公开(公告)号：CN108699689A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780013619.8

申请日：2017-01-10

申请人： 艾克斯特朗欧洲公司

发明人： B.I.贝卡德 ,  A.波奎 ,  J.迈耶

IPC分类号： C23C16/448 ,  C23C16/455

CPC分类号： C23C16/4483 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45561

摘要： 本发明涉及一种用于在涂层设备中制备过程气体的装置，所述装置具有壳体(1)和布置在所述壳体(1)中的、包含用于液态或固态的起始材料的蒸发装置(3、3＇、3〃)的源壳体(2)，具有通入所述源壳体(2)以产生穿过源壳体(2)的第一气流(5)的第一气体输入管道(4)，具有将第一气流(5)从所述源壳体(2)排出到输送管道(7)中的第一排气通道(6)，具有通入所述壳体(1)以产生在所述源壳体(2)外穿过壳体(1)的第二气流(9)的第二气体输入管道(8)，并且具有将第二气流(9)从所述壳体(1)排出到所述输送管道(7)中的第二排气通道(10)，第二排气通道(10)包围第一排气通道(6)，并且在第二排气通道(10)中布置有反向扩散屏障(11)。按照本发明，所述反向扩散屏障(11)构造为，能够实现所述排气通道(6)的两个尤其相对置的壁段彼此相对的位置改变。

公开(公告)号：CN103572258B

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201310300292.6

申请日：2013-07-17

申请人： 塞莱斯技术公司

发明人： E·沃尔克 ,  R·L·小迪卡洛

IPC分类号： C23C16/448

CPC分类号： C23C16/45512 ,  B01F3/028 ,  B01F15/00331 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/4486 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/52 ,  C30B25/14 ,  C30B25/165 ,  C30B29/40 ,  Y10T137/0318 ,  Y10T137/2509

摘要： 一种方法，该方法包括将载气的第一物流传输到包括液体前体化合物的输送装置。所述方法还包括将载气的第二物流传输到输送装置下游的位置。所述第一物流从所述输送装置排出之后和第二物流合并，形成第三物流，这样所述第三物流中液体前体化合物的蒸气露点低于将所述蒸气传输至一个或多个CVD反应器的导管装置的温度。所述第一物流的流动方向,第二物流的流动方向以及第三物流的流动方向是单向的，不是彼此反向的。

公开(公告)号：CN104520469B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201380025143.1

申请日：2013-03-26

申请人： 株式会社优尼特思 ,  尹敏夏

发明人： 李明起 ,  李庸懿 ,  金彦政

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/448

CPC分类号： C23C16/45512 ,  B01F3/02 ,  B01F5/00 ,  C23C14/228 ,  C23C14/243 ,  C23C16/4402 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/45502

摘要： 本发明涉及源容器及气相沉积反应炉。根据本发明的实施例的源容器包括：容器，其包括内壁，所述内壁用于限定第一空间和第二空间，第一空间用于收容源材料，第二空间则与第一空间相邻，在第二空间混合有向内部引入的运载气体以及由源材料生成的蒸汽；运载气体流入流道，使容器的外部与第二空间相连通，包括露在第二空间内的流入端口；混合气体排出流道，使容器的外部与第二空间相连通，并包括露在第二空间内的排出端口；以及限流部件，在第二空间内扩张，在流入端口与排出端口之间提供第一流动障碍面。

公开(公告)号：CN106062247A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201580012469.X

申请日：2015-03-03

申请人： 梅耶博格(德国)股份有限公司

发明人： 赫尔曼·施莱姆 ,  米尔科·科尔 ,  埃里克·安索奇 ,  丹尼尔·德克尔

IPC分类号： C23C16/455 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32449 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45593 ,  C23C16/50 ,  C23C16/545 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32779 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32871 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/334

摘要： 根据本发明的用于等离子体处理的设备包括处理室以及具有循环线路和循环泵的循环单元，处理室具有至少两个被过程气体穿流的等离子体处理区、气体输入部和气体输出部，气体输入部适用于将过程气体输送给至少两个等离子体处理区，气体输出部适用于将废气从处理室排除，其中，循环单元适用于将废气中至少一部分供应到气体输入部中，并且其中，供应到气体输入部中的废气是从等离子体处理区中的至少两个中逸出的气体的混合物。通过混合来自等离子体处理区中的至少两个中的废气并且将废气重新供应到气体输入部中，使来自等离子体处理区中的至少两个中的过程气体的已经转化的组成部分、但也有未转化的组成部分混合，并且因此实现了输送给等离子体处理区的过程气体的均匀化。这减少了由于等离子过程在不同的等离子体处理区中的差异而产生的各个基底之间的等离子体处理的非均匀性。

公开(公告)号：CN104975272A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201410492362.7

申请日：2014-09-24

申请人： 台积太阳能股份有限公司

发明人： 许丽

IPC分类号： C23C16/455 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1884 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/0322 ,  Y02E10/541

摘要： 本发明提供了一种形成具有改进的层厚度均匀性的薄膜太阳能电池的顶部接触层的装置和方法。该装置包括用于将工艺气体引入室内的扩散头。该扩散头包括具有多个开口的扩散板，每个开口均具有第一圆柱形部分和第二圆锥台部分。本发明还提供了扩散头装置和气体分布方法。

公开(公告)号：CN102414794A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201080018346.4

申请日：2010-04-20

申请人： 应用材料公司

发明人： B·特兰 ,  崔安青 ,  B·L·黄 ,  S·T·恩古耶 ,  A·N·恩古耶 ,  S·M·佐伊特 ,  X·陶

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L21/6719 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45561 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68785

摘要： 本发明的实施例提供用于诸如藉由化学气相沉积(CVD)在基材上沉积层的改良的设备。在此所揭露的本发明的设备可有利地助于实现以下效果的一种或多种：在给定的处理腔室内沉积具有减少的膜厚度不均匀性的膜、改良的粒子表现(例如，在处理腔室中所形成的膜上的粒子减少)、在多个处理腔室中的腔室对腔室表现匹配以及改良的处理腔室耐用性。

公开(公告)号：CN102077330A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200980125079.8

申请日：2009-07-09

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 库赫斯特·索瑞伯基 ,  约瑟夫·M·拉内什 ,  沃尔夫冈·阿德霍尔德 ,  阿伦·M·亨特 ,  亚历山大·N·勒纳

IPC分类号： H01L21/324

CPC分类号： H01L21/67109 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/481 ,  F27B17/0025 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207

摘要： 本发明提供用于热处理基板的设备及方法。腔室包括浮置支撑组件，在基板的加热及冷却期间，该支撑组件经配置以将基板定位在离一板为不同距离之处。在一实施例中，板的表面上的复数个开口经配置以跨越基板的径向表面而均匀地分布气体。气体的分布可以将热处理期间未反射回基板的辐射能耦合至板的吸收区域，由此开始基板的冷却。在本发明中所提供的方法及设备允许用于快速热处理基板的可控制的及有效的手段。

公开(公告)号：CN101225514B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200710199782.6

申请日：2007-11-09

申请人： 肖特股份公司

发明人： 克里斯托夫·默勒 ,  拉斯·贝韦格 ,  托马斯·屈佩尔

IPC分类号： C23C16/515 ,  C23C16/513 ,  C23C16/517 ,  C23C16/52 ,  C23C16/455

CPC分类号： C23C16/515 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45591

摘要： 在使用包括PECVD和PICVD方法的CVD方法的情况下，本发明的目的在于避免杂质并尽可能定时定量精确供应用于目标层系统的过程气体。为此，本发明提供一种涂敷系统和涂敷具有交替层的制品的方法，在这种情况下，将过程气体以交替形式引入到气体混合点并与另一气体混合，然后导入反应室，在反应室中通过产生等离子体来进行沉积。

公开(公告)号：CN101831629A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN201010180104.7

申请日：2008-10-24

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 洛里·D·华盛顿 ,  奥尔加·克里莱克 ,  尤里·梅尔尼克 ,  雅各布·格雷森 ,  桑迪普·尼杰霍安

IPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/46 ,  H01L21/205

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/4488 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/481 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

摘要： 本发明提供了具有前驱物源的喷头设计，更具体地提供一种可以用于沉积工艺中的方法和装置。一种在一个或多个衬底上形成金属氮化物层的方法，包括：在至少部分由处理腔的表面限定的处理部中放置一个或多个衬底；在该处理部中放置所述一个或多个衬底之前，使用加热源加热该处理腔的表面；在将所述一个或多个衬底暴露于氮前驱物气体和金属卤化物气体之前，使用一个或多个灯加热放置在该处理部中的一个或多个衬底；将金属源暴露于包含氯(Cl2)的第一处理气体以形成金属卤化物气体，其中该金属源包括选自由镓、铝和铟构成的组群中的元素；以及将一个或多个衬底暴露于该氮前驱物气体和金属卤化物气体以在一个或多个衬底的表面上形成金属氮化物层。

公开(公告)号：CN101768730A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200910300041.1

申请日：2009-01-05

申请人： 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 ,  鸿海精密工业股份有限公司

发明人： 裴绍凯

IPC分类号： C23C16/30

CPC分类号： C23C16/4485 ,  C23C16/45512

摘要： 一种薄膜制备系统包括前驱体溶液制备装置和薄膜沉积装置。所述前驱体溶液制备装置包括储液罐、汽化装置和吸收塔。所述储液罐和所述汽化装置均与所述吸收塔相连通。所述储液罐用于储存镀膜溶液并向吸收塔提供镀膜溶液。所述汽化装置用于汽化掺杂剂溶液并向吸收塔提供汽化后的掺杂剂溶液。所述吸收塔用于使镀膜溶液吸收汽化后的掺杂剂溶液从而得到前驱体溶液。所述薄膜沉积装置用于将前驱体溶液导至待镀膜的基板表面以形成薄膜。