公开(公告)号：CN107112213B

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN201580054090.5

申请日：2015-09-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 阿布舍克·杜贝 ,  仲华 ,  王振宇 ,  李学斌 ,  黄奕樵 ,  舒伯特·S·楚

IPC: H01L21/205

Abstract: 本公开内容的实现方式一般地涉及外延膜上的硅材料的外延生长的方法。在一个实现方式中，该方法包括于半导体鳍片(fin)之上形成外延膜，其中外延膜包括具有第一刻面与第二刻面的顶表面，以及通过在约375℃至约450℃的温度与约5Torr至约20Torr的腔室压力处将顶表面交替暴露于第一前驱物气体与第二前驱物气体而至少在外延膜的顶表面上形成外延层，第一前驱物气体包含一或多个硅烷，第二前驱物气体包含一或多个氯化硅烷。

公开(公告)号：CN109643638A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780050599.1

申请日：2017-01-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 春·燕 ,  鲍新宇 ,  仲华 ,  舒伯特·S·楚

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/02046 ,  B08B7/0035 ,  B08B7/0057 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67115

Abstract: 本文公开的实施方式涉及用于在外延处理之后，控制有害气体的基板脱气的方法。在一个实施方式中，方法包含将包含外延层的基板提供入移送腔室，其中移送腔室具有设置为邻接移送腔室的顶板的紫外线(UV)灯模块，使含氧气体经过移送腔室的气体线流入移送腔室，使不反应气体经过移送腔室的气体线流入移送腔室，启用UV灯模块以将在基板的表面上的残留物或物质氧化以在基板的表面上形成脱气阻挡层，使含氧气体与含氮气体停止流入移送腔室，泵送移送腔室，以及停用UV灯模块。

公开(公告)号：CN102934204B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201180028838.6

申请日：2011-06-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 仲华 ,  董希子 ,  基奥温·貌 ,  塙広二 ,  姜圣元 ,  戴维·H·夸 ,  唐纳德·J·K·奥尔加多 ,  戴维·布尔 ,  许伟勇 ,  亚历山大·塔姆 ,  常安中 ,  萨姆埃德霍·阿卡赖亚

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/302

CPC classification number: B08B5/00 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45506 ,  C23C16/45591 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/67115 ,  Y10S438/905

Abstract: 本发明的实施例一般涉及利用清洁板来清洁腔室部件的设备与方法。清洁板用以在清洁工艺期间定位在基板支架上，且清洁板包含多个紊流诱导结构。当清洁板在清洁工艺期间旋转时，紊流诱导结构会诱导出清洁气体的紊流。清洁板增加了清洁气体在清洁期间中在喷头附近的停留时间。此外，清洁板降低了清洁板内的浓度梯度，以提供更有效的清洁。所述方法包含定位所述清洁板为与喷头相邻，以及将清洁气体引入至喷头与清洁板之间的空间中。接着，沉积在喷头表面的材料会被加热，且在存在清洁气体的同时汽化，然后被排出处理腔室。

公开(公告)号：CN100524692C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200710101714.1

申请日：2002-10-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈岭 ,  仲华 ,  肖恩·M·瑟特尔 ,  迈克尔·X·杨 ,  奚明 ,  文森特·库 ,  吴典晔 ,  艾伦·乌业 ,  诺曼·纳卡希玛 ,  巴里·金 ,  张弘

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/28562 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45582 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76871

Abstract: 本发明提供了一种用于在衬底上形成金属互连的方法。一方面，本方法包括沉积含难熔金属的阻挡层，所述阻挡层的厚度小于2nm使得其呈现类晶体结构，并足以抑制至少一部分金属层上的原子迁移；通过交替地引入一次或多次含金属化合物的脉冲和一次或多次含氮化合物的脉冲，在至少一部分阻挡层上沉积晶种层；并在至少一部分晶种层上沉积第二金属层来生成互连。

公开(公告)号：CN110783171A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910694021.0

申请日：2019-07-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 黄奕樵 ,  仲华

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/42 ,  C23C16/455

Abstract: 在一个实施方式中，提供了一种在基板上选择性地沉积硅锗材料的方法。所述方法包括：将所述基板定位在基板处理腔室内，所述基板上具有介电材料和含硅单晶；将所述基板维持在约450℃或更低的温度处；将所述基板暴露于工艺气体，所述工艺气体包括：硅源气体、锗源气体、蚀刻剂气体、载气和至少一种掺杂剂源气体；和在所述基板上外延地和选择性地沉积第一硅锗材料。

公开(公告)号：CN107078060A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580059711.9

申请日：2015-07-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 张郢 ,  仲华 ,  J·沙曼特瑞

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823431 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 在此提供用于形成FinFET结构的方法与设备。本文所述的选择性蚀刻与沉积工艺可提供于FinFET的制造而无需利用多重图案化工艺。本文所述的实施例也提供鳍片材料的制造方法，该方法用于从硅转变成三五族材料，同时维持所用的各种材料的可接受的晶格取向。进一步的实施例提供蚀刻设备，该蚀刻设备可用于执行本文所述的方法。

公开(公告)号：CN103069543B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201180041468.X

申请日：2011-06-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 塙広二 ,  基奥温·貌 ,  仲华 ,  崔杰 ,  戴维·布尔 ,  许伟勇 ,  陈亮瑜

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/481 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明实施例提供对用于化学气相沉积处理中的处理腔室部件施加表面涂层的方法与设备。一实施例中，所述设备提供喷头设备，所述喷头设备包括主体；多个延伸通过主体的导管，所述多个导管各自具有延伸至主体的处理表面的开孔；及设置于处理表面上涂层，涂层为约50微米至约200微米厚，且涂层包括约0.8的放射系数、约180微英寸至约220微英寸的平均表面粗糙度及约15%或更低的孔隙度。

公开(公告)号：CN101174577A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710101714.1

申请日：2002-10-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈岭 ,  仲华 ,  肖恩·M·瑟特尔 ,  迈克尔·X·杨 ,  奚明 ,  文森特·库 ,  吴典晔 ,  艾伦·乌业 ,  诺曼·纳卡希玛 ,  巴里·金 ,  张弘

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/28562 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45582 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76871

Abstract: 本发明提供了一种用于在衬底上形成金属互连的方法。一方面，本方法包括沉积含难熔金属的阻挡层，所述阻挡层的厚度小于2nm使得其呈现类晶体结构，并足以抑制至少一部分金属层上的原子迁移；通过交替地引入一次或多次含金属化合物的脉冲和一次或多次含氮化合物的脉冲，在至少一部分阻挡层上沉积晶种层；并在至少一部分晶种层上沉积第二金属层来生成互连。

公开(公告)号：CN1575517A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN02821269.X

申请日：2002-10-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈岭 ,  仲华 ,  肖恩·M·瑟特尔 ,  迈克尔·X·杨 ,  奚明 ,  文森特·库 ,  吴典晔 ,  艾伦·乌业 ,  诺曼·纳卡希玛 ,  巴里·金 ,  张弘

IPC: H01L21/768 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45582 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76871

Abstract: 本发明提供了一种用于在衬底上形成金属互连的方法。一方面，本方法包括沉积含难熔金属的阻挡层，所述阻挡层的厚度小于2nm使得其呈现类晶体结构，并足以抑制至少一部分金属层上的原子迁移；通过交替地引入一次或多次含金属化合物的脉冲和一次或多次含氮化合物的脉冲，在至少一部分阻挡层上沉积晶种层；并在至少一部分晶种层上沉积第二金属层来生成互连。

公开(公告)号：CN109643638B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN201780050599.1

申请日：2017-01-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 春·燕 ,  鲍新宇 ,  仲华 ,  舒伯特·S·楚

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  H01L21/8238

Abstract: 本文公开的实施方式涉及用于在外延处理之后，控制有害气体的基板脱气的方法。在一个实施方式中，方法包含将包含外延层的基板提供入移送腔室，其中移送腔室具有设置为邻接移送腔室的顶板的紫外线(UV)灯模块，使含氧气体经过移送腔室的气体线流入移送腔室，使不反应气体经过移送腔室的气体线流入移送腔室，启用UV灯模块以将在基板的表面上的残留物或物质氧化以在基板的表面上形成脱气阻挡层，使含氧气体与含氮气体停止流入移送腔室，泵送移送腔室，以及停用UV灯模块。