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发明公开
PMOS高K金属栅极审中-实审

公开(公告)号：CN114616680A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202080076754.9

申请日：2020-11-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杨逸雄 , 杰奎琳·S·阮奇 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 林永景 , 史蒂文·C.H·洪 , 陈世忠 , 沙浩燕 , 林志周

IPC: H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/67 , H01L29/49 , H01L29/51

Abstract: 公开金属栅极堆叠结构和形成金属栅极堆叠结构的整合的方法。一些实施方式包含MoN作为PMOS功函数材料。一些实施方式包含TiSiN作为高κ覆盖层。一些实施方式提供增进的PMOS带边缘性能。一些实施方式提供增进的PMOS带边缘性能伴随减小的EOT减损。

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