公开(公告)号：CN113678231B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202080027926.3

申请日：2020-03-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 岑羲 ,  马飞越 ,  吴凯 ,  雷雨 ,  大东和也 ,  徐翼 ,  维卡什·班西埃 ,  张镁 ,  任河 ,  雷蒙德·霍曼·洪 ,  姚雅宽 ,  阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 ,  戴维·T·奥 ,  周静 ,  蹇国强 ,  林志周 ,  赖一鸣 ,  叶佳 ,  王振宇

IPC: H01L21/285 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  C23C14/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/306 ,  H01L21/67 ,  C23C14/04

Abstract: 本公开内容一般涉及用于处理基板的方法，且更尤其涉及用于形成金属间隙填充物的方法。在一个实施方式中，该方法包括使用多步骤处理在开口中形成金属间隙填充物。多步骤处理包括：形成金属间隙填充物的第一部分，实行溅射处理以在一个或多个侧壁上形成一个或多个层，和使金属间隙填充物的第二部分生长以用金属间隙填充物来填充开口。通过多步骤处理形成的金属间隙填充物是无缝的，且形成在一个或多个侧壁上的一个或多个层密封在金属间隙填充物与侧壁之间的任何间隙或缺陷。由此，在后续处理中利用的流体不会扩散穿过金属间隙填充物。

公开(公告)号：CN113678231A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202080027926.3

申请日：2020-03-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 岑羲 ,  马飞越 ,  吴凯 ,  雷雨 ,  大东和也 ,  徐翼 ,  维卡什·班西埃 ,  张镁 ,  任河 ,  雷蒙德·霍曼·洪 ,  姚雅宽 ,  阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 ,  戴维·T·奥 ,  周静 ,  蹇国强 ,  林志周 ,  赖一鸣 ,  叶佳 ,  王振宇

IPC: H01L21/285 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  C23C14/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/306 ,  H01L21/67 ,  C23C14/04

Abstract: 本公开内容一般涉及用于处理基板的方法，且更尤其涉及用于形成金属间隙填充物的方法。在一个实施方式中，该方法包括使用多步骤处理在开口中形成金属间隙填充物。多步骤处理包括：形成金属间隙填充物的第一部分，实行溅射处理以在一个或多个侧壁上形成一个或多个层，和使金属间隙填充物的第二部分生长以用金属间隙填充物来填充开口。通过多步骤处理形成的金属间隙填充物是无缝的，且形成在一个或多个侧壁上的一个或多个层密封在金属间隙填充物与侧壁之间的任何间隙或缺陷。由此，在后续处理中利用的流体不会扩散穿过金属间隙填充物。

公开(公告)号：CN114981952A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202180008308.9

申请日：2021-05-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 岑羲 ,  姚雅宽 ,  赖一鸣 ,  吴凯 ,  阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 ,  戴维·T·奥 ,  凯文·卡舍菲 ,  雷雨 ,  董琳 ,  任河 ,  徐翼 ,  梅裕尔·奈克 ,  陈浩 ,  凌芒芒

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 描述了用于预清洁具有金属和电介质表面的基板的方法。基板暴露于强还原剂中，以从金属表面移除污染物并损坏电介质表面。基板接着暴露于氧化处理，以修复对电介质表面的损坏并氧化金属表面。基板接着暴露于弱还原剂以将金属氧化物还原为纯金属表面，而基本上不影响电介质表面。还描述了用于实施该方法的处理工具和计算机可读介质。