公开(公告)号：CN107429393B

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201580054256.3

申请日：2015-09-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 崔安青 ,  法鲁克·京格尔 ,  吴典晔 ,  维卡斯·詹格拉 ,  穆罕默德·M·拉希德 ,  唐薇 ,  杨义雄 ,  枭雄·袁 ,  夫景浩 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  雨·常 ,  威廉·W·光

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32

Abstract: 本文提供用于清洁原子层沉积腔室的方法及设备。在一些实施方式中，腔室盖组件包含：外壳，外壳围绕中央通道，中央通道沿着中心轴延伸且具有上部分及下部分；盖板，盖板耦接至外壳且具有轮廓底表面，轮廓底表面从中央开口向下及向外延伸至盖板的周边部分，中央开口耦接至中央通道的下部分；第一加热元件，第一加热元件加热所述中央通道；第二加热元件，第二加热元件加热盖板的底表面；远程等离子体源，远程等离子体源流体地耦接至中央通道；及隔离套管，隔离套管耦接在远程等离子体源与外壳之间，其中隔离套管具有内通道，内通道延伸穿过隔离套管以流体地耦接远程等离子体源及中央通道。

公开(公告)号：CN107429393A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201580054256.3

申请日：2015-09-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 崔安青 ,  法鲁克·京格尔 ,  吴典晔 ,  维卡斯·詹格拉 ,  穆罕默德·M·拉希德 ,  唐薇 ,  杨义雄 ,  枭雄·袁 ,  夫景浩 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  雨·常 ,  威廉·W·光

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32

Abstract: 本文提供用于清洁原子层沉积腔室的方法及设备。在一些实施方式中，腔室盖组件包含：外壳，外壳围绕中央通道，中央通道沿着中心轴延伸且具有上部分及下部分；盖板，盖板耦接至外壳且具有轮廓底表面，轮廓底表面从中央开口向下及向外延伸至盖板的周边部分，中央开口耦接至中央通道的下部分；第一加热元件，第一加热元件加热所述中央通道；第二加热元件，第二加热元件加热盖板的底表面；远程等离子体源，远程等离子体源流体地耦接至中央通道；及隔离套管，隔离套管耦接在远程等离子体源与外壳之间，其中隔离套管具有内通道，内通道延伸穿过隔离套管以流体地耦接远程等离子体源及中央通道。

公开(公告)号：CN102414794B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201080018346.4

申请日：2010-04-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： B·特兰 ,  崔安青 ,  B·L·黄 ,  S·T·恩古耶 ,  A·N·恩古耶 ,  S·M·佐伊特 ,  X·陶

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/6719 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45561 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68785

Abstract: 本发明的实施例提供用于诸如藉由化学气相沉积(CVD)在基材上沉积层的改良的设备。在此所揭露的本发明的设备可有利地助于实现以下效果的一种或多种：在给定的处理腔室内沉积具有减少的膜厚度不均匀性的膜、改良的粒子表现(例如，在处理腔室中所形成的膜上的粒子减少)、在多个处理腔室中的腔室对腔室表现匹配以及改良的处理腔室耐用性。

公开(公告)号：CN101807515B

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201010124255.0

申请日：2003-09-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： H·霍 ,  崔安青 ,  袁晓雄

IPC: H01L21/00 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46

CPC classification number: H01L21/67103

Abstract: 本发明涉及多区域电阻加热器，本发明的一实施例提出了一种整合式沉积系统，其能汽化低蒸汽压力的液体前驱物并输送该蒸汽至一处理区，以制造先进的集成电路。该整合式沉积系统包括一已加热的排除系统、一远端等离子体产生装置、一处理室、一液体配送系统与一电脑控制模块，且该些装置共同创造出一种具商业可行性与生产价值的利用低蒸汽压前驱物来沉积高效介电材料(high capacity dielectric material)的系统。

公开(公告)号：CN102414794A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201080018346.4

申请日：2010-04-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： B·特兰 ,  崔安青 ,  B·L·黄 ,  S·T·恩古耶 ,  A·N·恩古耶 ,  S·M·佐伊特 ,  X·陶

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/6719 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45561 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68785

Abstract: 本发明的实施例提供用于诸如藉由化学气相沉积(CVD)在基材上沉积层的改良的设备。在此所揭露的本发明的设备可有利地助于实现以下效果的一种或多种：在给定的处理腔室内沉积具有减少的膜厚度不均匀性的膜、改良的粒子表现(例如，在处理腔室中所形成的膜上的粒子减少)、在多个处理腔室中的腔室对腔室表现匹配以及改良的处理腔室耐用性。