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公开(公告)号：CN117926220A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311838381.6
申请日：2017-03-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/448 , C23C16/44 , C23C16/18 , C23C16/455 , F16K31/12 , F16K31/60
Abstract: 描述一种用于向处理腔室供应气体的设备和方法。设备包括入口管线和出口管线，它们各自有两个阀，与安瓿流体连通。旁通管线连接最靠近安瓿的入口阀和出口阀。设备和使用方法允许从处理腔室的输送管线中去除前驱物残余物。
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公开(公告)号：CN111095514A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201880058133.0
申请日：2018-08-21
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文提供了用于处理基板的设备。在一些实施方式中，喷头组件包括：气体分配板，气体分配板具有多个孔；保持器，保持器具有壁、径向向内延伸的凸缘、和径向向外延伸的凸缘，所述径向向内延伸的凸缘从壁的下部延伸且耦接至气体分配板，所述径向向外延伸的凸缘从壁的上部延伸，其中壁具有在约0.015英寸与约0.2英寸之间的厚度；和加热设备，所述加热设备设置在气体分配板上方并且与气体分配板间隔开，其中加热设备包括加热器，加热器配置以加热气体分配板。
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公开(公告)号：CN107208262B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201580063083.1
申请日：2015-10-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/18 , C23C16/455 , C23C16/458
Abstract: 描述了选择性地沉积金属在金属表面上相对于在介电表面上的方法。方法包括将金属氧化物表面还原成金属表面且保护介电表面以将介电表面上的沉积予以最小化及暴露基板于金属前驱物和醇类以沉积膜。
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公开(公告)号：CN104718314B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201380054227.8
申请日：2013-10-23
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 戴维·汤普森 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 吕新亮 , 唐薇 , 周静 , 赛沙德利·甘古利 , 杰弗里·W·安西斯 , 阿蒂夫·努里 , 法鲁克·京格尔 , 吴典晔 , 张镁 , 陈世忠
CPC classification number: C23C16/30 , C23C16/45531 , C23C16/45534
Abstract: 所提供的是包括铝、碳和金属的膜，其中铝的元素含量是大于约16％的量，且碳含量小于约50％。还提供了沉积所述膜的方法。
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公开(公告)号：CN107829075A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711049354.5
申请日：2013-10-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 傅新宇 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 阿蒂夫·努里 , 张镁 , 戴维·汤普森 , 史蒂夫·G·加奈耶姆
IPC: C23C16/14 , C23C16/455 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/28562 , C23C16/0272 , C23C16/06 , C23C16/14 , C23C16/345 , C23C16/42 , C23C16/45525 , C23C16/45551 , C23C16/45553 , C23C16/45563 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45574 , H01L21/28088 , H01L21/28506 , H01L21/32051 , H01L21/32053 , H01L21/76877
Abstract: 本发明提供使用含钨反应气体沉积钨膜或含钨膜的原子层沉积方法，所述含钨反应气体包含以下的一或多种：五氯化钨、具有经验式WCl5或WCl6的化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108431924B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201680069176.X
申请日：2016-11-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 雷雨 , 维卡什·班西埃 , 吴凯 , 傅新宇 , 徐毅 , 大东和也 , 马飞跃 , 普及特·阿咖瓦 , 林驰筹 , 吴典晔 , 简国强 , 薇·V·唐 , 乔纳森·巴克 , 张镁 , 森德·拉马默蒂
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/285
Abstract: 本文提供用于形成具有钨衬垫层的金属触点的方法。在一些实施方式中，一种处理基板的方法包括：在第一基板处理腔室内将基板暴露至等离子体以沉积钨衬垫层，该等离子体是由第一气体形成，该第一气体包括金属有机钨前驱物气体或无氟卤化钨前驱物，其中该钨衬垫层沉积在介电层顶上且于特征内，该特征形成在基板的该介电层的第一表面中；将该基板传送到第二基板处理腔室而不将该基板暴露至大气；以及将该基板暴露至第二气体以在该钨衬垫层顶上沉积钨填充层，该第二气体包括氟化钨前驱物。
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公开(公告)号：CN111095514B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN201880058133.0
申请日：2018-08-21
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文提供了用于处理基板的设备。在一些实施方式中，喷头组件包括：气体分配板，气体分配板具有多个孔；保持器，保持器具有壁、径向向内延伸的凸缘、和径向向外延伸的凸缘，所述径向向内延伸的凸缘从壁的下部延伸且耦接至气体分配板，所述径向向外延伸的凸缘从壁的上部延伸，其中壁具有在约0.015英寸与约0.2英寸之间的厚度；和加热设备，所述加热设备设置在气体分配板上方并且与气体分配板间隔开，其中加热设备包括加热器，加热器配置以加热气体分配(56)对比文件US 2011253044 A1,2011.10.20US 2015011096 A1,2015.01.08US 2001035127 A1,2001.11.01庄清平.外加电场气相法制备纳米无机氧化物.中国工程科学.2007,(02),全文.
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公开(公告)号：CN113348265B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN201980088231.3
申请日：2019-12-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/14 , C23C16/42 , C23C16/505 , C23C16/04 , C23C16/56
Abstract: 揭露了用于在具有硅表面和介电表面的基板的顶上选择性地沉积钛材料层的方法和设备。在实施方式中，一种设备被配置成用于在处理腔室的盖加热器和喷头之间的区域中在摄氏200至800度的第一温度下在四氯化钛(TiCl4)、氢(H2)和氩(Ar)之间形成远程等离子体反应；及使反应产物流入处理腔室中，以在基板的硅表面上选择性地形成钛材料层。
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公开(公告)号：CN106663614B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201580043803.8
申请日：2015-08-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/768 , H01L21/02 , H01L21/3105 , H01L21/321
Abstract: 一种选择性沉积方法，其相对于电介质表面来将金属选择性地沉积在金属表面。所述方法包括下述步骤：将金属氧化物表面还原成金属表面；和保护电介质表面以最小化所述电介质表面上的沉积。
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公开(公告)号：CN110475905A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201880020038.1
申请日：2018-03-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/18
Abstract: 描述了用于半导体制造前驱物的安瓿和使用方法。安瓿包括具有入口端口和出口端口的容器。入口端口在容器内的端部具有喷头。喷头具有至少两个成角度的喷嘴，以引导空腔内的气流，使得气流不垂直于安瓿内的液体的表面。
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