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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119497909A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202380053394.4
申请日：2023-04-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/67 , C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/06
Abstract: 提供用于在半导体装置中进行钨间隙填充的方法与设备。方法包含：执行梯度氧化工艺以氧化衬垫层的暴露部分，其中梯度氧化工艺优先氧化衬垫层的悬突部分，悬突部分阻碍或阻挡形成在基板的场区域内的一个或多个特征的顶部开口。方法进一步包含：执行回蚀工艺以去除或减少衬垫层的氧化悬突部分；将衬垫层暴露于化学气相传输（CVT）工艺以去除梯度氧化工艺和回蚀工艺残留的金属氧化物；和执行钨间隙填充工艺以填充或部分填充一个或多个特征。
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公开(公告)号：CN119790495A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202380065035.0
申请日：2023-08-04
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/02 , H01L21/285
Abstract: 本文提供了用于填充基板的含硅介电层中的特征的方法和相关联的设备的实施方式。在一些实施方式中，填充基板的含硅介电层中的特征的方法包括：在第一处理腔室中经由物理气相沉积（PVD）处理在特征中沉积非连续衬垫层；在第二处理腔室中执行氢等离子体处理，以在特征的未被非连续衬垫层覆盖的表面上形成硅‑氢键；以及在第三处理腔室中在非连续衬垫层上且在硅‑氢键上方沉积一块状钨层，以使用钨填充特征。
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公开(公告)号：CN119072768A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202380034539.6
申请日：2023-03-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 许智勋 , 岳诗雨 , 雷蔚 , 徐翼 , 吕疆 , 雷雨 , 熊子逸 , 杨宗翰 , 亓智敏 , 张爱西 , 张洁 , 吴立其 , 汪荣军 , 陈世忠 , 吴孟珊 , 王俊杰 , 安娜马莱·雷克什马南 , 杨逸雄 , 唐先敏
IPC: H01L21/02 , H01L21/311 , C23C16/50 , C23C16/52 , H01J37/32
Abstract: 提供了一种用于半导体器件中的间隙填充的方法及设备。该方法包括在基板的暴露表面上形成金属种晶层，其中基板具有在基板的顶表面中形成的沟槽或通孔形式的特征，所述特征具有侧壁及在侧壁之间延伸的底表面。执行梯度氧化工艺以氧化金属种晶层的暴露部分，从而形成金属氧化物，其中梯度氧化工艺优先氧化基板的场区域而非特征底表面。回蚀工艺去除或减少种晶层的氧化部分。金属间隙填充工艺用间隙填充材料填充或部分填充特征。
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公开(公告)号：CN119054068A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202380034945.2
申请日：2023-03-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/06 , H01L21/67
Abstract: 提供了一种用于半导体器件中的间隙填充的方法和装置。该方法包括在基板的暴露的顶表面上形成金属种晶层，其中基板具有形成在基板的顶表面中的沟槽或通孔形式的特征，该特征具有侧壁和在侧壁之间延伸的底表面。执行梯度氧化处理以氧化金属种晶层的暴露部分以形成金属氧化物，其中梯度氧化处理优先氧化特征的底表面上方的基板的场区域。回蚀处理去除种晶层的氧化部分。第二蚀刻处理去除种晶层的其他部分。金属间隙填充处理用间隙填充材料填充或部分地填充特征。
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公开(公告)号：CN117916847A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202280061014.7
申请日：2022-06-24
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 描述了包括具有顶板的壳体的磁铁组件，每个顶板包括对准的开口。壳体具有底环和环形壁，其中多个开口形成在该底环中。该顶板在该壳体上，并且具有多个开口，该多个开口与该壳体的该底环中的多个开口对准。该磁铁组件还可包括不导电的基底板和/或导电的盖板。还描述了使用磁铁组件和磁场调谐的方法。
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