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公开(公告)号：CN119790495A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202380065035.0
申请日：2023-08-04
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/02 , H01L21/285
Abstract: 本文提供了用于填充基板的含硅介电层中的特征的方法和相关联的设备的实施方式。在一些实施方式中，填充基板的含硅介电层中的特征的方法包括：在第一处理腔室中经由物理气相沉积（PVD）处理在特征中沉积非连续衬垫层；在第二处理腔室中执行氢等离子体处理，以在特征的未被非连续衬垫层覆盖的表面上形成硅‑氢键；以及在第三处理腔室中在非连续衬垫层上且在硅‑氢键上方沉积一块状钨层，以使用钨填充特征。
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公开(公告)号：CN119072768A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202380034539.6
申请日：2023-03-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 许智勋 , 岳诗雨 , 雷蔚 , 徐翼 , 吕疆 , 雷雨 , 熊子逸 , 杨宗翰 , 亓智敏 , 张爱西 , 张洁 , 吴立其 , 汪荣军 , 陈世忠 , 吴孟珊 , 王俊杰 , 安娜马莱·雷克什马南 , 杨逸雄 , 唐先敏
IPC: H01L21/02 , H01L21/311 , C23C16/50 , C23C16/52 , H01J37/32
Abstract: 提供了一种用于半导体器件中的间隙填充的方法及设备。该方法包括在基板的暴露表面上形成金属种晶层，其中基板具有在基板的顶表面中形成的沟槽或通孔形式的特征，所述特征具有侧壁及在侧壁之间延伸的底表面。执行梯度氧化工艺以氧化金属种晶层的暴露部分，从而形成金属氧化物，其中梯度氧化工艺优先氧化基板的场区域而非特征底表面。回蚀工艺去除或减少种晶层的氧化部分。金属间隙填充工艺用间隙填充材料填充或部分填充特征。
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公开(公告)号：CN119855937A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202380064517.4
申请日：2023-09-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 徐翼 , 赵咸元 , 亓智敏 , 张爱西 , 杰拉尔丁·瓦斯奎兹 , 吴典晔 , 雷蔚 , 高兴尧 , 谢里什·派斯 , 侯文婷 , 杜超 , 杨宗翰 , 夫敬皓 , 林政汉 , 贾勒帕里·拉维 , 雷雨 , 汪荣军 , 唐先敏
Abstract: 提供了一种用于在半导体元件中形成钨特征的方法及设备。方法包括将在基板中形成的特征的顶部开口暴露于物理气相沉积(PVD)工艺以在特征内沉积钨衬垫层。PVD工艺在第一处理腔室的第一处理区域中执行并且钨衬垫层形成部分阻碍特征的顶部开口的悬垂部分。将基板从第一处理腔室的第一处理区域传送到第二处理腔室的第二处理区域而不破坏真空。将悬垂部分暴露于第二处理区域中的含氮自由基以抑制钨沿着悬垂部分的后续生长。将特征暴露于含钨前驱物气体以在特征内的钨衬垫层上方形成钨填充层。
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公开(公告)号：CN119497909A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202380053394.4
申请日：2023-04-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/67 , C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/06
Abstract: 提供用于在半导体装置中进行钨间隙填充的方法与设备。方法包含：执行梯度氧化工艺以氧化衬垫层的暴露部分，其中梯度氧化工艺优先氧化衬垫层的悬突部分，悬突部分阻碍或阻挡形成在基板的场区域内的一个或多个特征的顶部开口。方法进一步包含：执行回蚀工艺以去除或减少衬垫层的氧化悬突部分；将衬垫层暴露于化学气相传输（CVT）工艺以去除梯度氧化工艺和回蚀工艺残留的金属氧化物；和执行钨间隙填充工艺以填充或部分填充一个或多个特征。
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公开(公告)号：CN117581346A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202280046066.7
申请日：2022-06-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 柴坦尼亚·安贾内亚鲁·普拉萨德 , 克里斯托弗·肖恩·奥尔森 , 劳拉·哈夫雷查克 , 艾丽卡·加布里埃尔·汉森 , 丹尼尔·C·格洛弗 , 纳曼·阿普瓦 , 杨宗翰
IPC: H01L21/67
Abstract: 在本文中提供了用于与快速热处理(RTP)系统一起使用的气体分配模块及其使用方法的实施方式。在一些实施方式中，用于与RTP腔室一起使用的气体分配模块包含：流体耦接至混合器的第一载气管线和第一液体管线，所述混合器具有一个或多个控制阀，且被配置为将来自第一载气管线的载气和来自第一液体管线的液体以期望的比例混合以形成第一混合物；汽化器，所述汽化器耦接至混合器且被配置为在中空内部容积中接收第一混合物，所述汽化器具有被配置为使第一混合物汽化的加热器；以及第一气体输送管线，所述第一气体输送管线设置在汽化器与RTP腔室之间以将汽化的第一混合物输送至RTP腔室。
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公开(公告)号：CN118610087A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410257836.3
申请日：2024-03-06
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/321 , H01L21/3205 , H01L21/768 , C23C14/04 , C23C14/58 , C23C16/04 , C23C16/56
Abstract: 公开了一种通过利用氢等离子体处理来促进选择性沉积而形成半导体器件结构的方法。在一些实施方式中，该方法包括在该半导体器件结构上的至少一个特征内形成金属层。该方法包括将该金属层暴露于氢等离子体处理。该氢等离子体处理优先处理顶场和侧壁，而使底表面基本上未处理以促进自底向上金属膜生长。在一些实施方式中，该氢等离子体处理基本上仅包括氢离子。
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公开(公告)号：CN119522482A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202380055685.7
申请日：2023-04-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/06
Abstract: 一种在基板上形成结构的方法包括在至少一个特征内形成钨成核层。方法包括通过循环气相沉积制程形成成核层。循环气相沉积制程包括形成成核层的一部分，然后将成核层暴露至化学气相传输（CVT）制程，以从成核层的一部分中去除杂质。CVT制程可以在400摄氏度或更低的温度下执行，并且包括由处理气体形成等离子体，处理气体包含大于或等于氢气和氧的总流量的90%的氢气。
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公开(公告)号：CN118414693A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202280083067.9
申请日：2022-11-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 克里斯托弗·S·奥尔森 , 雷内·乔治 , 杨宗翰 , 大卫·纳普 , 劳拉·哈夫雷查克
IPC: H01L21/67 , H01J37/32 , H01L21/687 , H01L21/02
Abstract: 本文描述用于在基板的特征内生长氧化物层的方法及设备。此方法适用于半导体制造中。氧化物层为通过使基板暴露于高压氧化剂暴露及低压含氧等离子体暴露两者来形成。高压氧化剂暴露在大于10托的压力下执行，而低压含氧等离子体暴露在小于约10托的压力下执行。这些特征为在氧化硅层及氮化硅层的堆叠内的高深宽比沟槽或孔。
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