-
公开(公告)号：CN106887380B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201710145552.5
申请日：2013-03-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 布尚·N·左普 , 阿夫热里诺·V·杰拉托斯 , 博·郑 , 雷宇 , 付新宇 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 尚浩·于 , 马修·亚伯拉罕
IPC: H01L21/02 , H01L21/285 , H01L21/768 , H01L21/336
Abstract: 提供用于在半导体器件的接触结构中沉积接触金属层的方法。在一个实施方式中，提供一种沉积接触金属层以用于形成半导体器件中的接触结构的方法。所述方法包括进行循环金属沉积工艺以在基板上沉积接触金属层和对设置在基板上的接触金属层进行退火。所述循环金属沉积工艺包括使基板暴露于沉积前驱物气体混合物以在基板上沉积接触金属层的一部分，使所述接触金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺，并重复使基板暴露于沉积前驱物气体混合物和使所述接触金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺的步骤，直到达到所述接触金属层的预定厚度。
-
公开(公告)号：CN110066984A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910069988.X
申请日：2014-09-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 布尚·N·左普 , 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 博·郑 , 雷雨 , 傅新宇 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 柳尚澔 , 马修·亚伯拉罕
IPC: C23C16/18 , H01L21/285 , H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 本文提供用于在半导体装置的特征结构界定中沉积金属层的方法。在一个实施方式中，提供用于沉积金属层以形成半导体装置的方法。所述方法包括执行循环金属沉积工艺以在基板上沉积金属层和将设置在基板上的金属层退火。循环金属沉积工艺包括将基板暴露于沉积前驱物气体混合物以在基板上沉积金属层的一部分；将金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺或氢退火工艺；和重复将基板暴露于沉积前驱物气体混合物的步骤和将金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺或氢退火工艺的步骤，直至达到金属层的预定厚度。
-
公开(公告)号：CN107532297A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680022766.7
申请日：2016-04-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 穆罕默德·M·拉希德 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 马里奥·丹·桑切斯 , 简国强 , 杨义雄 , 迪帕克·贾达夫 , 阿什托西·阿咖瓦
IPC: C23C16/44 , C23C16/452 , C23C16/455
Abstract: 本文提供用于处理基板的方法与设备。一些实施方式中，基板处理腔室包含：腔室主体；腔室盖组件，所述腔室盖组件具有外壳(housing)，所述外壳包围中央通道，所述中央通道沿着中央轴延伸并具有上部与下部；盖板，所述盖板耦接于所述外壳并具有含轮廓(contoured)的底表面，所述含轮廓的底表面从中央开口向下且向外延伸至所述盖板的周边部，所述中央开口耦接于所述中央通道的下部；以及气体分配板，所述气体分配板配置于所述盖板之下并具有多个缝隙(aperture)，这些缝隙穿过所述气体分配板而配置。
-
公开(公告)号：CN102959710B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201180029706.5
申请日：2011-05-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/28079 , H01L21/28088 , H01L21/32051 , H01L29/49
Abstract: 本发明提供金属栅极结构及其形成方法。在某些实施例中，基材具有形成在高介电常数介电层中的特征结构，而在基材上形成金属栅极结构的方法可包括下列步骤：在特征结构内，在介电层顶上沉积第一层；在特征结构内，在第一层顶上沉积第二层，第二层包含钴或镍；以及在特征结构内，在第二层顶上沉积第三层以填充特征结构，第三层包含金属，其中第一层及第二层中的至少一层形成湿润层，以形成供后续沉积层所用的成核层，其中第一层、第二层及第三层中的一层形成功函数层，且其中第三层形成栅极电极。
-
公开(公告)号：CN104718314A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201380054227.8
申请日：2013-10-23
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 戴维·汤普森 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 吕新亮 , 唐薇 , 周静 , 赛沙德利·甘古利 , 杰弗里·W·安西斯 , 阿蒂夫·努里 , 法鲁克·京格尔 , 吴典晔 , 张镁 , 陈世忠
CPC classification number: C23C16/30 , C23C16/45531 , C23C16/45534
Abstract: 所提供的是包括铝、碳和金属的膜，其中铝的元素含量是大于约16％的量，且碳含量小于约50％。还提供了沉积所述膜的方法。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104205302A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201380014720.7
申请日：2013-03-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 布尚·N·左普 , 阿夫热里诺·V·杰拉托斯 , 博·郑 , 雷宇 , 付新宇 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 尚浩·于 , 马修·亚伯拉罕
IPC: H01L21/28 , H01L21/31 , H01L21/205 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/76879 , H01L21/02057 , H01L21/2855 , H01L21/28556 , H01L21/4846 , H01L21/76814 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76856 , H01L21/76877 , H01L21/76883 , H01L23/53209 , H01L23/5329 , H01L29/66621
Abstract: 提供用于在半导体器件的接触结构中沉积接触金属层的方法。在一个实施方式中，提供一种沉积接触金属层以用于形成半导体器件中的接触结构的方法。所述方法包括进行循环金属沉积工艺以在基板上沉积接触金属层和对设置在基板上的接触金属层进行退火。所述循环金属沉积工艺包括使基板暴露于沉积前驱物气体混合物以在基板上沉积接触金属层的一部分，使所述接触金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺，并重复使基板暴露于沉积前驱物气体混合物和使所述接触金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺的步骤，直到达到所述接触金属层的预定厚度。
-
公开(公告)号：CN119896065A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202380059641.1
申请日：2023-08-15
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 杨逸雄 , 黄天逸 , 马腾洲 , 赛沙德利·甘古利
Abstract: 描述了制造与处理半导体装置(即，电子装置)的方法。本公开内容的实施方式有利地提供了电子装置，其包括偶极区且满足缩减厚度与较低热预算要求。本文所描述的电子装置包括源极区、漏极区、及分开源极区与漏极区的沟道、在沟道的顶表面上的界面层、在界面层上的高κ介电层、在高κ介电层上的偶极层、及任选地在偶极层上的盖层。在一些实施方式中，方法包括退火基板以驱使原子从偶极层进入界面层或高κ介电层的一者或多者。
-
公开(公告)号：CN116490958A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202180077479.7
申请日：2021-11-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285
Abstract: 一种填充半导体结构中的特征的方法包括通过原子层沉积(ALD)、化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)中的一者在该特征中形成阻挡层；其中该阻挡层为钴(Co)、钼(Mo)、氮化钼(MoN)加Mo、钛(Ti)、钛铝碳化物(TiAlC)或氮化钛(TiN)中的一者；及通过ALD或CVD中的一者在特征中及在阻挡层之上形成金属层；其中该金属层为铝(Al)、Co、Mo、钌(Ru)或钨(W)中的一者。
-
公开(公告)号：CN114616680A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202080076754.9
申请日：2020-11-04
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 公开金属栅极堆叠结构和形成金属栅极堆叠结构的整合的方法。一些实施方式包含MoN作为PMOS功函数材料。一些实施方式包含TiSiN作为高κ覆盖层。一些实施方式提供增进的PMOS带边缘性能。一些实施方式提供增进的PMOS带边缘性能伴随减小的EOT减损。
-
公开(公告)号：CN107429393B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201580054256.3
申请日：2015-09-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 崔安青 , 法鲁克·京格尔 , 吴典晔 , 维卡斯·詹格拉 , 穆罕默德·M·拉希德 , 唐薇 , 杨义雄 , 枭雄·袁 , 夫景浩 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 雨·常 , 威廉·W·光
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , H01J37/32
Abstract: 本文提供用于清洁原子层沉积腔室的方法及设备。在一些实施方式中，腔室盖组件包含：外壳，外壳围绕中央通道，中央通道沿着中心轴延伸且具有上部分及下部分；盖板，盖板耦接至外壳且具有轮廓底表面，轮廓底表面从中央开口向下及向外延伸至盖板的周边部分，中央开口耦接至中央通道的下部分；第一加热元件，第一加热元件加热所述中央通道；第二加热元件，第二加热元件加热盖板的底表面；远程等离子体源，远程等离子体源流体地耦接至中央通道；及隔离套管，隔离套管耦接在远程等离子体源与外壳之间，其中隔离套管具有内通道，内通道延伸穿过隔离套管以流体地耦接远程等离子体源及中央通道。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
51
records
(took 0.025 seconds)
