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公开(公告)号：CN113678231B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202080027926.3
申请日：2020-03-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 岑羲 , 马飞越 , 吴凯 , 雷雨 , 大东和也 , 徐翼 , 维卡什·班西埃 , 张镁 , 任河 , 雷蒙德·霍曼·洪 , 姚雅宽 , 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 戴维·T·奥 , 周静 , 蹇国强 , 林志周 , 赖一鸣 , 叶佳 , 王振宇
IPC: H01L21/285 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23C14/02 , H01L21/28 , H01L21/306 , H01L21/67 , C23C14/04
Abstract: 本公开内容一般涉及用于处理基板的方法，且更尤其涉及用于形成金属间隙填充物的方法。在一个实施方式中，该方法包括使用多步骤处理在开口中形成金属间隙填充物。多步骤处理包括：形成金属间隙填充物的第一部分，实行溅射处理以在一个或多个侧壁上形成一个或多个层，和使金属间隙填充物的第二部分生长以用金属间隙填充物来填充开口。通过多步骤处理形成的金属间隙填充物是无缝的，且形成在一个或多个侧壁上的一个或多个层密封在金属间隙填充物与侧壁之间的任何间隙或缺陷。由此，在后续处理中利用的流体不会扩散穿过金属间隙填充物。
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公开(公告)号：CN110062954B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201780073548.0
申请日：2017-11-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/683
Abstract: 本揭示案的实施方式关于用于与腔室内加热器及基板旋转机构一起使用的处理配件。在与本揭示案一致的一些实施方式中，用于与可旋转基板支撑件加热器台座一起使用以用于在处理腔室中支撑基板的处理配件可包含：上方边缘环，所述上方边缘环包含顶部突出部和从所述顶部突出部向下延伸的裙部；下方边缘环，所述下方边缘环至少部分支撑所述上方边缘环且使所述上方边缘环与所述基板支撑件加热器台座对准；底板，所述底板设置于所述处理腔室的底部上，所述底板在所述基板支撑件加热器台座处于降低的非处理位置时支撑所述上方边缘环；以及遮蔽环，所述遮蔽环在所述基板支撑件加热器台座处于升高的处理位置时与所述上方边缘环耦接。
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公开(公告)号：CN109983155A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201780058629.3
申请日：2017-09-08
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 藉由将表面暴露于包括氩气或氢气之一或更多者的预清洁等离子体继之以沉积，相对于第二表面(例如，介电表面)于第一表面(例如，金属表面)上选择性地沉积膜的方法。第一表面和第二表面可为实质上共面的。所沉积膜的选择性相对于在暴露于预清洁等离子体之前的基板可增加一个数量级。
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公开(公告)号：CN111587481B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN201980008203.6
申请日：2019-01-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 穆罕纳德·穆斯塔法 , 穆罕默德·M·拉希德 , 雷雨 , 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 维卡什·班西埃 , 维克多·H·卡尔德隆 , 陶世伟 , 李永新 , 阿尼迪塔·森
IPC: H01L21/687 , H01L21/683
Abstract: 于此提供用于处理基板的方法及设备。在一些实施方式中，用于基板支撑件的处理配件包含：上边缘环，所述上边缘环由石英制成且具有上表面及下表面，其中所述上表面实质为平面且所述下表面包含阶梯状下表面以界定所述上边缘环的径向最外部分及径向最内部分。
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公开(公告)号：CN108431924B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201680069176.X
申请日：2016-11-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 雷雨 , 维卡什·班西埃 , 吴凯 , 傅新宇 , 徐毅 , 大东和也 , 马飞跃 , 普及特·阿咖瓦 , 林驰筹 , 吴典晔 , 简国强 , 薇·V·唐 , 乔纳森·巴克 , 张镁 , 森德·拉马默蒂
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/285
Abstract: 本文提供用于形成具有钨衬垫层的金属触点的方法。在一些实施方式中，一种处理基板的方法包括：在第一基板处理腔室内将基板暴露至等离子体以沉积钨衬垫层，该等离子体是由第一气体形成，该第一气体包括金属有机钨前驱物气体或无氟卤化钨前驱物，其中该钨衬垫层沉积在介电层顶上且于特征内，该特征形成在基板的该介电层的第一表面中；将该基板传送到第二基板处理腔室而不将该基板暴露至大气；以及将该基板暴露至第二气体以在该钨衬垫层顶上沉积钨填充层，该第二气体包括氟化钨前驱物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113678231A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202080027926.3
申请日：2020-03-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 岑羲 , 马飞越 , 吴凯 , 雷雨 , 大东和也 , 徐翼 , 维卡什·班西埃 , 张镁 , 任河 , 雷蒙德·霍曼·洪 , 姚雅宽 , 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 戴维·T·奥 , 周静 , 蹇国强 , 林志周 , 赖一鸣 , 叶佳 , 王振宇
IPC: H01L21/285 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23C14/02 , H01L21/28 , H01L21/306 , H01L21/67 , C23C14/04
Abstract: 本公开内容一般涉及用于处理基板的方法，且更尤其涉及用于形成金属间隙填充物的方法。在一个实施方式中，该方法包括使用多步骤处理在开口中形成金属间隙填充物。多步骤处理包括：形成金属间隙填充物的第一部分，实行溅射处理以在一个或多个侧壁上形成一个或多个层，和使金属间隙填充物的第二部分生长以用金属间隙填充物来填充开口。通过多步骤处理形成的金属间隙填充物是无缝的，且形成在一个或多个侧壁上的一个或多个层密封在金属间隙填充物与侧壁之间的任何间隙或缺陷。由此，在后续处理中利用的流体不会扩散穿过金属间隙填充物。
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公开(公告)号：CN111149190A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201880051546.6
申请日：2018-07-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/02 , H01L21/324 , C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 描述了使用烷基硼烷还原剂沉积低电阻率钨成核层的方法。所用的烷基硼烷还原剂包括具有通式BR3的化合物，其中R是C1-C6烷基基团。还描述了使用烷基硼烷还原剂进行钨成核层的原子层沉积的设备。
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公开(公告)号：CN108431924A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201680069176.X
申请日：2016-11-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 雷雨 , 维卡什·班西埃 , 吴凯 , 傅新宇 , 徐毅 , 大东和也 , 马飞跃 , 普及特·阿咖瓦 , 林驰筹 , 吴典晔 , 简国强 , 唐薇 , 薇·V·唐 , 乔纳森·巴克 , 森德·拉马默蒂
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/76843 , C23C16/0227 , C23C16/0281 , C23C16/045 , C23C16/06 , C23C16/08 , C23C16/4401 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/46 , C23C16/505 , C23C16/52 , C23C16/54 , H01L21/31116 , H01L21/76802 , H01L21/76877
Abstract: 本文提供用于形成具有钨衬垫层的金属触点的方法。在一些实施方式中，一种处理基板的方法包括：在第一基板处理腔室内将基板暴露至等离子体以沉积钨衬垫层，该等离子体是由第一气体形成，该第一气体包括金属有机钨前驱物气体或无氟卤化钨前驱物，其中该钨衬垫层沉积在介电层顶上且于特征内，该特征形成在基板的该介电层的第一表面中；将该基板传送到第二基板处理腔室而不将该基板暴露至大气；以及将该基板暴露至第二气体以在该钨衬垫层顶上沉积钨填充层，该第二气体包括氟化钨前驱物。
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公开(公告)号：CN119404285A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202380047957.9
申请日：2023-06-15
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 穆罕纳德·穆斯塔法 , 穆罕默德·M·拉希德 , 雷雨 , 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 维卡什·班西埃 , 维克多·H·卡尔德隆 , 杜诗薇 , 李雍信 , 阿尼迪塔·森
IPC: H01J37/32
Abstract: 于此提供用于处理基板的方法及设备。在一些实施例中，用于基板支撑件的处理配件包含：上边缘环，所述上边缘环由石英制成且具有上表面及下表面，其中所述上表面实质为平面且所述下表面包含阶梯状下表面以限定所述上边缘环的径向最外部分及径向最内部分。
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公开(公告)号：CN111587481A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201980008203.6
申请日：2019-01-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 穆罕纳德·穆斯塔法 , 穆罕默德·M·拉希德 , 雷雨 , 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 维卡什·班西埃 , 维克多·H·卡尔德隆 , 陶世伟 , 李永新 , 阿尼迪塔·森
IPC: H01L21/687 , H01L21/683
Abstract: 于此提供用于处理基板的方法及设备。在一些实施方式中，用于基板支撑件的处理配件包含：上边缘环，所述上边缘环由石英制成且具有上表面及下表面，其中所述上表面实质为平面且所述下表面包含阶梯状下表面以界定所述上边缘环的径向最外部分及径向最内部分。
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