公开(公告)号：CN115769361A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202180048104.8

申请日：2021-07-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： H·K·帕纳瓦拉皮尔库马兰库提 ,  S·M·佐伊特 ,  S·R·恭德哈勒卡尔 ,  W·G·博伊德 ,  B·拉马穆尔蒂 ,  S·阿特尼 ,  A·K·卡拉尔 ,  杰伊二世·D·平森

IPC: H01L21/683

Abstract: 本公开内容的实施例提供了用于在处理期间固定基板的静电卡盘。本公开内容的一些实施例提供了用于增加跨基板的径向轮廓的温度控制的方法和装置。本公开内容的一些实施例提供了用于在高密度等离子体(HDP)工艺期间控制处理的膜中的氢浓度的方法和装置。

公开(公告)号：CN102414794B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201080018346.4

申请日：2010-04-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： B·特兰 ,  崔安青 ,  B·L·黄 ,  S·T·恩古耶 ,  A·N·恩古耶 ,  S·M·佐伊特 ,  X·陶

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/6719 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45561 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68785

Abstract: 本发明的实施例提供用于诸如藉由化学气相沉积(CVD)在基材上沉积层的改良的设备。在此所揭露的本发明的设备可有利地助于实现以下效果的一种或多种：在给定的处理腔室内沉积具有减少的膜厚度不均匀性的膜、改良的粒子表现(例如，在处理腔室中所形成的膜上的粒子减少)、在多个处理腔室中的腔室对腔室表现匹配以及改良的处理腔室耐用性。

公开(公告)号：CN114040992A

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN202080044314.5

申请日：2020-06-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·M·佐伊特 ,  M·M·朴 ,  H·M·勒 ,  C-C·庄

IPC: C23C16/24 ,  C23C16/30 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  H01J37/317 ,  H01J37/32 ,  H01L21/30

Abstract: 在感应高密度等离子体腔室中，膜被改性以包括重氢。腔室硬件设计使得能够实现遍布基板的膜中的重氢浓度均匀性的可调性。固态电子设备的制造包括整合工艺流程以将实质上无氢和重氢的膜改性以包括重氢。

公开(公告)号：CN102414794A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201080018346.4

申请日：2010-04-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： B·特兰 ,  崔安青 ,  B·L·黄 ,  S·T·恩古耶 ,  A·N·恩古耶 ,  S·M·佐伊特 ,  X·陶

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/6719 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45561 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68785

Abstract: 本发明的实施例提供用于诸如藉由化学气相沉积(CVD)在基材上沉积层的改良的设备。在此所揭露的本发明的设备可有利地助于实现以下效果的一种或多种：在给定的处理腔室内沉积具有减少的膜厚度不均匀性的膜、改良的粒子表现(例如，在处理腔室中所形成的膜上的粒子减少)、在多个处理腔室中的腔室对腔室表现匹配以及改良的处理腔室耐用性。