开(公告)号：CN111936664A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201980020460.1
申请日：2019-03-18
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 尤里·梅尔尼克 , 苏克蒂·查特吉 , 考沙尔·冈加什卡尔 , 乔纳森·弗兰克尔 , 兰斯·A·斯卡德尔 , 普拉文·K·纳万克尔 , 大卫·布里兹 , 托马斯·奈斯利 , 马克·沙丽 , 戴维·汤普森
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/34 , C23C16/42
Abstract: 本公开内容的实施方式一般地涉及航空航天部件上的保护涂层和沉积保护涂层的方法。在一或多个实施方式中，一种在航空航天部件上沉积涂层的方法，包含：将航空航天部件暴露于第一前驱物和第一反应物以通过化学气相沉积(CVD)工艺或第一原子层沉积(ALD)工艺在航空航天部件的表面上形成第一沉积层；并且将航空航天部件暴露于第二前驱物和第二反应物以通过第二ALD工艺在第一沉积层上形成第二沉积层，其中第一沉积层和第二沉积层具有彼此不同的成分。
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公开(公告)号：CN106470756B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201580036357.8
申请日：2015-06-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 马丁·杰夫·萨里纳斯 , 董友群 , 戴维·汤普森 , 张梅
Abstract: 本文提供用于化学品输送的方法与设备。在一些实施方式中，第一贮槽容纳第一容积的流体、接收载气、并且将所述载气连同源自所述第一容积的流体的蒸气一并输出。第二贮槽容纳第二容积的流体，且能够输送所述第二容积的流体的一部分至所述第一贮槽。自行调节管从所述第一贮槽延伸到所述第二贮槽中的所述第二容积的流体上方的区域。
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公开(公告)号：CN106663614A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580043803.8
申请日：2015-08-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/768 , H01L21/02 , H01L21/3105 , H01L21/321
Abstract: 一种选择性沉积方法，其相对于电介质表面来将金属选择性地沉积在金属表面。所述方法包括下述步骤：将金属氧化物表面还原成金属表面；和保护电介质表面以最小化所述电介质表面上的沉积。
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