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公开(公告)号：CN119498028A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202380054840.3
申请日：2023-07-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 弗雷德里克·费什伯恩 , 北岛知彦 , 付强 , 斯里尼瓦斯·古吉拉 , 于航 , 封俊 , 陈世忠 , 拉克马尔·C·卡拉塔拉格 , 杰登·波特 , 卡希克·贾纳基拉曼 , 迪内士·帕德希 , 周逸峰 , 姜于峰 , 姜声官
Abstract: 描述了存储器器件及形成存储器器件的方法。描述了形成电子器件的方法，其中碳用作形成DRAM电容器的可移除模具材料。致密的高温（500℃或更高）PECVD碳材料替代氧化物用作可移除模具材料（例如，芯材料）。碳材料可以在暴露于氧（O2）、氮（N2）、氢（H2）、氨（NH3）、及其组合的自由基的情况下通过各向同性蚀刻移除。
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公开(公告)号：CN119072768A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202380034539.6
申请日：2023-03-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 许智勋 , 岳诗雨 , 雷蔚 , 徐翼 , 吕疆 , 雷雨 , 熊子逸 , 杨宗翰 , 亓智敏 , 张爱西 , 张洁 , 吴立其 , 汪荣军 , 陈世忠 , 吴孟珊 , 王俊杰 , 安娜马莱·雷克什马南 , 杨逸雄 , 唐先敏
IPC: H01L21/02 , H01L21/311 , C23C16/50 , C23C16/52 , H01J37/32
Abstract: 提供了一种用于半导体器件中的间隙填充的方法及设备。该方法包括在基板的暴露表面上形成金属种晶层，其中基板具有在基板的顶表面中形成的沟槽或通孔形式的特征，所述特征具有侧壁及在侧壁之间延伸的底表面。执行梯度氧化工艺以氧化金属种晶层的暴露部分，从而形成金属氧化物，其中梯度氧化工艺优先氧化基板的场区域而非特征底表面。回蚀工艺去除或减少种晶层的氧化部分。金属间隙填充工艺用间隙填充材料填充或部分填充特征。
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公开(公告)号：CN104718314A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201380054227.8
申请日：2013-10-23
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 戴维·汤普森 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 吕新亮 , 唐薇 , 周静 , 赛沙德利·甘古利 , 杰弗里·W·安西斯 , 阿蒂夫·努里 , 法鲁克·京格尔 , 吴典晔 , 张镁 , 陈世忠
CPC classification number: C23C16/30 , C23C16/45531 , C23C16/45534
Abstract: 所提供的是包括铝、碳和金属的膜，其中铝的元素含量是大于约16％的量，且碳含量小于约50％。还提供了沉积所述膜的方法。
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公开(公告)号：CN114616680A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202080076754.9
申请日：2020-11-04
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 公开金属栅极堆叠结构和形成金属栅极堆叠结构的整合的方法。一些实施方式包含MoN作为PMOS功函数材料。一些实施方式包含TiSiN作为高κ覆盖层。一些实施方式提供增进的PMOS带边缘性能。一些实施方式提供增进的PMOS带边缘性能伴随减小的EOT减损。
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公开(公告)号：CN114072894A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202080032700.2
申请日：2020-04-14
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 可实行处理方法以生产可包括高k介电材料的半导体结构。方法可包括将含氮前驱物或含氧前驱物输送至在半导体处理腔室中含有的基板。方法可包括以含氮前驱物或含氧前驱物在基板的暴露的表面上形成反应配体。方法还可包括形成覆盖基板的高k介电材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110870048A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201880027819.3
申请日：2018-08-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/324 , H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 用于形成半导体结构的设备与方法，包括：于高k介电层顶上沉积掺杂堆叠，所述掺杂堆叠具有第一表面，其中所述掺杂堆叠包括至少一个第一金属层、至少一个第二金属层、和至少一个第三金属层，所述第一金属层具有第一表面，所述第二金属层包括第一铝掺杂剂和第一表面，所述第三金属层位于所述第二金属层的所述第一表面顶上，其中所述第二金属层位于所述第一金属层的所述第一表面顶上；在所述掺杂堆叠的所述第一表面顶上沉积退火层；将所述结构退火，而使至少所述第一铝掺杂剂扩散进入所述高k介电层中；移除所述退火层；和在所述掺杂堆叠的所述第一表面顶上沉积至少一个功函数层。
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公开(公告)号：CN114072894B
公开(公告)日：2025-05-20
申请号：CN202080032700.2
申请日：2020-04-14
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 可实行处理方法以生产可包括高k介电材料的半导体结构。方法可包括将含氮前驱物或含氧前驱物输送至在半导体处理腔室中含有的基板。方法可包括以含氮前驱物或含氧前驱物在基板的暴露的表面上形成反应配体。方法还可包括形成覆盖基板的高k介电材料。
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公开(公告)号：CN113924656B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202080040979.9
申请日：2020-05-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 林永景 , 卡拉·M·伯纳尔·拉莫斯 , 李路平 , 陈世忠 , 杰奎琳·S·阮奇 , 杨逸雄 , 史蒂文·C.H·洪 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 吉田尚美 , 董琳
Abstract: 描述了形成和处理半导体装置的方法。某些实施方式涉及包括偶极区的电子装置，偶极区具有层间电介质、高K介电材料、和偶极层。偶极层包括以下的一者或多者：氮化钛镧(TiLaN)、氮化钛钇(TiYN)、氮化钛锶(TiSrN)、氮化钛镁(TiMgN)、氮化钛铝(TiAlN)、氮化钛钽(TiTaN)、碳化铪(HfC)、氮化铪(HfN)、氮氧化铪(HfON)、碳氧化铪(HfOC)、碳化铪铝(HfCAl)、氮化铪铝(HfAlN)、或氮碳化铪(HfCN)。
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公开(公告)号：CN110582845B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN201880028696.5
申请日：2018-07-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 膜堆叠及形成膜堆叠的方法，膜堆叠包含在基板上的高k介电层、在高k介电层上的高k覆盖层、在高k覆盖层上的n金属层及在n金属层上的n金属覆盖层。n金属层具有与高k覆盖层相邻的富铝界面。
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公开(公告)号：CN112823408A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201980066546.8
申请日：2019-10-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/324
Abstract: 兹描述用于形成诸如NMOS栅电极之类的半导体结构的方法及设备。所述方法可包括以下步骤：于高k介电层的第一表面上方沉积第一覆盖层，该第一覆盖层具有第一表面；及于第一覆盖层的第一表面上方沉积至少一个金属层，该至少一个金属层具有第一表面，其中该至少一个金属层包括钛铝硅化物材料。一些方法包括以下步骤：通过使第一覆盖层接触金属氯化物，从第一覆盖层的第一表面去除氧化物层，所述金属氯化物的量足以去除氧化物层。一些用于沉积钛铝硅化物材料的方法由350至400摄氏度的温度下进行的原子层沉积工艺进行。
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