公开(公告)号：CN113678231A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202080027926.3

申请日：2020-03-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 岑羲 ,  马飞越 ,  吴凯 ,  雷雨 ,  大东和也 ,  徐翼 ,  维卡什·班西埃 ,  张镁 ,  任河 ,  雷蒙德·霍曼·洪 ,  姚雅宽 ,  阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 ,  戴维·T·奥 ,  周静 ,  蹇国强 ,  林志周 ,  赖一鸣 ,  叶佳 ,  王振宇

IPC: H01L21/285 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  C23C14/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/306 ,  H01L21/67 ,  C23C14/04

Abstract: 本公开内容一般涉及用于处理基板的方法，且更尤其涉及用于形成金属间隙填充物的方法。在一个实施方式中，该方法包括使用多步骤处理在开口中形成金属间隙填充物。多步骤处理包括：形成金属间隙填充物的第一部分，实行溅射处理以在一个或多个侧壁上形成一个或多个层，和使金属间隙填充物的第二部分生长以用金属间隙填充物来填充开口。通过多步骤处理形成的金属间隙填充物是无缝的，且形成在一个或多个侧壁上的一个或多个层密封在金属间隙填充物与侧壁之间的任何间隙或缺陷。由此，在后续处理中利用的流体不会扩散穿过金属间隙填充物。

公开(公告)号：CN113678231B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202080027926.3

申请日：2020-03-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 岑羲 ,  马飞越 ,  吴凯 ,  雷雨 ,  大东和也 ,  徐翼 ,  维卡什·班西埃 ,  张镁 ,  任河 ,  雷蒙德·霍曼·洪 ,  姚雅宽 ,  阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 ,  戴维·T·奥 ,  周静 ,  蹇国强 ,  林志周 ,  赖一鸣 ,  叶佳 ,  王振宇

IPC: H01L21/285 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  C23C14/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/306 ,  H01L21/67 ,  C23C14/04

Abstract: 本公开内容一般涉及用于处理基板的方法，且更尤其涉及用于形成金属间隙填充物的方法。在一个实施方式中，该方法包括使用多步骤处理在开口中形成金属间隙填充物。多步骤处理包括：形成金属间隙填充物的第一部分，实行溅射处理以在一个或多个侧壁上形成一个或多个层，和使金属间隙填充物的第二部分生长以用金属间隙填充物来填充开口。通过多步骤处理形成的金属间隙填充物是无缝的，且形成在一个或多个侧壁上的一个或多个层密封在金属间隙填充物与侧壁之间的任何间隙或缺陷。由此，在后续处理中利用的流体不会扩散穿过金属间隙填充物。

公开(公告)号：CN117957643A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202280060140.0

申请日：2022-09-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 蔡泰正 ,  克里斯蒂安·瓦伦西亚 ,  杨玮盈 ,  高德丰 ,  王振宇 ,  菲利普·艾伦·克劳斯

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32 ,  H10B41/27 ,  H10B43/27

Abstract: 本文揭露的实施方式包括蚀刻3D结构的方法。在一实施方式中，该方法包括：在微波等离子体腔室中提供3D结构。在一实施方式中，3D结构包括基板，以及在基板上方的交替的氧化硅层和氮化硅层。在一实施方式中，该方法进一步包括：使第一气体流入该微波等离子体腔室，其中该第一气体包括硫和氟。在一实施方式中，该方法包括：使第二气体流入该微波等离子体腔室，其中该第二气体包括惰性气体。在一实施方式中，该方法进一步包括：在该微波等离子体腔室中撞击等离子体，及蚀刻该氮化硅，其中氮化硅对氧化硅的蚀刻选择性为50：1或更大。

公开(公告)号：CN107112213A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580054090.5

申请日：2015-09-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 阿布舍克·杜贝 ,  仲华 ,  王振宇 ,  李学斌 ,  黄奕樵 ,  舒伯特·S·楚

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/823431 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7851

Abstract: 本公开内容的实现方式一般地涉及外延膜上的硅材料的外延生长的方法。在一个实现方式中，该方法包括于半导体鳍片(fin)之上形成外延膜，其中外延膜包括具有第一刻面与第二刻面的顶表面，以及通过在约375℃至约450℃的温度与约5Torr至约20Torr的腔室压力处将顶表面交替暴露于第一前驱物气体与第二前驱物气体而至少在外延膜的顶表面上形成外延层，第一前驱物气体包含一或多个硅烷，第二前驱物气体包含一或多个氯化硅烷。

公开(公告)号：CN107112213B

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN201580054090.5

申请日：2015-09-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 阿布舍克·杜贝 ,  仲华 ,  王振宇 ,  李学斌 ,  黄奕樵 ,  舒伯特·S·楚

IPC: H01L21/205

Abstract: 本公开内容的实现方式一般地涉及外延膜上的硅材料的外延生长的方法。在一个实现方式中，该方法包括于半导体鳍片(fin)之上形成外延膜，其中外延膜包括具有第一刻面与第二刻面的顶表面，以及通过在约375℃至约450℃的温度与约5Torr至约20Torr的腔室压力处将顶表面交替暴露于第一前驱物气体与第二前驱物气体而至少在外延膜的顶表面上形成外延层，第一前驱物气体包含一或多个硅烷，第二前驱物气体包含一或多个氯化硅烷。

公开(公告)号：CN107546108A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201710619906.5

申请日：2015-09-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 阿布舍克·杜贝 ,  仲华 ,  王振宇 ,  李学斌 ,  黄奕樵 ,  舒伯特·S·楚

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开内容的实现方式一般地涉及外延膜上的硅材料的外延生长的方法。在一个实现方式中，该方法包括于半导体鳍片(fin)之上形成外延膜，其中外延膜包括具有第一刻面与第二刻面的顶表面，以及通过在约375℃至约450℃的温度与约5Torr至约20Torr的腔室压力处将顶表面交替暴露于第一前驱物气体与第二前驱物气体而至少在外延膜的顶表面上形成外延层，第一前驱物气体包含一或多个硅烷，第二前驱物气体包含一或多个氯化硅烷。