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公开(公告)号：CN117882183A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202280057852.7
申请日：2022-07-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/02 , C23C16/02 , C23C16/04
Abstract: 一种间隙填充基板上的特征的方法通过使用卤化钨浸泡处理来减小特征到特征间隙填充高度变化。在一些实施例中，所述方法可包括将基板加热至大约350摄氏度到大约450摄氏度的温度，在大约5托至大约25托的工艺压力下将基板暴露于卤化钨气体，用卤化钨气体将基板浸泡大约5秒至大约60秒的浸泡时间；并且在基板的浸泡完成之后，在基板上的多个特征上执行金属预清洁工艺和间隙填充沉积。
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公开(公告)号：CN115053336A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202180011894.2
申请日：2021-03-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01J37/32 , H01L21/02
Abstract: 讨论了用于选择性地氧化包含介电表面和金属表面的基板表面的介电表面的方法。还讨论了清洁包含介电表面和金属表面的基板表面的方法。所公开的方法使用由氢气和氧气产生的等离子体来氧化的介电表面和/或清洁基板表面。所公开的方法可在单个步骤中执行，而无需使用单独的竞争性氧化和还原反应。所公开的方法可在恒定温度下和/或在单个处理腔室内执行。
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公开(公告)号：CN110870048B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN201880027819.3
申请日：2018-08-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/324 , H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 用于形成半导体结构的设备与方法，包括：于高k介电层顶上沉积掺杂堆叠，所述掺杂堆叠具有第一表面，其中所述掺杂堆叠包括至少一个第一金属层、至少一个第二金属层、和至少一个第三金属层，所述第一金属层具有第一表面，所述第二金属层包括第一铝掺杂剂和第一表面，所述第三金属层位于所述第二金属层的所述第一表面顶上，其中所述第二金属层位于所述第一金属层的所述第一表面顶上；在所述掺杂堆叠的所述第一表面顶上沉积退火层；将所述结构退火，而使至少所述第一铝掺杂剂扩散进入所述高k介电层中；移除所述退火层；和在所述掺杂堆叠的
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公开(公告)号：CN115039210A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202180012393.6
申请日：2021-04-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3213 , H01L21/285 , H01L21/3205
Abstract: 一种用于在介电表面顶上选择性沉积钨层的方法及设备。在实施方式中，方法包括：在基板场顶上并且在基板中设置的特征的侧壁及介电底表面顶上经由PVD工艺沉积钨层以在场顶上形成具有第一厚度的第一钨部分，在侧壁顶上形成具有第二厚度的第二钨部分，并且在底表面顶上形成具有第三厚度的第三钨部分，其中第二厚度小于第一厚度及第三厚度；氧化钨层的顶表面以在场顶上形成第一氧化的钨部分，在侧壁顶上形成第二氧化的钨部分，并且在底表面顶上形成第三氧化的钨部分；去除第一、第二、及第三氧化的钨部分，其中第二钨部分完全从侧壁去除；以及从场钝化或完全去除第一钨部分。
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公开(公告)号：CN115004336A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202180010141.X
申请日：2021-12-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/768 , H01L21/02 , C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/06
Abstract: 本公开内容的实施方式提供减少或消除选择性钨层的横向生长的方法。进一步实施方式提供整合的清洁和沉积方法，此方法改善在沟槽结构上选择性沉积的钨的选择性。另外的实施方式提供用于形成针对沟槽结构的更均匀和更有选择性的自底向上的间隙填充而具有改善的膜性质的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114981952A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202180008308.9
申请日：2021-05-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 岑羲 , 姚雅宽 , 赖一鸣 , 吴凯 , 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 戴维·T·奥 , 凯文·卡舍菲 , 雷雨 , 董琳 , 任河 , 徐翼 , 梅裕尔·奈克 , 陈浩 , 凌芒芒
IPC: H01L21/768 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 描述了用于预清洁具有金属和电介质表面的基板的方法。基板暴露于强还原剂中，以从金属表面移除污染物并损坏电介质表面。基板接着暴露于氧化处理，以修复对电介质表面的损坏并氧化金属表面。基板接着暴露于弱还原剂以将金属氧化物还原为纯金属表面，而基本上不影响电介质表面。还描述了用于实施该方法的处理工具和计算机可读介质。
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公开(公告)号：CN114930520A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202180008907.0
申请日：2021-06-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , C23C16/02 , C23C16/04
Abstract: 描述用于预清洁基板的方法，所述基板具有金属和电介质表面。将包含冷却特征的基座的温度设定为小于或等于100℃，其中基板位在所述基座上。使基板暴露于等离子体处理，以从包括金属底部、电介质侧壁和/或电介质场的基板的特征去除化学残留物和/或杂质，和/或修复电介质侧壁和/或电介质场中的表面缺陷。等离子体处理可为氧等离子体，举例而言，直接氧等离子体。还描述用于实施所述方法的处理工具及计算机可读介质。
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公开(公告)号：CN119497762A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202380052481.8
申请日：2023-07-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/458
Abstract: 本文提供了在处理腔室中使用的冲洗环的实施例。在一些实施例中，冲洗环包括：环状主体，具有内部及外部，其中内部包括环状主体的内表面，内表面包含第一内侧壁、第二内侧壁及第三内侧壁，其中内部具有界定第一内侧壁的上部内凹口及界定第二内侧壁的下部内凹口，其中第三内侧壁在第一内侧壁与第二内侧壁之间设置，并且其中第一内侧壁及第二内侧壁从第三内侧壁径向向外地设置。
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公开(公告)号：CN119072768A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202380034539.6
申请日：2023-03-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 许智勋 , 岳诗雨 , 雷蔚 , 徐翼 , 吕疆 , 雷雨 , 熊子逸 , 杨宗翰 , 亓智敏 , 张爱西 , 张洁 , 吴立其 , 汪荣军 , 陈世忠 , 吴孟珊 , 王俊杰 , 安娜马莱·雷克什马南 , 杨逸雄 , 唐先敏
IPC: H01L21/02 , H01L21/311 , C23C16/50 , C23C16/52 , H01J37/32
Abstract: 提供了一种用于半导体器件中的间隙填充的方法及设备。该方法包括在基板的暴露表面上形成金属种晶层，其中基板具有在基板的顶表面中形成的沟槽或通孔形式的特征，所述特征具有侧壁及在侧壁之间延伸的底表面。执行梯度氧化工艺以氧化金属种晶层的暴露部分，从而形成金属氧化物，其中梯度氧化工艺优先氧化基板的场区域而非特征底表面。回蚀工艺去除或减少种晶层的氧化部分。金属间隙填充工艺用间隙填充材料填充或部分填充特征。
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公开(公告)号：CN115004329A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202080094059.5
申请日：2020-11-23
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 描述了用于预清洁具有金属及介电表面的基板的方法。在处理腔室中将包括具有金属底部、介电侧壁和电介质的场的表面结构的基板暴露于双等离子体处理，以从该金属底部、所述介电侧壁、和/或该电介质的该场去除化学残留物和/或杂质，和/或修复所述介电侧壁和/或该电介质的该场中的表面缺陷。该双等离子体处理包括直接等离子体和远程等离子体。
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